薄膜晶体管、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管漏电流较大的技术问题。本公开的薄膜晶体管包括：基底、位于基底上的有源层、栅极、源极和漏极；栅极具有一个或多个中空结构；栅极由中空结构划分为多个电连接的子栅极；每个子栅极在基底上的正投影均与有源层在基底上的正投影部分重叠。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示基板及显示装置
本公开属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管作为显示装置中重要的电学器件，其性能的优劣直接影响显示装置的显示效果及使用寿命。专利技术人发现相关技术中至少存在如下问题：目前的显示装置中的薄膜晶体管在截止状态下，其漏电流较大，使得显示画面容易出现残影不良，影响显示效果。并且在使用过程中，薄膜晶体管中如果仅一小部分电路发生故障，容易导致整个薄膜晶体管乃至相邻的其他薄膜晶体管均不能正常使用，影响薄膜晶体管以及显示装置的使用寿命。
技术实现思路
本公开旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一，提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。解决本公开技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括：基底、位于基底上的有源层、栅极、源极和漏极；所述栅极具有一个或多个中空结构；所述栅极由所述中空结构划分为多个电连接的子栅极；每个所述子栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上的正投影部分重叠。可选地，多个所述子栅极均设置于所述有源层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底、位于基底上的有源层、栅极、源极和漏极；/n所述栅极具有一个或多个中空结构；所述栅极由所述中空结构划分为多个电连接的子栅极；每个所述子栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上的正投影部分重叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基底、位于基底上的有源层、栅极、源极和漏极；
所述栅极具有一个或多个中空结构；所述栅极由所述中空结构划分为多个电连接的子栅极；每个所述子栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上的正投影部分重叠。


2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，多个所述子栅极均设置于所述有源层远离所述基底的一侧，且均与所述有源层绝缘设置。


3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，多个所述子栅极为一体成型结构。


4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括多个沟道区，每个所述沟道区两侧均设置有源极接触区和漏极接触区；所述沟道区的数量与所述子栅极的数量相等；
所述源极接触区和所述漏极接触区的离子掺杂浓度均大于所述沟道区的离子掺杂浓度。


5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李彦生，权基瑛，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11