【技术实现步骤摘要】
具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关相关申请的交叉引用本申请要求于2019年4月25日提交的题为“具有低泄漏电流和低插入的高功率射频开关”的美国临时专利申请No.62/838,549的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的实施方案涉及电子系统，更具体地，涉及发射/接收射频开关。
技术介绍
射频(RF)通信系统可以包括用于各种目的的RF开关。在一个例子中，RF通信系统可以包括射频发射/接收开关。发射/接收开关可用于将天线电连接到系统的发射路径或接收路径，从而允许每个发射路径和接收路径访问天线。
技术实现思路
本文提供具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频开关。在某些实施方案中，开关可包括多个堆叠的晶体管，以防止发生泄漏电流和/或晶体管击穿。当在较低功率接收模式下操作时，这些晶体管堆叠可能会增加开关的插入损耗。插入损耗可以通过增加叠层中使用的晶体管的沟道宽度来减小，但是这可能导致折衷限制开关可实现的带宽。本公开的某些实施例提供了减少晶体管数量的开关设计，当开关在高功率...
【技术保护点】
1.具有低开关插入损耗的射频(RF)系统，该RF系统包括：/n天线；/n发射路径，被配置为生成用于所述天线的发射信号；/n接收路径，被配置为处理来自所述天线的接收信号；和/nRF开关，包括多个晶体管并且在第一模式和第二模式下可操作，其中所述RF开关被配置为在第二模式下从所述天线向所述接收路径提供接收信号，其中当所述RF开关在第一模式下操作时，所有晶体管均被配置为导通状态，并且当所述RF开关在第二模式下操作时，所有晶体管均被配置为截止状态。/n
【技术特征摘要】
20190425 US 62/838,549;20190806 US 16/532,9321.具有低开关插入损耗的射频(RF)系统，该RF系统包括：
天线；
发射路径，被配置为生成用于所述天线的发射信号；
接收路径，被配置为处理来自所述天线的接收信号；和
RF开关，包括多个晶体管并且在第一模式和第二模式下可操作，其中所述RF开关被配置为在第二模式下从所述天线向所述接收路径提供接收信号，其中当所述RF开关在第一模式下操作时，所有晶体管均被配置为导通状态，并且当所述RF开关在第二模式下操作时，所有晶体管均被配置为截止状态。
2.权利要求1所述的RF系统，其中所述RF开关还包括：
与所述天线、所述发射路径和所述接收路径中的每一个电连接的巴伦。
3.权利要求2所述的RF系统，其中所述巴伦包括：
第一回路，和
磁性耦合到所述第一回路的第二回路，
其中所述第一回路的第一端电连接到所述天线，并且所述第一回路的第二端电连接到所述接收路径，和
其中所述第二回路的第一端电连接到所述发射路径。
4.权利要求3所述的RF系统，其中所述多个晶体管包括：
第一晶体管，包括电连接到所述接收路径的漏极和电连接到参考电压的源极，和
第二晶体管，包括电连接到所述第二回路的第二端的漏极和电连接到所述参考电压的源极。
5.权利要求4所述的RF系统，其中所述第一晶体管和第二晶体管中的每一个被配置为在第一模式下将所述巴伦电连接到所述参考电压，并且在第二模式下将所述巴伦与所述参考电压电隔离。
6.权利要求4所述的RF系统，其中所述第一晶体管被配置为在第一模式下将所述接收路径连接到所述参考电压。
7.权利要求2所述的RF系统，其中所述RF开关被配置为在第一模式下从所述发射路径向所述天线提供发射信号。
8.权利要求2所述的RF系统，还包括循环器和终端阻抗，其中，所述RF开关被配置为在第一模式下将所述终端阻抗电连接到所述循环器的接收端子。
9.权利要求2所述的RF系统，其中所述发射路径被配置为产生具有大于每个晶体管的击穿电压的电压的发射信号。
10.权利要求1所述的RF系统，其中所述RF开关还包括：
与所述天线、所述发射路径和所述接收路径中的每一个电连接的电感器。
11.权利要求10所述的RF系统，其中所述电感器的第一端电连接到所述天线和所述发射路径，并且其中所述电感器的第二端电连接到所述接收路径。
12.权利要求11所述的RF系统，其中所述多个晶体管包括：
第一晶体管，包括电连接到所...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·阿特赛尔，A·塞利克，
申请(专利权)人：亚德诺半导体国际无限责任公司，
类型：发明
国别省市：爱尔兰;IE
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