一种陶瓷电容器及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种陶瓷电容器，其包括陶瓷介质基体、第一电极层与第二电极层；所述陶瓷介质基体的上表面、下表面均设有至少一个表面加工部，所述表面加工部包括凸起部和/或凹陷部；所述第一电极层的下表面与所述陶瓷介质基体的上表面贴合，所述第二电极层的上表面与所述陶瓷介质基体的下表面贴合。本发明专利技术还公开了一种陶瓷电容器加工方法。本发明专利技术提供的陶瓷电容器及其加工方法，通过对陶瓷介质基体的双面进行加工，使其获得能够增加表面面积的表面加工部，比表面积增加，有效提升了陶瓷电容器的容值。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷电容器及其加工方法
本专利技术涉及电容器
，尤其是涉及一种陶瓷电容器及其加工方法。
技术介绍
陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等的优点，广泛用于电子电路中，用量十分可观。随着生产规模的不断发展，需要提高陶瓷电容器的容值上限来满足不同的生产场景要求。现如今，提高陶瓷电容器容值的方法为：更换陶瓷基板材料。通过选择具有高介电常数的陶瓷基板作为原材料，对其进行生产加工来得到高容量的陶瓷电容器。然而，一方面，现有市场中具有高介电常数的陶瓷基板材料的种类较少，选择空间较低；另一方面，这种方法会导致元器件过度依赖于新材料的研发，而新材料的研发是一个十分复杂的过程，需要耗费较长的时间周期与较高的研发成本，导致产出的陶瓷电容器不符合现如今的生产成本与批量发展的要求。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种陶瓷电容器及其加工方法，以解决现有陶瓷电容器的容值提升过度依赖于陶瓷基板材料的技术问题，无需更换陶瓷基板材料，通过对陶瓷介质基体的双面进行加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷电容器，其特征在于，包括陶瓷介质基体、第一电极层与第二电极层；/n所述陶瓷介质基体的上表面、下表面均设有至少一个表面加工部，所述表面加工部包括凸起部和/或凹陷部；/n所述第一电极层的下表面与所述陶瓷介质基体的上表面贴合，所述第二电极层的上表面与所述陶瓷介质基体的下表面贴合。/n

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷电容器，其特征在于，包括陶瓷介质基体、第一电极层与第二电极层；
所述陶瓷介质基体的上表面、下表面均设有至少一个表面加工部，所述表面加工部包括凸起部和/或凹陷部；
所述第一电极层的下表面与所述陶瓷介质基体的上表面贴合，所述第二电极层的上表面与所述陶瓷介质基体的下表面贴合。


2.如权利要求1所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述凸起部和/或所述凹陷部的截面为半圆形。


3.如权利要求1所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述凸起部和/或所述凹陷部的截面为矩形。


4.如权利要求1所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷介质基体上表面的表面加工部，与所述陶瓷介质基体下表面的表面加工部，相对于所述陶瓷介质基体的长度方向对称设置。


5.如权利要求1所述的陶瓷电容器，其特征在于，所述陶瓷介质基体上表面的表面加工部...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨曌，罗俊尧，李保昌，李淑华，沓世我，
申请(专利权)人：广东风华高新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44