一种惰性气体纯化催化剂、原料组合物及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种惰性气体纯化催化剂、原料组合物及制备方法，所述惰性气体纯化催化剂，包括活性组分、助剂、载体和粘结剂，所述活性组分包括Ni的氧化物、V的氧化物和Zn的氧化物，所述助剂包括Cr的化合物、P的化合物和As的化合物中的一种或两种以上的混合。本发明专利技术具有以下优点：本发明专利技术通过合理选择催化剂的活性组分，活性组分为非贵金属，生产成本相对较低，有利于对不同杂质气体的深度脱除，催化剂具有比表面积大，活性组分分布均匀，活性组分颗粒较小，活性较高，有利于减少催化剂的用量，节省运行费用等。本发明专利技术不仅适用于氢气、氧气、氮气、氩气、氦气、氖气等大宗气体，还适用于化工领域的乙烯、丙烯等有机气体的纯化。

【技术实现步骤摘要】
一种惰性气体纯化催化剂、原料组合物及制备方法
本专利技术涉及一种高纯气体纯化
，具体涉及一种惰性气体纯化催化剂、原料组合物及制备方法。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，单晶硅和多晶硅等半导体材料的生产也显得特别重要。在晶体生长过程中，需要向炉内引入惰性气体，稳定炉压，并且带走挥发物及氧化物等杂质，提高晶体生长的稳定性及产品品质。而对惰性气体的纯度要求越来越高，从刚开始的99.999％到目前的99.9999999％过程中，对气体纯化材料的要求越来越高。而气体工业生产中农应用的脱除杂质的方法有两类。一种是催化加吸附的方法，其工作原理为将气体中还原性杂质，如氢气、一氧化碳等在催化剂的作用下与氧化剂发生反应生产水和二氧化碳，再利用分子筛、脱氧剂等传统吸附剂脱除气体中的水、二氧化碳和未完全反应的氧气。但是该方法前段使用催化剂一般为钯、铂、钌等贵金属为活性组分，其生产成本较高。同时，催化剂的使用条件苛刻，需要严格要求还原气体和氧化剂的配比，以及气体中必须保证不含硫化物等对催化剂易产生不可逆中毒的成分。而该方法后端需要配置吸附剂脱除水、二氧化碳以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种惰性气体纯化催化剂，包括活性组分、助剂、载体和粘结剂，其特征在于：所述活性组分包括Ni的氧化物、V的氧化物和Zn的氧化物，所述助剂包括Cr的化合物、P的化合物和As的化合物中的一种或两种以上的混合。/n

【技术特征摘要】
1.一种惰性气体纯化催化剂，包括活性组分、助剂、载体和粘结剂，其特征在于：所述活性组分包括Ni的氧化物、V的氧化物和Zn的氧化物，所述助剂包括Cr的化合物、P的化合物和As的化合物中的一种或两种以上的混合。


2.根据权利要求1所述的惰性气体纯化催化剂，其特征在于：所述助剂包括Cr的化合物和/或P的化合物。


3.根据权利要求2所述的惰性气体纯化催化剂，其特征在于：包括活性组分20～85重量份、助剂1～30重量份、催化剂载体8～70重量份和粘结剂2～12重量份。


4.根据权利要求3所述的惰性气体纯化催化剂，其特征在于：包括活性组分55～75重量份、助剂4～12重量份、催化剂载体10～20重量份和粘结剂2～12重量份。


5.根据权利要求3或4所述的惰性气体纯化催化剂，其特征在于：所述活性组分包括Ni的氧化物18～60重量份、V的氧化物10～35重量份和Zn的氧化物1～4重量份；所述助剂包括Cr的化合物1～10重量份、P的化合物0～3重量份和As的化合物占0～3重量份。


6.根据权利要求5所述的惰性气体纯化催化剂，其特征在于：所述活性组分包括Ni的氧化物29～60重量份、V的氧化物10～30重量份和Zn氧化物1.5～3.3重量份；所述助剂包括Cr的化合物5～8重量份、P的化合物0～2重量份和As的化合物0～2重量份。


7.一种惰性气体纯化催化剂的原料组合物，其特征在于：用于制备权利要求1至6中任意一项所述的惰性气体纯化催化剂，包括活性组分原料和助剂原料，所述活性组分原料包括Ni的化合物、V的化合物和Zn的化合物，所述助剂原料包括Cr的化合物、P的化合物和As的...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯鹏，李文强，韩江江，钱吉，李世海，高嵩，杨瑞云，赵艳东，
申请(专利权)人：大连华邦化学有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21