一种应用硅微纳结构增强磁光效应的衬底制造技术

本发明专利技术提供了一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，包括基底和周期排列的微结构单元，微结构单元为一维线栅形，微结构单元周期性地置于基底上，微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，磁性材料部置于第一微纳结构部和第二微纳结构部之间，第一微纳结构部和第二微纳结构部的材料为硅。应用时，入射光倾斜照射微结构单元，不仅在硅材料的第一微纳结构部和第二微纳结构部之间激发出同方向的电场，而且在第一微纳结构部和第二微纳结构部内激发出磁场，改变了磁性材料内的磁矩，更进一步地提高了磁光效应的强度，在磁光效应应用方面具有良好的应用价值。

【技术实现步骤摘要】
一种应用硅微纳结构增强磁光效应的衬底
本专利技术涉及磁光效应应用领域，具体涉及一种应用硅微纳结构增强磁光效应的衬底。
技术介绍
磁光效应是将光与磁联系在一起的效应。磁光效应是指当入射光进入具有固有磁矩的物质内部传输或在物质界面反射时，电磁波的偏振发生变化的现象。磁光效应在磁光隔离、光开关、磁光信息存储、生物探测等方面具有重要的应用。近年来，研究发现应用金属微纳结构产生的表面等离激元可以增强磁光效应。但是，金属微纳结构产生的表面等离激元与磁性材料的作用弱，磁光效应弱。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，包括基底和周期排列的微结构单元，微结构单元为一维线栅形，微结构单元周期性地置于基底上，微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，第一微纳结构部、第二微纳结构部、磁性材料部均置于基底上，磁性材料部置于第一微纳结构部和第二微纳结构部之间，第一微纳结构部和第二微纳结构部的材料为硅。更进一步地，第一微纳结构部、第二微纳结构部、磁性材料部为矩形。<br>更进一步地，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于，包括：基底和周期排列的微结构单元，所述微结构单元为一维线栅形，所述微结构单元周期性地置于所述基底上，所述微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，所述第一微纳结构部、所述第二微纳结构部、所述磁性材料部均置于所述基底上，所述磁性材料部置于所述第一微纳结构部和所述第二微纳结构部之间，所述第一微纳结构部和所述第二微纳结构部的材料为硅。/n

【技术特征摘要】
1.一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于，包括：基底和周期排列的微结构单元，所述微结构单元为一维线栅形，所述微结构单元周期性地置于所述基底上，所述微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，所述第一微纳结构部、所述第二微纳结构部、所述磁性材料部均置于所述基底上，所述磁性材料部置于所述第一微纳结构部和所述第二微纳结构部之间，所述第一微纳结构部和所述第二微纳结构部的材料为硅。


2.如权利要求1所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部、所述第二微纳结构部、所述磁性材料部为矩形。


3.如权利要求2所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部的侧面与所述第二微纳结构部的侧面平行。


4.如权利要求3所述的应用硅微结构增强磁光效应的衬底，其特征在于：所述第一微纳结构部与所述第二微纳结构部的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44