【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固化密封体的防翘曲用层叠体、以及固化密封体的制造方法
本专利技术涉及固化密封体的防翘曲用层叠体、以及固化密封体的制造方法。
技术介绍
近年来,电子设备的小型化、轻质化及高功能化得到发展,半导体芯片有时被安装于与其尺寸接近的封装件。这样的封装有时也被称为CSP(ChipScalePackage,芯片级封装)。作为CSP,可列举:以晶片尺寸进行处理直至封装最终工序而完成封装的WLP(WaferLevelPackage,晶片级封装)、以大于晶片尺寸的面板尺寸进行处理直至封装最终工序而完成封装的PLP(PanelLevelPackage,面板级封装)等。WLP及PLP分为扇入(Fan-In)型和扇出(Fan-Out)型。在扇出型的WLP(以下也称为“FOWLP”)及PLP(以下也称为“FOPLP”)中,将半导体芯片用密封材料进行覆盖而成为大于芯片尺寸的区域,以形成半导体芯片的固化密封体,从而不仅在半导体芯片的电路面、在密封材料的表面区域也会形成再布线层及外部电极。FOWLP及FOPLP例如可经由下述工序而制造:将多个半导体芯片载置于临时固定用片上的载置工序;用热固性的密封材料进行包覆的包覆工序;使该密封材料热固化而得到固化密封体的固化工序;将该固化密封体与临时固定用片分离的分离工序;以及在露出的半导体芯片侧的表面形成再布线层的再布线层形成工序(以下,也将在包覆工序及固化工序中进行的加工称为“密封加工”)。专利文献1中公开了一种电子部件切断时的临时固定用加热剥离型粘合片,其是在基材的至少一面设置含有热膨 ...
【技术保护点】
1.一种固化密封体的防翘曲用层叠体,其具有:/n包含热固性树脂层(X1)的固化性树脂层(I)、和/n支撑固化性树脂层(I)的支撑层(II),/n热固性树脂层(X1)直接层叠于支撑层(II),/n固化性树脂层(I)相对于测定用被粘附物的剪切强度以下述值计为20N/(3mm×3mm)以上,所述值是以具备3mm×3mm的镜面的厚度350μm的硅芯片为所述测定用被粘附物,在温度70℃下、以130gf将所述测定用被粘附物的镜面按压1秒钟而粘贴至所述固化性树脂层,以速度200μm/s进行测定时的值,/n所述固化密封体是用密封材料在固化性树脂层(I)的第1表面将密封对象物密封而制造的,所述第1表面是与支撑层(II)为相反侧的表面。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180330 JP 2018-068725;20180330 JP 2018-0687321.一种固化密封体的防翘曲用层叠体,其具有:
包含热固性树脂层(X1)的固化性树脂层(I)、和
支撑固化性树脂层(I)的支撑层(II),
热固性树脂层(X1)直接层叠于支撑层(II),
固化性树脂层(I)相对于测定用被粘附物的剪切强度以下述值计为20N/(3mm×3mm)以上,所述值是以具备3mm×3mm的镜面的厚度350μm的硅芯片为所述测定用被粘附物,在温度70℃下、以130gf将所述测定用被粘附物的镜面按压1秒钟而粘贴至所述固化性树脂层,以速度200μm/s进行测定时的值,
所述固化密封体是用密封材料在固化性树脂层(I)的第1表面将密封对象物密封而制造的,所述第1表面是与支撑层(II)为相反侧的表面。
2.根据权利要求1所述的防翘曲用层叠体,其中,固化性树脂层(I)为单层的热固性树脂层(X1)。
3.根据权利要求1所述的防翘曲用层叠体,其中,
固化性树脂层(I)包含位于支撑层(II)侧的第1层、和位于所述第1表面侧的第2层,
所述第1层为第1热固性树脂层(X1-1),
所述第2层为表面的粘合力高于第1热固性树脂层(X1-1)的第2热固性树脂层(X1-2)。
4.根据权利要求1所述的防翘曲用层叠体,其中,
固化性树脂层(I)包含位于支撑层(II)侧的第1层、和位于所述第1表面侧的第2层,
所述第1层为热固性树脂层(X1-1),
所述第2层为能量射线固化性树脂层(X2)。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的防翘曲用层叠体,其中,固化性树脂层(I)的厚度为1~500μm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的防翘曲用层叠体,其中,
支撑层(II)具有基材(Y)及粘合剂层(V),基材(Y)及粘合剂层(V)中的至少一者包含膨胀性粒子,
通过使所述膨胀性粒子膨胀的处理,所述防翘曲用层叠体在支撑层(II)和使固化性树脂层(I)固化...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤明德,高丽洋佑,阿久津高志,垣内康彦,冈本直也,山田忠知,中山武人,
申请(专利权)人:琳得科株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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