双管芯器件测试电路及系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种双管芯器件测试电路及系统。双管芯器件测试电路包括待测器件、电压源和开关电路。电压源包中的第一浮动电压源包括第一驱动电压输出端、第一感应电压输出端和第一公共电压输出端，第二浮动电压源包括第二驱动电压输出端、第二感应电压输出端和第二公共电压输出端。开关电路包括多个开关管，每一输出端与开关管一一对应电连接，第一驱动电压输出端通过开关管可与第一管芯的栅极电连接，第一感应电压输出端通过开关管可与第一管芯的源极以及第二公共电压输出端分别电连接，第二驱动电压输出端通过开关管可与第二管芯的栅极电连接，第二感应电压输出端通过开关管可与第二管芯的源极以及第一公共电压输出端分别电连接。

【技术实现步骤摘要】
双管芯器件测试电路及系统
本技术涉及半导体集成电路测试
，特别是涉及一种双管芯器件测试电路及系统。
技术介绍
在集成电路测试领域，常规的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应管)晶圆的测试，需要配置有模拟电压/电流源表的自动测试设备和载放晶圆的专用设备—探针台。从吸盘(Chuck台)的同一点引出两根导线，分别作为MOSFET衬底漏极的驱动电压和感应电压信号线。MOSFET晶圆的顶面是各个管芯的源极、栅极，通过探针卡将这些电极引出，探针分别设置为驱动电压信号和感应电压信号探针。但对于双管芯的DualGate(双栅)MOSFET器件，器件晶圆的顶面是一颗双管芯的源极、栅极，而器件的漏极属于厚片产品，漏极表面会有很大的电阻Rb，同时还有漏极衬底与吸盘的接触电阻Rc等因素，器件工艺特性，如果从吸盘施加电压或者电流至漏极，因为Rb和Rc问题，电压与电流是无法正常流过到器件端，所以按照常规的测试方法无法进行搭接，测试参数使用新的测试方法来解决，测试需要两套硬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双管芯器件的测试电路，其特征在于，包括：/n待测器件，包括第一管芯和第二管芯；/n电压源，包括第一浮动电压源和第二浮动电压源，其中所述第一浮动电压源包括第一驱动电压输出端、第一感应电压输出端和第一公共电压输出端，所述第二浮动电压源包括第二驱动电压输出端、第二感应电压输出端和第二公共电压输出端；以及/n开关电路，包括多个开关管，每一所述输出端与所述开关管一一对应电连接，所述第一驱动电压输出端通过所述开关管可与所述第一管芯的栅极电连接，所述第一感应电压输出端通过所述开关管可与所述第一管芯的源极以及所述第二公共电压输出端分别电连接，所述第二驱动电压输出端通过所述开关管可与所述第二管芯的栅极电...

【技术特征摘要】
1.一种双管芯器件的测试电路，其特征在于，包括：
待测器件，包括第一管芯和第二管芯；
电压源，包括第一浮动电压源和第二浮动电压源，其中所述第一浮动电压源包括第一驱动电压输出端、第一感应电压输出端和第一公共电压输出端，所述第二浮动电压源包括第二驱动电压输出端、第二感应电压输出端和第二公共电压输出端；以及
开关电路，包括多个开关管，每一所述输出端与所述开关管一一对应电连接，所述第一驱动电压输出端通过所述开关管可与所述第一管芯的栅极电连接，所述第一感应电压输出端通过所述开关管可与所述第一管芯的源极以及所述第二公共电压输出端分别电连接，所述第二驱动电压输出端通过所述开关管可与所述第二管芯的栅极电连接，所述第二感应电压输出端通过所述开关管可与所述第二管芯的源极以及所述第一公共电压输出端分别电连接。


2.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，还包括两个辅助电源，每一所述辅助电源串联设置于一个所述管芯的栅极与源极之间。


3.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述开关管为电子继电器。


4.如权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述开关电路为电子继电器选择开关矩阵。


5.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，还包括：
两个电压表，每一所述电压表串联在一个所述MOS管的栅极与源极之间；和
电流表，串联在所述第一管芯的源极与所述第二管芯的源极之间。


6.一种双管芯器件测试系统，其特征在于，包括多个双管芯器件测试电路和测试机台，所述双管芯器件测...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝瑞庭，宋利鹏，
申请(专利权)人：北京华峰测控技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11