磁控溅射源和涂覆系统布置技术方案

一种用于涂覆基板(2)的磁控溅射源(1)，所述溅射源(1)包括：在前侧处具有靶表面的靶(5)；在所述靶(5)的背侧处的磁控布置(511、512)，用于在所述靶表面附近产生磁场，以在所述靶表面处在内部磁体组件(512)和外部磁体组件(511)之间限定环状侵蚀区(20)，其中所述侵蚀区(20)包括带有具有距离(D)的两个平行轨道(26)的中间区段、和两个弯曲的端部环形区段(27)，所述端部环形区段中的每一个连接所述平行轨道(26)的相邻端部并且在所述距离(D)的方向上具有环形宽度(W)，所述环形宽度大于所述距离(D)，从而导致所述侵蚀区的双T形初级几何形状，以提供从所述端部环形区段(27)到所述基板的增加的涂覆材料通量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁控溅射源和涂覆系统布置
本专利技术涉及新的磁控溅射源设计，用于实现改善的涂覆厚度均匀性并且具体地在靶的利用时间内维持涂覆均匀性的低漂移。本专利技术还涉及包括这种磁控溅射源的涂覆系统布置。
技术介绍
在溅射过程中，辉光放电等离子体中的气体离子的产生是由气体原子与电子的碰撞引起的。在靶处施加足够高的负电压将辉光放电等离子体维持在靶前面并且导致带正电荷的气体种类(例如，氩离子)以高能量加速到靶表面。这种离子轰击导致靶材料的脱落或溅射并且因此导致固体靶材料转变成气相。对于涂覆线性尺寸较大的基板或者在必须同时涂覆许多小的但大量的基板的情况下，最适合使用矩形靶。在物理气相沉积(PVD)或等离子辅助化学气相沉积(PACVD或PECVD)的领域中，使用矩形溅射阴极以在基板上沉积薄的涂膜。在磁控溅射的情况下，在靶表面附近产生磁场，以引导和“集中”靶表面附近的等离子体电子，这导致工艺气体的电离的局部增强。通过等离子体的鞘中的电场加速的到靶表面上的离子的通量导致靶材料的侵蚀。电子在靶表面区域上的局部化程度取决于磁场的局部强度及其方向。靶表面上的侵蚀区在磁场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于涂覆基板(2)的磁控溅射源(1)，所述溅射源(1)包括：/n在前侧处具有靶表面的靶(5)；/n在所述靶(5)的背侧处的磁控布置(511、512)，用于在所述靶表面附近产生磁场，以在所述靶表面处在内部磁体组件(512)和外部磁体组件(511)之间限定环状侵蚀区(20)，/n其中：/n所述侵蚀区(20)包括带有具有距离(d)的两个平行轨道(26)的中间区段、和两个弯曲的端部环形区段(27)，所述端部环形区段中的每一个连接所述平行轨道(26)的相邻端部并且在所述距离(d)的方向上具有环形宽度(w)，所述环形宽度大于所述距离(d)，从而导致所述侵蚀区的双T形初级几何形状，以提供从所述端部环...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171205 US 62/594,6221.一种用于涂覆基板(2)的磁控溅射源(1)，所述溅射源(1)包括：
在前侧处具有靶表面的靶(5)；
在所述靶(5)的背侧处的磁控布置(511、512)，用于在所述靶表面附近产生磁场，以在所述靶表面处在内部磁体组件(512)和外部磁体组件(511)之间限定环状侵蚀区(20)，
其中：
所述侵蚀区(20)包括带有具有距离(d)的两个平行轨道(26)的中间区段、和两个弯曲的端部环形区段(27)，所述端部环形区段中的每一个连接所述平行轨道(26)的相邻端部并且在所述距离(d)的方向上具有环形宽度(w)，所述环形宽度大于所述距离(d)，从而导致所述侵蚀区的双T形初级几何形状，以提供从所述端部环形区段(27)到所述基板的增加的涂覆材料通量。


2.根据权利要求1所述的磁控溅射源(1)，其中所述环形区段(27)的形状包括以下基本形状中的一种或组合：矩形、三角形、菱形、圆形、卵形、椭圆形。


3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射源(1)，其中所述平行轨道包括两个笔直的侵蚀区段(26)。


4.根据权利要求1、2或3中的一项所述的磁控溅射源(1)，其中所述中间区段和所述环形区段(27)中的至少一者包括沿着所述初级几何形状的次级曲折型几何形状。


5.根据权利要求4所述的磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：O·祖格，
申请(专利权)人：欧瑞康表面解决方案普费菲孔股份公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH