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提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中,RF开关包括多个晶体管,并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时,所有晶体管均配置为导通状态;当RF开关以低功率模式操作...该专利属于亚德诺半导体国际无限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过亚德诺半导体国际无限责任公司授权不得商用。
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提供了具有低泄漏电流和低插入损耗的高功率射频(RF)开关。在一个实施方案中,RF开关包括多个晶体管,并且被配置为选择性地将发射路径或接收路径之一连接到天线。当RF开关以高功率模式操作时,所有晶体管均配置为导通状态;当RF开关以低功率模式操作...