【技术实现步骤摘要】
一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器及其制备方法
本专利技术属于宽禁带半导体器件制备
，具体涉及一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器及其制备方法。
技术介绍
随着对如发动机、地热井、航空航天等领域的探索，人们对应用于恶劣环境下的传感器的需求越来越迫切，特别是高温、高腐蚀性的环境。而现有的Si基半导体传感器在恶劣环境中容易失效，而SiC作为第三代半导体材料，对恶劣环境具有很高的抗性，是制作用于恶劣环境中的传感器的理想材料。此外，现有的压阻式压力传感器容易受到温度的影响，需要额外的器件或电路来消除温度对于压阻式压力传感器准确度及精度的影响。而电容式压力传感器适应能力强，尤其可以承受很大的温度变化，且其可动结构很薄，质量轻，动态响应好，可用于高速变化的参数，如振动、瞬时压力等。由于现有的差动式电容压力传感器的受压膜片多采用金属薄膜或Si基底材料，且不能实现对被测环境的隔离，不能直接与被测环境接触，因此不能工作于具有强腐蚀或高温的环境中。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术...
【技术保护点】
1.一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器，包括自下而上的SiC衬底（1）、p型SiC层（2）、复合层以及上极板（8），其中复合层由下极板（3）、电极（4）、连接电路（5）、绝缘层（6）与焊盘（7）组成；其特征在于：/n所述的电极（4）包括第一电极（41）、第二电极（42）和第三电极（43），其中第三电极接地；所述的连接电路（5）包括第一连接电路（51）、第二连接电路（52）和第三连接电路（53）；/n所述的下极板（3）包括内下极板（31）和外下极板（32）；内下极板（31）为圆形，外下极板（32）为与内下极板（31）同心的圆环形；外下极板（32）设有供第一连接电路（...
【技术特征摘要】
1.一种同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器，包括自下而上的SiC衬底（1）、p型SiC层（2）、复合层以及上极板（8），其中复合层由下极板（3）、电极（4）、连接电路（5）、绝缘层（6）与焊盘（7）组成；其特征在于：
所述的电极（4）包括第一电极（41）、第二电极（42）和第三电极（43），其中第三电极接地；所述的连接电路（5）包括第一连接电路（51）、第二连接电路（52）和第三连接电路（53）；
所述的下极板（3）包括内下极板（31）和外下极板（32）；内下极板（31）为圆形，外下极板（32）为与内下极板（31）同心的圆环形；外下极板（32）设有供第一连接电路（51）穿过的缺口，内下极板（31）通过第一连接电路（51）与第一电极（41）连接，外下极板（32）通过第二连接电路（52）与第二电极（42）连接；
所述的上极板（8）包括内上极板（81）、外上极板（82）和连接板（83）；内上极板（81）为位于内下极板（31）正上方、开口朝下的圆形框体；外上极板（82）为位于外下极板（32）正上方、开口朝下的圆环形框体；内上极板（81）与外上极板（82）之间通过连接板（83）连接；上极板（8）通过第三连接电路（53）与第三电极（43）连接；
所述的焊盘（7）为三个，分别与所述的第一电极（41）、第二电极（42）和第三电极（43）连接，用于通过焊接与外部电路形成电接触；
所述的绝缘层（6）覆盖在下极板（3）、连接电路（5）的四周及表面，同时包围住电极（4）与焊盘（7）的四周，将上极板（8）与内下极板（31）、外下极板（32）、以及第一连接电路（51）隔开，使得下极板（3）与上极板（8）形成同心圆环电容结构。
2.根据权利要求1所述的同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器，其特征在于：所述的p型SiC层（2）厚度为2μm±0.1μm。
3.根据权利要求1所述的同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器，其特征在于：所述的内下极板（31）和外下极板（32）的厚度均为2±0.1μm。
4.根据权利要求1所述的同心圆环结构的差动式SiC电容压力传感器，其特征在于：所述的内上极板...
【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，万泽洪，徐浩浩，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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