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一种堆叠状的III‑V族半导体半成品，所述堆叠状的III‑V族半导体半成品具有衬底、布置在所述衬底上的牺牲层区域、布置在所述牺牲层区域的表面上侧的半导体层区域，其中，所述衬底、所述牺牲层区域和所述半导体层区域分别包括来自III主族的至少一种...
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