【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示装置
本公开涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)、量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodes，QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点，是当今电致发光显示装置应用研究领域的热点之一。
技术实现思路
本公开实施例提供的阵列基板，包括：衬底基板，包括多个子像素；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：有源层，位于所述衬底基板一侧；栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；层间绝缘层，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧；源漏极层，位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧；第一平坦层，位于所述源漏极层背离所述衬底基板一侧；阳极，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧；其中，所述阳极包括：反射层，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其中，包括：/n衬底基板，包括多个子像素；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：/n有源层，位于所述衬底基板一侧；/n栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；/n栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；/n层间绝缘层，位于所述栅极层背离所述衬底基板一侧；/n源漏极层，位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧；/n第一平坦层，位于所述源漏极层背离所述衬底基板一侧；/n阳极，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧；/n其中，所述阳极包括：/n反射层，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述反射层包括间隔设置的多个反射部；/n第二平坦层，位于所述反...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其中，包括：
衬底基板，包括多个子像素；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：
有源层，位于所述衬底基板一侧；
栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；
栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；
层间绝缘层，位于所述栅极层背离所述衬底基板一侧；
源漏极层，位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧；
第一平坦层，位于所述源漏极层背离所述衬底基板一侧；
阳极，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧；
其中，所述阳极包括：
反射层，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述反射层包括间隔设置的多个反射部；
第二平坦层，位于所述反射层背离所述衬底基板一侧，且所述第二平坦层覆盖所述反射层和所述衬底基板；
第一透明电极层，位于所述第二平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述第一透明电极层包括间隔设置的多个第一电极；其中，同一所述子像素中，所述第一电极在所述衬底基板的正投影与所述反射部在所述衬底基板的正投影至少存在交叠区域。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一透明电极层在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上的厚度为8～40nm；和/或，
所述阵列基板还包括：位于所述第一透明电极层背离所述衬底基板一侧的像素限定层，其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影至少覆盖相邻两行子像素中的反射部在所述衬底基板的正投影之间的第一间隙以及相邻两行子像素中的第一电极在所述衬底基板的正投影之间的第二间隙。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一电极包括间隔设置的多个第一子电极；其中，同一所述子像素中，各所述第一子电极在所述衬底基板的正投影分别与所述反射部在所述衬底基板的正投影交叠；
所述开口暴露各所述第一子电极中与所述反射部交叠的部分。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其中，所述反射部包括间隔设置的多个反射导电部；其中，一个所述第一子电极在所述衬底基板的正投影与一个所述反射导电部在所述衬底基板的正投影交叠；或者，
同一子像素中，所述反射部在所述衬底基板的正投影覆盖所述开口在所述衬底基板的正投影。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，在所述反射部包括间隔设置的多个反射导电部时，所述第二平坦层还包括间隔设置的多个第一过孔；其中，一个第一子电极对应至少一个所述第一过孔；
同一所述子像素中，所述第一子电极与对应的所述反射导电部通过所述第一过孔电连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵德江，董学，黄维，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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