一种高纯钽锭及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高纯钽锭及其制备方法。其特点是，包括如下步骤：(1)将高熔点金属杂质含量较低的钽粉成型；(2)在真空下高温烧结制得钽棒、钽条或者钽块，采用同样纯度的钽丝制备真空电子束熔炼用的熔炼电极；(3)采用真空电子束熔炼炉进行至少两次熔炼，要求第一次熔炼采用水平进料或者垂直进料方式，在第二次或者第二次以后的熔炼均采用垂直进料方式；在进行第二次或者第二次以后的电极熔炼时要求电极旋转，控制旋转速度为0.3‑0.8r/min。通过熔炼的工艺控制，其熔炼的钽铸锭纯度高，尤其间隙杂质元素C、O、N、H较低，其铸锭硬度低，气孔、疏松、缩孔等缺陷少，适于压力加工制备钽靶材等高端加工材。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯钽锭及其制备方法
本专利技术涉及一种高纯钽锭及其制备方法。
技术介绍
钽是工业上的重要金属材料，它的熔点高，耐腐蚀性好，应用在很宽的领域，主要用作电解电容器的烧结阳极的钽粉和钽丝，制做高温真空炉的发热体和保温层等结构材料以及化工防腐蚀材料，高温合金、硬质合金和超级合金。钽金属具有优良的电介性能、化学稳定性、导热性和特殊的抗蚀性能，因此其靶材可用作为电子材料、溅射膜材料和耐蚀材料，在微电子产业、平面显示器、光碟、磁头磁盘等方面都得到了十分广泛的应用。高纯难熔金属Ta作为布线材料、溅射靶材等在大规模集成电路中的应用引起各国的重视，认为是极具有发展前途的微电子材料。靶材的制备技术按照主要加工过程可分为“熔炼+热机械化处理”和“粉末烧结+热机械化处理”两大技术路线，其中钽靶材的制备主要是采用熔炼+热机械化处理的方法，对钽铸锭进行锻造、轧制和热处理等热机械化处理技术进行微观组织控制和坯料成型。高纯钽箔用制作钽电容器的外壳，用于全钽电容器的封装，主要在高可靠的军用钽电容中应用，要求钽箔的冲压性能和较高的纯度，钽箔要求无微裂纹等缺陷是首要要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯钽锭，由Ta和杂质组成，按照质量百分比计Ta≥99.999％。/n

【技术特征摘要】
20191230 CN 20191139687571.一种高纯钽锭，由Ta和杂质组成，按照质量百分比计Ta≥99.999％。


2.如权利要求1所述的一种高纯钽锭，其特征在于：其中杂质中的Nb≤2ppm，W≤1ppm，Mo≤1ppm，U≤0.001ppm，Th≤0.001ppm，S＜0.015ppm，Si≤0.08ppm，C≤10ppm，O≤15ppm，N≤15ppm，H≤2ppm，和其它不可避免的杂质，除C、O、N、H气体杂质外，金属杂质总和不超过10ppm。


3.如权利要求1所述的一种高纯钽锭，其特征在于：铸锭硬度HV/9.8N≤85。


4.如权利要求1所述的一种高纯钽锭，其特征在于：其中铸锭采用超声波探伤检测，控制间隔大于50mm，波高大于当量，缺陷率≤1％。


5.如权利要求1所述的一种高纯钽锭，其特征在于：其中铸锭密度为16.5～16.6g/cm3。


6.一种高纯钽锭的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将高熔点金属杂质含量较低的钽粉成型；
(2)在真空下高温烧结制得钽棒、钽条或者钽块，采用同样纯度的钽丝制备真空电子束熔炼用的熔炼电极；
(3)采用真空电子束熔炼炉进行至少两次熔炼，要求第一次熔炼采用水平进料或者垂直进料方式，在第二次或者第二次以后的熔炼均采用垂直进料方式；
在进行第二次或者第二次以后的电极熔炼时要求电极旋转，控制旋转速度为0.3...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟景明，白掌军，颉维平，焦红忠，牟东，石晓军，
申请(专利权)人：宁夏东方钽业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏;64