堆叠状的III-V族半导体半成品和制造方法技术

一种堆叠状的III‑V族半导体半成品，所述堆叠状的III‑V族半导体半成品具有衬底、布置在所述衬底上的牺牲层区域、布置在所述牺牲层区域的表面上侧的半导体层区域，其中，所述衬底、所述牺牲层区域和所述半导体层区域分别包括来自III主族的至少一种化学元素和来自V主族的至少一种化学元素，并且所述牺牲层区域与所述衬底以及与所述半导体层在至少一种元素上不同，所述牺牲层区域的蚀刻速率与对于所述衬底的蚀刻速率以及与对于所述半导体层区域的蚀刻速率相差至少因子(10)，所述牺牲层区域与所述衬底以及与所述半导体层区域晶格匹配，所述牺牲层区域包括通过注入产生的至少部分非晶化的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】堆叠状的III-V族半导体半成品和制造方法
本专利技术涉及一种堆叠状的III-V族半导体半成品和一种III-V族半导体半成品制造方法。
技术介绍
如果外延地产生半导体构件(尤其是III-V族半导体构件)，则需要至少在表面上具有合适的晶体结构的载体或生长衬底。根据类型或组成载体的材料，期望重复使用载体。为此，在生长之后，半导体构件必须与载体分离。对此已知的是，例如通过光输入来热分解构造在载体和生长的半导体构件之间的边界面或布置在载体和半导体构件之间的牺牲层区域。接下来可以沿着边界面或沿着牺牲层区域分离载体与半导体构件。例如由DE102005047152A1、DE19640594A1、FR2954002A1、US7785989B2或DE102008019268A1已知相应的半成品和方法。US2006/0185582A1公开一种用于产生和转移半导体薄膜作为用于其他半导体层的起始层的半成品和方法。由US8,785,294B2已知用于硅基构件的相应的半成品和方法。
技术实现思路
在这种背景下，本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，所述堆叠状的III-V族半导体半成品具有：/n衬底(12)；/n牺牲层区域(14)，所述牺牲层区域布置在所述衬底(12)上；/n半导体层区域(16)，所述半导体层区域(16)布置在所述牺牲层区域(14)的表面上；其中，/n所述衬底(12)、所述牺牲层区域(14)和所述半导体层区域(16)分别包括来自III主族的至少一种化学元素和来自V主族的至少一种化学元素；/n其特征在于，/n所述牺牲层区域(14)的至少一部分与所述衬底(12)在至少一种元素上不同，并且与所述半导体层区域(16)的直接布置在所述牺牲层区域的表面上的部分在至少一种元素上不同；/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180326 DE 102018002426.21.一种堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，所述堆叠状的III-V族半导体半成品具有：
衬底(12)；
牺牲层区域(14)，所述牺牲层区域布置在所述衬底(12)上；
半导体层区域(16)，所述半导体层区域(16)布置在所述牺牲层区域(14)的表面上；其中，
所述衬底(12)、所述牺牲层区域(14)和所述半导体层区域(16)分别包括来自III主族的至少一种化学元素和来自V主族的至少一种化学元素；
其特征在于，
所述牺牲层区域(14)的至少一部分与所述衬底(12)在至少一种元素上不同，并且与所述半导体层区域(16)的直接布置在所述牺牲层区域的表面上的部分在至少一种元素上不同；
对于至少用于所述牺牲层区域(14)的一部分的预给定的蚀刻工艺的蚀刻速率与对于所述衬底的蚀刻速率相差至少因子10，以及与对于所述半导体层区域(16)的直接布置在所述牺牲层区域的表面上的部分的蚀刻速率相差至少因子10；
所述牺牲层区域(14)包括通过注入产生的、至少部分地非晶化的层(18)。


2.根据权利要求1所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述蚀刻速率相差至少因子100，或至少相差因子1000。


3.根据权利要求1或2所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述牺牲层(14)包括堆叠状地叠置的多个牺牲层。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述牺牲层区域(14)的至少一部分或整个所述牺牲层区域与所述衬底(12)晶格匹配，并且与所述半导体层区域(16)的至少一部分晶格匹配。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述牺牲层区域(14)包括至少一个层或恰好一个层，并且所述层优选包括以下化合物中的一个或多个或由所述化合物组成：(Al)GaAs、InGaAs、InP、AlAs、GaInP、In18Al82N、In18Al82N。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述非晶化的层(18)布置在所述牺牲层区域(14)的中心附近或在所述牺牲层区域的中心。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述牺牲层区域(14)包括第一牺牲层(14.2)和/或第二牺牲层(14.4)和/或第三牺牲层(14.6)。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述牺牲层区域(14)包括恰好三个牺牲层(14.2，14.4，14.6)，并且两个外部的层(14.2，14.6)包括InGaAs、AlAs、GaInP或AlGaAs或者由InGaAs、AlAs、GaInP或AlGaAs组成，并且中间的牺牲层(14.4)包括GaAs或由GaAs组成。


9.根据权利要求1至8中任一项所述的堆叠状的III-V族半导体半成品(10)，其特征在于，所述牺牲层区域(14)具有0.1μm-10μm或者1μm-3μm的层厚度。


10.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·施特罗布尔，
申请(专利权)人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE