非接触式判断半导体材料导电类型的方法技术

本发明专利技术公开了非接触式判断半导体材料导电类型的方法。现有方法在测试后会造成半导体材料表面损坏。本发明专利技术方法在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极，电极为透明导电玻璃，导电面朝下；两个电极的导电面分别接接运算放大器的同向和反向输入端；测量电极上方设置加热用光源。首先关闭光源，调节运算放大器输出电压为0，然后开启光源加热晶片局部表面，当运算放大器有信号输出，关闭光源；3～5秒后，检测运算放大器的输出电压极性：如果极性为正，则半导体材料为P型；如果极性为负，则半导体材料为N型。本发明专利技术方法避免了样品损伤，操作简单，易实现自动化，同时避免半导体材料因受热而进入本征激发状态，导致判断失效或者错误判断。

【技术实现步骤摘要】
非接触式判断半导体材料导电类型的方法
本专利技术属于半导体
，涉及一种非接触式判断半导体材料导电类型的方法。
技术介绍
半导体材料的导电类型是半导体材料重要的参数之一。施主掺杂的半导体材料为N型，导电以导带电子为主；受主掺杂的半导体材料的P型，导电以价带空穴为主。在研究和生产中，技术人员经常需要了解半导体材料的导电类型。常用的判断半导体材料导电类型的方法包括热电势、整流、霍尔效应等。其中热电势法又可以分为热探针法和冷探针法。上述方法都有一个共同的缺点，就是都需要有探针或者电极与半导体材料接触，导致测试后半导体材料表面受到损坏，造成经济上的损失。专利技术专利201711362145.6提出了一种利用吸收光谱无损判断导SiC材料电类型的方法。该方法先测量出SiC的吸收光谱，再通过吸收光谱计算出禁带宽度，然后根据禁带宽度数值判断SiC的导电类型。该方法存在以下不足：1)该方法仅对SiC材料适用；2)对正面抛光但背面喷砂的晶片，因测量透射光谱困难(吸收光谱一般由透射光谱换算得到，背面喷砂的晶片无法透光)，所以很难获得禁带宽度的数据；3)从透射光谱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.非接触式判断半导体材料导电类型的方法，其特征在于，该方法具体是：/n在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极；所述的测量电极和参考电极为尺寸形状相同的透明导电玻璃；/n测量电极和参考电极靠近待测半导体晶片表面，导电玻璃的导电面朝下，面对晶片表面，测量电极和参考电极与待测半导体晶片表面距离相同；/n将测量电极的导电面接运算放大器的同向输入端，参考电极的导电面接运算放大器的反向输入端，运算放大器的输出端接检测仪器；/n在测量电极正上方设置光源，光源出射光通过凸透镜，透过测量电极后聚焦在待测半导体晶片表面；/n检测时，首先关闭光源，调节运算放大器的偏置使输出电压V0为0；然后开启光源，使测...

【技术特征摘要】
1.非接触式判断半导体材料导电类型的方法，其特征在于，该方法具体是：
在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极；所述的测量电极和参考电极为尺寸形状相同的透明导电玻璃；
测量电极和参考电极靠近待测半导体晶片表面，导电玻璃的导电面朝下，面对晶片表面，测量电极和参考电极与待测半导体晶片表面距离相同；
将测量电极的导电面接运算放大器的同向输入端，参考电极的导电面接运算放大器的反向输入端，运算放大器的输出端接检测仪器；
在测量电极正上方设置光源，光源出射光通过凸透镜，透过测量电极后聚焦在待测半导体晶片表面；
检测时，首先关闭光源，调节运算放大器的偏置使输出电压V0为0；然后开启光源，使测量电极正下方的晶片局部表面的温度逐步升高，同时检测仪器监测运算放大器的输出端；当监测到运算放大器有信号输出时，关闭...

【专利技术属性】
技术研发人员：季振国，李阳阳，席俊华，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33