一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路，包括二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2，所述二极管D2的阳极接于充电器/电源的电源VD，所述二极管D2的阴极与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与驱动电路连接，所述电容C1的一端连接于充电器/电源的正极输出端。本实用新型专利技术的有益效果是：采用简单的电路产生驱动电源，成本较低，占用面积较小，方便PCB的布局。

【技术实现步骤摘要】
一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路
本技术涉及蓄电池充电电路，尤其涉及一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路。
技术介绍
在蓄电池充电领域，为保护充电器/电源内部电路需要在接口处加防反灌电流二极管DF，见图1。这个防反灌电流二极管DF可以放在充电器/电源外部也可以放在其内部，生产充电系统厂家越来越倾向于将这个二极管放到充电器/电源内部。如此以来，这个防反灌电流二极管DF所产生的功率损耗大大降低了充电器/电源的整体转换效率。为提升效率可以在此二极管两端并联继电器，如图2，在二极管导通以后就将继电器吸合，充电电流被继电器旁路只有很少部份流经过二极管，二极管的损耗就会大幅减小。也可以将防反灌电流二极管DF以MOS管SF代替，如图3，当MOS管的体二极管导通后就在SF的栅源两极之间加正向的驱动电压，充电电流流经MOS管的导电沟道，可以将导通压降显著降低，从而也能起到降低损耗的功效。无论是在防反灌电流二极管DF两端并联继电器，还是以MOS管SF替代防反灌电流二极管DF都需要一个驱动电源。以后者为例，此驱动电源以充电器/电源的输出正极为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路，其特征在于：包括二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2，所述二极管D2的阳极接于充电器/电源的电源VD，所述二极管D2的阴极与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与驱动电路连接，所述电容C1的一端连接于充电器/电源的正极输出端，充电器/电源的正极输出端的电压为Vo，所述电容C1的另一端连接于所述二极管D1的阴极、驱动电路之间，所述电容C2的一端连接于充电器/电源的某节点，所述节点的电压为Vn，所述电容C2的另一端连接于所述二极管D2的阴极、二极管D1的阳极之间，电容C1两端的电压即是所需的驱动电压，电容C1负责存储电荷，保证此驱动电压的...

【技术特征摘要】
1.一种防反灌电流MOS管驱动电源产生电路，其特征在于：包括二极管D1、二极管D2、电容C1、电容C2，所述二极管D2的阳极接于充电器/电源的电源VD，所述二极管D2的阴极与所述二极管D1的阳极连接，所述二极管D1的阴极与驱动电路连接，所述电容C1的一端连接于充电器/电源的正极输出端，充电器/电源的正极输出端的电压为Vo，所述电容C1的另一端连接于所述二极管D1的阴极、驱动电路之间，所述电容C2的一端连接于充电器/电源的某节点，所述节点的电压为Vn，所述电容C2的另一端连接于所述二极管D2的阴极、二极管D1的阳极之间，电容C1两端的电压即是所需的驱动电压，电容C1负责存储电荷，保证此驱动电压的稳定，此驱动电压能够产生的前提，是要在充电器/电源内部找到一个节点n，其电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟宇明，
申请(专利权)人：深圳职业技术学院，
类型：新型
国别省市：广东;44