一种压铸料筒激光强化热处理装置制造方法及图纸

技术编号:26239531 阅读:36 留言:0更新日期:2020-11-06 17:10
本实用新型专利技术公开了一种压铸料筒激光强化热处理装置,包括底座,底座的上方设有顶座,顶座与底座的四角位置之间均设有支撑轴,顶座的顶面设有储物腔;储物腔位置安装有热处理框,热处理框内设有热处理槽;热处理槽内安装有热处理机构,所述热处理机构包括基座,基座上设有定位框,定位框的内部为热处理腔,热处理腔的顶部为开口结构;定位框的内底面设有若干激光发射器,激光发射器连接有连接线,连接线连接有激光器;定位框的顶部一侧设有锁管,定位框的顶部另一侧设有旋转管,旋转管与锁管之间为压铸料筒定位腔。本实用新型专利技术对压铸料筒进行激光强化热处理,大大提高了对压铸料筒进行激光强化热处理的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种压铸料筒激光强化热处理装置
本技术涉及一种热处理装置,特别涉及一种压铸料筒激光强化热处理装置。
技术介绍
半导体激光器也称为半导体激光二极管,或简称激光二极管。由于半导体材料本身物质结构的特异性以及半导体材料中电子运动规律的特殊性,使半导体激光器的工作特性具有其特殊性。半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。其工作原理是通过一定的激励方式,在半导体物质的能带之间,或者半导体物质的能带与杂质能级之间,实现非平衡载流子的粒子数反转,当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种,即电注入式,光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器,一般是由砷化镓、硫化镉、磷化铟、硫化锌等等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射。光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶做工作物质,以其他激光器发出的激光作光泵激励.高能电子束激励式半导体激光器,一般也是用N型或者P型半导体单晶做工作物质,通过由外部注入高能电子束进行激励。现有的激光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压铸料筒激光强化热处理装置,包括底座,底座的上方设有顶座,顶座与底座的四角位置之间均设有支撑轴,顶座的顶面设有储物腔;/n其特征在于:储物腔位置安装有热处理框,热处理框内设有热处理槽;热处理槽内安装有热处理机构,所述热处理机构包括基座,基座上设有定位框,定位框的内部为热处理腔,热处理腔的顶部为开口结构;定位框的内底面设有若干激光发射器,激光发射器连接有连接线,连接线连接有激光器;定位框的顶部一侧设有锁管,定位框的顶部另一侧设有旋转管,旋转管与锁管之间为压铸料筒定位腔。/n

【技术特征摘要】
1.一种压铸料筒激光强化热处理装置,包括底座,底座的上方设有顶座,顶座与底座的四角位置之间均设有支撑轴,顶座的顶面设有储物腔;
其特征在于:储物腔位置安装有热处理框,热处理框内设有热处理槽;热处理槽内安装有热处理机构,所述热处理机构包括基座,基座上设有定位框,定位框的内部为热处理腔,热处理腔的顶部为开口结构;定位框的内底面设有若干激光发射器,激光发射器连接有连接线,连接线连接有激光器;定位框的顶部一侧设有锁管,定位框的顶部另一侧设有旋转管,旋转管与锁管之间为压铸料筒定位腔。


2.根据权利要求1所述的压铸料筒激光强化热处理装置,其特征在于:定位框的顶部一侧设有第一导向筒,锁管套装在第一导向筒的内周面,定位框的顶部另一侧设有第二导向筒,旋转管套装在第二导向筒的内周面,锁管与旋转管之间设有插接轴。


3.根据权利要求2所述的压铸料筒激光强化热处理装置,其特征在于:插接轴的外端设有锁帽,锁帽安装在锁管的前方,旋转管的外端设有手轮,手轮的侧部位置设有操作把。


4.根据权利要求1所述的压铸料筒激光强化热处理装置,其特征在于:基座的底面设有基板,激光发射器安装在基板上;基座的下方设有防护箱,防护箱安装在顶座的底部,防护箱内安装有副液压缸,副液压缸的上部设有副活塞杆,副活塞杆的顶端安装在基板的底部中间位置。

【专利技术属性】
技术研发人员:谢辰孟铁军
申请(专利权)人:无锡德瑞致远新材料科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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