一种充放电MOS保护电路制造技术

本实用新型专利技术一种充放电MOS保护电路，包括电池以及保护电路，所述保护电路包括电流取样电阻RS、放电控制mosQD、充电控制mosQC，还包括放电mos保护稳压管ZD、放电mos保护电容CD、充电mos保护稳压管ZC、充电mos保护电容CC，其中所述电流取样电阻RS用于CPU测量电流，所述放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC提供限压保护，本实用新型专利技术放电mos保护电容CD以及充电mos保护电容CC具有吸收尖峰能力，与放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC配合保护mos管，切断越快、反压越高，mos切断后，利用对电容的充放电，降低电流变化率，进而降低反压。

【技术实现步骤摘要】
一种充放电MOS保护电路
本技术涉及电池充放电
，尤其涉及一种充放电MOS保护电路。
技术介绍
MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。电池在充放电工程中，如果没有保护的情况下，大电流时切断充电mos或者放电mos时，根据电路理论会形成反压，当反压超出mos管耐压时，会损坏mos管。
技术实现思路
基于上述技术缺陷，本技术提供一种充放电MOS保护电路，放电mos保护电容CD以及充电mos保护电容CC具有吸收尖峰能力，与放电mos保护稳压管ZD以及充电mo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种充放电MOS保护电路，其特征在于：包括电池以及保护电路，所述保护电路包括电流取样电阻RS、放电控制mosQD、充电控制mosQC，还包括放电mos保护稳压管ZD、放电mos保护电容CD、充电mos保护稳压管ZC、充电mos保护电容CC，其中所述电流取样电阻RS用于CPU测量电流，所述放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC提供限压保护，所述电流取样电阻RS与电池电极连接，所述放电控制mosQD与电流取样电阻RS连接，所述放电mos保护稳压管ZD以及放电mos保护电容CD分别与放电控制mosQD连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种充放电MOS保护电路，其特征在于：包括电池以及保护电路，所述保护电路包括电流取样电阻RS、放电控制mosQD、充电控制mosQC，还包括放电mos保护稳压管ZD、放电mos保护电容CD、充电mos保护稳压管ZC、充电mos保护电容CC，其中所述电流取样电阻RS用于CPU测量电流，所述放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC提供限压保护，所述电流取样电阻RS与电池电极连接，所述放电控制mosQD与电流取样电阻RS连接，所述放电mos保护稳压管ZD以及放电mos保护电容CD分别与放电控制mosQD连接。


2.根据权利要求1所述的充放电MOS保护电路，其特征在于：所述充电控制mosQC与电流取样电阻RS连接，...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹成海，
申请(专利权)人：苏州妙益科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32