【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置的制造方法以及显示装置
本专利技术涉及一种显示装置的制造方法以及显示装置。
技术介绍
构成显示装置的有源矩阵基板的制造工序包括容易产生静电的工序。所产生的静电使有源矩阵基板内的各种布线的一部分带电,从而使绝缘的布线之间产生高电压。若上述高电压变得比使布线之间绝缘的绝缘膜的绝缘耐压高,则产生静电放电(ElectrostaticDischarge。以下称为“ESD”。)。若产生ESD,则布线之间的绝缘膜被破坏,造成这些布线之间短路,其结果无法使显示装置正常动作。在专利文献1公开有使用氧化物半导体膜的技术作为针对ESD的对策。在该技术中,通过导体的氧化物半导体膜使最终应该绝缘的布线之间短路至制造工序的中途阶段为止。其后,通过对用于保护氧化物半导体膜的钝化膜进行退火,从而使氧化物半导体膜由导体变化为半导体,使上述布线之间绝缘。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开专利公报“WO2017/170219A1(2017年10月5日公开)”
技术实现思路
本专利技术所要解 ...
【技术保护点】
1.一种显示装置的制造方法,所述显示装置具备:/n显示区域;/n边框区域,其位于所述显示区域的周边;/n从所述显示区域至所述边框区域设置的多个控制线、与所述多个控制线平行的多个电源线以及与所述多个控制线交叉的多个数据信号线;/n控制电路,其配置为在所述边框区域中与所述多个控制线垂直的方向上作为长边方向,并对所述多个控制线输入控制信号;以及/n分别依次层叠的基底绝缘膜、形成所述多个控制线的第一金属层、第一绝缘膜、形成所述多个电源线的第二金属层、第二绝缘膜以及形成所述多个数据信号线的第三金属层,/n所述多个控制线在所述边框区域中经由所述第二金属层或者第三金属层而与所述控制电路电 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置的制造方法,所述显示装置具备:
显示区域;
边框区域,其位于所述显示区域的周边;
从所述显示区域至所述边框区域设置的多个控制线、与所述多个控制线平行的多个电源线以及与所述多个控制线交叉的多个数据信号线;
控制电路,其配置为在所述边框区域中与所述多个控制线垂直的方向上作为长边方向,并对所述多个控制线输入控制信号;以及
分别依次层叠的基底绝缘膜、形成所述多个控制线的第一金属层、第一绝缘膜、形成所述多个电源线的第二金属层、第二绝缘膜以及形成所述多个数据信号线的第三金属层,
所述多个控制线在所述边框区域中经由所述第二金属层或者第三金属层而与所述控制电路电连接,
所述显示装置的制造方法的特征在于,包括:
基底绝缘膜工序,形成所述基底绝缘膜;
第一金属层工序,通过使所述第一金属层成膜并对该第一金属层进行图案化,从而形成所述多个控制线,并且在所述控制电路以及所述显示区域各自的形成位置的间隙中,形成从各控制线朝向邻接的控制线分叉的第一金属层分支线;
第一绝缘膜工序,通过使所述第一绝缘膜成膜并对该第一绝缘膜进行图案化,从而以与所述第一金属层分支线重叠的方式在所述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第一开口部;
第二金属层工序,通过使所述第二金属层成膜并对该第二金属层进行图案化,从而形成所述多个电源线,并且在所述间隙中,形成从各电源线分叉的第二金属层分支线以及经由所述第一绝缘膜第一开口部与所述第一金属层分支线连接的第二金属层连接部;
第二绝缘膜工序,通过使所述第二绝缘膜成膜并对该第二绝缘膜进行图案化,从而以使所述第一绝缘膜第一开口部、所述第二金属层分支线的一部分以及所述第二金属层连接部的一部分露出的方式在所述第二绝缘膜形成第二绝缘膜第一开口部;以及
第三金属层工序,使所述第三金属层成膜并对该第三金属层进行图案化,并且对形成于所述第一绝缘膜第一开口部的第一金属层分支线、形成于所述第二绝缘膜第一开口部的第二金属层分支线以及所述第二金属层连接部进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
彼此相邻的所述多个控制线共用所述第一金属层分支线。
3.根据权利要求1或2所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
所述第一金属层分支线的与延伸的方向垂直的宽度小于第一绝缘膜第一开口部的在该方向上的宽度。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述第三金属层工序中,使所述第二金属层分支线与所述第二金属层连接部切割。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述第二金属层工序中,在从所述第二金属层分支线至所述第二金属层连接部的一部分形成颈部。
6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述第三金属层工序中,也对形成有所述颈部的部分进行蚀刻。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述第一绝缘膜工序中,以与所述第一金属层分支线重叠的方式在所述第一绝缘膜形成第一绝缘膜第二开口部,
在所述第二金属层工序中,以包括所述第一绝缘膜第二开口部的方式形成岛状第二金属层,
在所述第二绝缘膜工序中,以包括所述第一绝缘膜第二开口部并被所述岛状第二金属层包围的方式在所述第二绝缘膜形成第二绝缘膜第二开口部,
在所述第三金属层工序中,对形成于所述第一绝缘膜第二开口部的所述第一金属层分支线以及形成于所述第二绝缘膜第二开口部的所述岛状第二金属层进行蚀刻。
8.根据权利要求7所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述第一金属层工序中,在露出于所述第一绝缘膜第二开口部的位置的所述第一金属层分支线形成颈部。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于,
在所述基底绝缘膜工序和所述第一金属层工序之间包括:
半导体层工序,通过使半导体层成膜并对该半导体层进行图案化,从而形成所述半导体层;和
栅极绝缘膜工序,成膜栅极绝缘膜,
在所述半导体层工序中,在跨过所述第二金属层分支线和所述第二金属层连接部的位置形成在所述半导体层形成的第一岛状半导体层,
在所述第一绝缘膜工序中,以与所述第一岛状半导体层重叠的方式在所述栅极绝缘膜以及所述第一绝缘膜形成两层绝缘膜第一开口部以及两层绝缘膜第二开口部,
在所述第二金属层工序中,将所述第二金属层分支线和所述第二金属层连接部切割而形成,
所述第二金属层分支线经由所述两层绝缘膜第一开口部而与第一岛状半导体层连接,
所述第二金属层连接部经由所述两层绝缘膜第二开口部而与第一岛状半导体层连接,
所述第二金属层分支线和所述第二金属层连接部经由所述第一岛状半导体层而电连接,
在所述第二绝缘膜工序中,以还包括所述两层绝缘膜第一开口部以及所述两层绝缘膜第二开口部的至少一个的方式形成所述第二绝缘膜第一开口部,或者形成包括所述两层绝缘膜第一开口部以及所述两层绝缘膜第二开口部的至少一个的第二绝缘膜第一分离开口部,
在所述第三金属层工序中,对形成于所述第二绝缘膜第一分离开口部的所述第二金属层分支线或者所述第二金...
【专利技术属性】
技术研发人员:冈部达,斋田信介,市川伸治,谷山博己,郡司辽佑,有贺广司,仲田芳浩,谷村康治,小原义博,神村浩治,井上彬,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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