一种低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于电子陶瓷材料领域，提供一种低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料及其制备方法，用于超大规模集成电路封装。本发明专利技术微晶玻璃材料按照质量百分比组成为：MgO为15～19wt％、Al

【技术实现步骤摘要】
一种低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料及其制备方法
本专利技术属于电子陶瓷材料领域，涉及一种低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料及其制备方法；特别适用于超大规模集成电路封装。
技术介绍
近年来信息技术的高速发展，推动集成电路的超大规模化和多功能化，寻求性能优异的封装材料成为人们关注的焦点；MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃，具有热膨胀系数低、介电性能优异等特点，但是存在机械性能差、烧结温度高等难题。例如，JournalofNon-CrystallineSolids，2015，419：16-26报道，K2O对镁铝硅系微晶玻璃性能的影响，该微晶玻璃组分按质量百分比如下：MgO为21.60mol％、Al2O3为21.61mol％、SiO2为54.00mol％、K2O为2.79mol％；混料于1550℃熔融保温6h，用PVA造粒成型并在925℃下烧结6h，得到的综合性能最优；其抗弯强度为145MPa，热膨胀系数为5.63×10-6/℃，介电常数为7.51(@10MHz)，介质损耗为14×10-3(@10MHz)，不足之处是抗弯强度偏低，热膨胀系数和介电损本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料，其特征在于，其组成如下：/nMgO：15～19wt％；/nAl

【技术特征摘要】
1.一种低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料，其特征在于，其组成如下：
MgO：15～19wt％；
Al2O3：26～30wt％；
SiO2：46～50wt％；
ZrO2：2～6wt％；
B2O3：1～5wt％；
K2O：1～3wt％。


2.按权利要求1所述低热膨胀堇青石基微晶玻璃材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：以MgO、Al2O3、SiO2、ZrO2、B2O3、K2O为组份设计配方，按照配比...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，高陈熊，赵翔浔，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51