一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法技术

本发明专利技术公开了一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法，该磁光调制器件包括磁场发生器、透明主调制部件和辅助调制部件，磁场发生器设置为磁场方向与入射可见光光路垂直；透明主调制部件设于磁场内，其内部填充磁性二维材料分散液，其中的磁性二维材料光学带隙在2.0eV以上，饱和磁化强度1emu/g以上，径厚比10

【技术实现步骤摘要】
一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法
本专利技术涉及光学调制
，尤其是涉及一种磁光调制器件和入射可见光的大相位差磁光调制方法。
技术介绍
光调制器是一类对入射光束的相位、强度、偏振、光谱等特性进行调制的装置，广泛地应用于光束变换、光学信息处理等领域，是现代光学系统的基础构成元件。在上述光学参数中，光学相位的调制是对其他光学参数进行调制的基础。电控液晶空间光调制器是商品化程度较高、应用场景较广的一种具有大相位调制能力的光调制器，该类器件利用液晶分子的各向异性及其有序排布实现光调制。目前，实际应用中的液晶材料普遍为棒状有机分子，其光学调制过程受到电场控制。由于此调制过程所需电场强度大，且电极与有机液晶材料直接接触，器件易出现电泳、电镀等现象，从而导致寿命较短、能耗较大、场控条件单一、紫外光及蓝光照射下存在光漂白等缺点。此外，传统有机液晶光调制器必须使用微纳小球及定向层，器件的制备工艺较为复杂。值得关注的是，相较于基于电光效应的光学调制，基于磁光效应的光学调制方法则具有一系列独特优势，如无接触、无损伤、场区高度均匀、可以实现工作过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁光调制器件，用于对入射可见光的大相位差调制，所述大相位差为相位差大于2π，其特征在于，所述磁光调制器件包括：/n磁场发生器，用于产生磁场；所述磁场发生器设置为磁场的方向与所述入射可见光的光路垂直；/n透明主调制部件，所述透明主调制部件具有容置腔体；所述容置腔体内填充有磁性二维材料分散液，所述磁性二维材料分散液中磁性二维材料的光学带隙在2.0eV以上，饱和磁化强度在1emu/g以上，径厚比在10

【技术特征摘要】
1.一种磁光调制器件，用于对入射可见光的大相位差调制，所述大相位差为相位差大于2π，其特征在于，所述磁光调制器件包括：
磁场发生器，用于产生磁场；所述磁场发生器设置为磁场的方向与所述入射可见光的光路垂直；
透明主调制部件，所述透明主调制部件具有容置腔体；所述容置腔体内填充有磁性二维材料分散液，所述磁性二维材料分散液中磁性二维材料的光学带隙在2.0eV以上，饱和磁化强度在1emu/g以上，径厚比在102以上；所述透明主调制部件设于所述磁场内，且位于所述入射可见光的光路上；
辅助调制组件，所述辅助调制组件包括第一辅调制件和第二辅调制件，所述第一辅调制件和所述第二辅调制件分设于所述透明主调制部件的相对两侧，且位于所述入射可见光的光路上；所述第一辅调制件为第一偏振片，所述第二辅调制件为偏振检测器或第二偏振片，所述第二偏振片与所述第一偏振片的偏振方向正交。


2.根据权利要求1所述的磁光调制器件，其特征在于，所述磁性二维材料选自过渡金属元素掺杂的钛氧化物。


3.根据权利要求2所述的磁光调制器件，其特征在于，所述过渡金属元素选自铁、钴、镍中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的磁光调制器件，其特征在于，所述磁性二维材料分散液的浓度为0.001～15g/L。


5.根据权利要求4所述的磁光调制器件，其特征在于，所述磁性二维材料分散液由所述磁性二维材料分散于极性溶剂中制得。


6....

【专利技术属性】
技术研发人员：成会明，丁宝福，黄子阳，刘碧录，
申请(专利权)人：清华伯克利深圳学院筹备办公室，
类型：发明
国别省市：广东;44