MEMS传声器的制备方法技术

技术编号:26178932 阅读:25 留言:0更新日期:2020-10-31 14:31
本申请是中国申请201910888055.3的分案申请。本申请提供一种MEMS传声器的制备方法,通过在基板上开设凹槽,将MEMS芯片焊接在凹槽底部,使MEMS芯片的振膜与凹槽底部表面平行,并将MEMS芯片及基板分别与ASIC芯片的同一侧面焊接,而后将金属盖盖合在基板上,形成用于封装凹槽、MEMS芯片及ASIC芯片的封装腔体,其中凹槽侧壁上开设有传音孔,基板的位于封装腔体外的表面上开设有进音孔,基板内开设有传声通道,传声通道连通传音孔与进音孔,使进入传声器的声音信号的声压不会直接与振膜正对接触,以改善振膜易因高强度的声压而破裂的问题,延长传声器的使用寿命,提高用户使用体验。

【技术实现步骤摘要】
MEMS传声器的制备方法本申请是申请号为201910888055.3、申请日为2019年9月19日、专利技术名称为“MEMS传声器及其制备方法”的中国申请的分案申请。
本申请涉及声电转换领域,具体而言,涉及一种MEMS传声器的制备方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的快速发展,半导体器件被广泛应用到各种电子产品中,以确保对应电子产品的功能实现。其中,对声音采集设备(例如,智能手机、录音机)来说,可以使用基于半导体器件制造得到的传声器来将声音信号转换为电信号,并通过这类传声器因半导体器件而具有的尺寸小及稳定性强等特点,增强声音采集设备的性能。但就目前而言,市面上的基于半导体器件制造得到的传声器通过将MEMS(MicroElectroMechanicalSystem,微机电系统)的振膜与声音信号的近音方向正对,确保该MEMS芯片的振膜与该声音信号所对应的声压直接正对接触,使该MEMS芯片的振膜在对应声压的作用下发生形变,进而改变振膜与背极板之间的电容值,从而将声音信号转换为电压信号。在此过程中,因MEMS芯片的振膜与声压直接正对接触本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS传声器的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:/n提供一开设有凹槽、进音孔、传声通道及传音孔的基板,并对所述基板进行预烘烤,其中所述传音孔设置在所述凹槽侧壁上,所述进音孔设置在所述基板的远离所述凹槽的侧面上,所述传声通道设置在所述基板内部,并与所述进音孔及所述传音孔连通;/n将MEMS芯片贴装在预烘烤后的所述基板的凹槽底部,使所述MEMS芯片的振膜与所述凹槽底部表面平行,并将所述MEMS芯片焊接在所述基板上;/n将ASIC芯片贴装在所述MEMS芯片及所述基板上,使所述ASIC芯片的同一侧面与所述MEMS芯片及所述基板接触,并将所述ASIC芯片焊接在所述MEMS芯片及所述基板上...

【技术特征摘要】
1.一种MEMS传声器的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供一开设有凹槽、进音孔、传声通道及传音孔的基板,并对所述基板进行预烘烤,其中所述传音孔设置在所述凹槽侧壁上,所述进音孔设置在所述基板的远离所述凹槽的侧面上,所述传声通道设置在所述基板内部,并与所述进音孔及所述传音孔连通;
将MEMS芯片贴装在预烘烤后的所述基板的凹槽底部,使所述MEMS芯片的振膜与所述凹槽底部表面平行,并将所述MEMS芯片焊接在所述基板上;
将ASIC芯片贴装在所述MEMS芯片及所述基板上,使所述ASIC芯片的同一侧面与所述MEMS芯片及所述基板接触,并将所述ASIC芯片焊接在所述MEMS芯片及所述基板上;
将金属盖贴装在所述基板上,形成用于封装所述基板的凹槽、所述MEMS芯片及所述ASIC芯片的封装腔体,得到所述MEMS传声器;
其中,所述传音孔的数目为一个,所述制备方法还包括:
提供一基板板材,并在所述基板板材的一侧涂覆第一铜层,得到第一基板组件;<...

【专利技术属性】
技术研发人员:李利
申请(专利权)人:甬矽电子宁波股份有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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