显示装置制造方法及图纸

提供如下：一种高清晰的显示装置；一种功耗低的显示装置；一种可靠性高的显示装置；一种可见度高的显示装置。该显示装置包括含有金属氧化物的晶体管、第一导电层、第二导电层以及第三导电层，晶体管的沟道宽度为30μm以上且1000μm以下，晶体管包括大于2且50以下的半导体层，每个半导体层包括第一区域、第二区域以及在从顶面看时被夹在第一区域与第二区域之间的沟道形成区域，该沟道形成区域包括与第一导电层重叠的区域，第一区域与第二导电层重叠而不与第一导电层重叠，第二区域与第三导电层重叠而不与第一导电层重叠，第三导电层具有透射可见光的功能，并且上述重叠的第二区域与第三导电层具有透射可见光的功能。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置
本专利技术的一个方式涉及一种显示装置、显示模块及电子设备。尤其是，本专利技术的一个方式特别涉及液晶显示装置。注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本专利技术的一个方式的
的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如，触摸传感器等)、输入输出装置(例如，触摸面板等)以及上述装置的驱动方法或制造方法。
技术介绍
以液晶显示装置及发光显示装置为代表的平板显示器广泛地被用作显示装置。专利文献1公开了显示装置的像素部及驱动电路的一个例子。此外，近年已开发出将使用金属氧化物的晶体管用于显示装置的像素的技术。专利文献2已公开将作为半导体材料使用金属氧化物的晶体管用于显示装置的像素的开关元件等的技术。[先行技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利申请公开第2014-052634号公报[专利文献2]日本专利申请公开第2011-227477号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置包括：/n晶体管、第一导电层、第二导电层以及第三导电层，/n其中，所述晶体管的沟道宽度为30μm以上且1000μm以下，/n所述晶体管包括多个半导体层，/n所述多个半导体层的个数大于2且为50以下，/n所述多个半导体层的每一个包括沟道形成区域、第一区域及第二区域，/n所述多个半导体层的每一个的所述沟道形成区域在从顶面看时被夹在所述第一区域与所述第二区域之间，/n所述多个半导体层的每一个所包括的所述沟道形成区域包含金属氧化物，/n所述金属氧化物至少包含铟或锌，/n所述多个半导体层的每一个所包括的所述沟道形成区域包括与所述第一导电层重叠的区域，/n所述第一区域与所述第二导电层重叠而...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-0667871.一种显示装置包括：
晶体管、第一导电层、第二导电层以及第三导电层，
其中，所述晶体管的沟道宽度为30μm以上且1000μm以下，
所述晶体管包括多个半导体层，
所述多个半导体层的个数大于2且为50以下，
所述多个半导体层的每一个包括沟道形成区域、第一区域及第二区域，
所述多个半导体层的每一个的所述沟道形成区域在从顶面看时被夹在所述第一区域与所述第二区域之间，
所述多个半导体层的每一个所包括的所述沟道形成区域包含金属氧化物，
所述金属氧化物至少包含铟或锌，
所述多个半导体层的每一个所包括的所述沟道形成区域包括与所述第一导电层重叠的区域，
所述第一区域与所述第二导电层重叠而不与所述第一导电层重叠，
所述第二区域与所述第三导电层重叠而不与所述第一导电层重叠，
所述第三导电层透射可见光，
并且...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰高耕平，楠纮慈，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP