一种提高备电电容可靠性的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及备电电容可靠性的技术领域，尤其是指一种提高备电电容可靠性的电路，该提高备电电容可靠性的电路，包括：第一备电电容模块、第二备电电容模块、升降压电源模块及板载模块；所述第一备电电容模块和第二备电电容模块与所述升降压电源模块连接，所述升降压电源模块与所述板载模块连接；所述升降压电源模块用于接收来自主机或第一备电电容模块或第二备电电容模块的电压并给固态硬盘供电。本实用新型专利技术通过设置两个备电电容，在一个备电电容发生故障时，还有一个备电电容可以提供备电功能，保障缓存数据全部下刷到非易失性介质上，不会导致固态硬盘性能下降，也不会导致业务中断。务中断。务中断。

【技术实现步骤摘要】
一种提高备电电容可靠性的电路


[0001]本技术涉及备电电容可靠性的
，尤其是指一种提高备电电容可靠性的电路。

技术介绍

[0002]现有固态硬盘正常工作时通过外部12V电源给固态硬盘供电，并通过升降压模块给备电电容充电，当突然拔插固态硬盘或者主机掉电时，升降压电源模块立即切换到备电电容供电，保障固态硬盘还能够持续工作一段时间把缓存中数据下刷到非易失性介质上，确保数据不丢失。但该方案存在明显的缺陷，由于电容故障率较高，当电容发生故障时，一种情况是该固态硬盘写数据无法放进缓存，需要直接写到非易失性介质后才能进行下一步操作，导致性能严重下降；另一种情况是固态硬盘检测到备电电容故障后，立即停止与主机之间的业务，等待更换故障电容；以上两种情况对系统整体性能和业务连续性都有较大的影响。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种提高备电电容可靠性的电路。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：
[0005]一种提高备电电容可靠性的电路，包括：第一备电电容模块、第二备电电容模块、升降压电源模块及板载模块；所述第一备电电容模块和第二备电电容模块与所述升降压电源模块连接，所述升降压电源模块与所述板载模块连接；所述升降压电源模块用于接收来自主机或第一备电电容模块或第二备电电容模块的电压并给固态硬盘供电。
[0006]在一具体实施例中，所述升降压电源模块包括电源转换芯片U82。
[0007]在一具体实施例中，所述电源转换芯片U82的型号为SYH664RGC。
[0008]在一具体实施例中，所述第一备电电容模块包括备电电容CE1和MOS管Q11，所述备电电容CE1与所述MOS管Q11连接，所述MOS管Q11与所述电源转换芯片U82连接。
[0009]在一具体实施例中，所述MOS管Q11的漏极与所述电源转换芯片U82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容CE1与所述MOS管Q11的源极连接。
[0010]在一具体实施例中，所述第二备电电容模块包括备电电容CE2和MOS管Q12，所述备电电容CE2与所述MOS管Q12连接，所述MOS管Q12与所述电源转换芯片U82连接。
[0011]在一具体实施例中，所述MOS管Q12的漏极与所述电源转换芯片U82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容CE2与所述MOS管Q12的源极连接。
[0012]在一具体实施例中，所述MOS管Q11和MOS管Q12的型号均为IRLML2502TRPBF。
[0013]在一具体实施例中，所述备电电容CE1和备电电容CE2的型号均为T523W476M035APE100或CPS7343H1_5。
[0014]在一具体实施例中，所述板载模块包括二极管D7，所述二极管D7的1脚和2脚与所
述电源转换芯片U82的19脚连接，所述二极管D7的3脚与所述电源转换芯片U82的21脚连接。
[0015]本技术与现有技术相比的有益效果是：通过设置两个备电电容，在一个备电电容发生故障时，还有一个备电电容可以提供备电功能，保障缓存数据全部下刷到非易失性介质上，不会导致固态硬盘性能下降，也不会导致业务中断。
[0016]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步描述。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1为本技术提供的提高备电电容可靠性的电路的示意性框图；
[0019]图2为本技术提供的提高备电电容可靠性的电路的应用场景示意图；
[0020]图3为本技术提供的提高备电电容可靠性的电路的具体电路示意图一；
[0021]图4为本技术提供的提高备电电容可靠性的电路的具体电路示意图二。
具体实施方式
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细说明。
[0023]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0026]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0027]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通
过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0028]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不应理解为必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，包括：第一备电电容模块、第二备电电容模块、升降压电源模块及板载模块；所述第一备电电容模块和第二备电电容模块与所述升降压电源模块连接，所述升降压电源模块与所述板载模块连接；所述升降压电源模块用于接收来自主机或第一备电电容模块或第二备电电容模块的电压并给固态硬盘供电。2.根据权利要求1所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述升降压电源模块包括电源转换芯片U82。3.根据权利要求2所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述电源转换芯片U82的型号为SYH664RGC。4.根据权利要求3所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述第一备电电容模块包括备电电容CE1和MOS管Q11，所述备电电容CE1与所述MOS管Q11连接，所述MOS管Q11与所述电源转换芯片U82连接。5.根据权利要求4所述的一种提高备电电容可靠性的电路，其特征在于，所述MOS管Q11的漏极与所述电源转换芯片U82的16脚、17脚及18脚连接，所述备电电容CE1与所述MOS管Q11的源极连接。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：詹建平，唐觅，罗海全，
申请(专利权)人：深圳忆联信息系统有限公司，
类型：新型
国别省市：