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本发明提供了一种应用硅微结构增强磁光效应的衬底，包括基底和周期排列的微结构单元，微结构单元为一维线栅形，微结构单元周期性地置于基底上，微结构单元包括第一微纳结构部、第二微纳结构部和磁性材料部，磁性材料部置于第一微纳结构部和第二微纳结构部之间...
该专利属于中山科立特光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山科立特光电科技有限公司授权不得商用。

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