堆叠式射频开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种堆叠式射频开关电路，其包括多个功率放大器芯片、与多个功率放大器芯片相电连接的射频模块，射频模块包括封装模塑料，射频模块还包括上下位设置的上层焊盘和下层焊盘、与上层焊盘电连接且位于上层焊盘上方的上层管芯、与下层焊盘电连接且位于下层焊盘下方的下层管芯、设于上层管芯和下层管芯之间的金属层、通过金属层与上层焊盘相电连接的上层管脚、通过金属层与下层焊盘相电连接的下层管脚，金属层上形成有过孔，上层焊盘和下层焊盘通过金属层上的过孔相电连接。各功能独立的电子元件堆叠设置使电路占用面积小，实现了微型化，上层管芯和下层管芯分别具有不同功能，实现电路的多功能化。

【技术实现步骤摘要】
堆叠式射频开关电路
本专利技术涉及一种堆叠式射频开关电路。
技术介绍
未来先进电子系统须具有多功能、自适应和小型化等特点，目前国内外正在大力探索多功能一体化电子系统的技术实现途径，在已具备的数字通道软件定义技术基础上，进一步要求实现射频前端通道的宽频带、可重构、微型化等特征。目前，现有技术通常采用功能独立的电子元器件实现综合射频前端功能，器件尺寸大，难以实现多路多频段射频通道的系统集成，且各独立的电子元器件采用平面封装方式，极大的占用了射频开关电路的面积。如何实现射频开关电路的多功能和微型化是目前急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种堆叠式射频开关电路，其各功能独立的电子元件堆叠设置，一方面满足了多功能化的要求，另一方面保证了射频开关电路整体微型化的要求。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案：一种堆叠式射频开关电路，其包括多个功率放大器芯片、与多个所述功率放大器芯片相电连接的射频模块，所述射频模块包括封装模塑料，所述射频模块还包括上下位设置的上层焊盘和下层焊盘、与所述上层焊盘电连接且位于所述上层焊盘上方的上层管芯、与所述下层焊盘电连接且位于所述下层焊盘下方的下层管芯、设于所述上层管芯和所述下层管芯之间的金属层、通过金属层与所述上层焊盘相电连接的上层管脚、通过金属层与所述下层焊盘相电连接的下层管脚，所述金属层上形成有过孔，所述上层焊盘和所述下层焊盘通过金属层上的过孔相电连接。另一种优选方式，所述金属层为TSV金属层和/或RDL金属层。另一种优选方式，所述过孔位于所述上层焊盘和所述下层焊盘之间的空间的其中一侧部。另一种优选方式，所述上层焊盘、所述下层焊盘、所述上层管芯、所述下层管芯和所述金属层封装于所述封装模塑料内。另一种优选方式，所述上层管脚和所述下层管脚从所述封装模塑料内的侧面伸出。本专利技术的有益效果在于：各功能独立的电子元件堆叠设置使电路占用面积小，实现了微型化，上层管芯和下层管芯分别具有不同功能，实现电路的多功能化。附图说明附图1为本专利技术的结构示意图。具体实施方式为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。如图1所示，堆叠式射频开关电路包括多个功率放大器芯片、与多个功率放大器芯片相电连接的射频模块，功率放大器芯片非本专利技术的重点，其为成熟技术，在此不做赘述。射频模块包括封装模塑料1，射频模块还包括上下位设置的上层焊盘2和下层焊盘3、与上层焊盘2电连接且位于上层焊盘2上方的上层管芯4、与下层焊盘3电连接且位于下层焊盘3下方的下层管芯5、设于上层管芯4和下层管芯5之间的金属层6、通过金属层6与上层焊盘2相电连接的上层管脚7、通过金属层6与下层焊盘3相电连接的下层管脚8，上层管芯4上制作有开关电路，下层管芯5上制作有接口、控制等电路，金属层6上形成有第一过孔9，上层焊盘2和下层焊盘3通过金属层6上的第一过孔9相电连接。金属层6为TSV金属层6和/或RDL金属层6，在本实施例中金属层6为RDL金属层6，上层管芯4的下端面和下层管芯5的上端面上设有钝化层，钝化层中形成有第二过孔金属层6通过第二过孔与上层管芯4和下层管芯5相电连接，金属层6可以有多层。第一过孔位于上层焊盘2和下层焊盘3之间的空间的其中一侧部。上层焊盘2、下层焊盘3、上层管芯4、下层管芯5和金属层6封装于封装模塑料1内。上层管脚7和下层管脚8从封装模塑料1内的侧面伸出。由于上层管芯4和下层管芯5的堆叠设置，实现了射频电路的微型化。上述实施例只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本专利技术的内容并据以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围。凡根据本专利技术精神所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种堆叠式射频开关电路，其包括多个功率放大器芯片、与多个所述功率放大器芯片相电连接的射频模块，所述射频模块包括封装模塑料，其特征在于：所述射频模块还包括上下位设置的上层焊盘和下层焊盘、与所述上层焊盘电连接且位于所述上层焊盘上方的上层管芯、与所述下层焊盘电连接且位于所述下层焊盘下方的下层管芯、设于所述上层管芯和所述下层管芯之间的金属层、通过金属层与所述上层焊盘相电连接的上层管脚、通过金属层与所述下层焊盘相电连接的下层管脚，所述金属层上形成有过孔，所述上层焊盘和所述下层焊盘通过金属层上的过孔相电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种堆叠式射频开关电路，其包括多个功率放大器芯片、与多个所述功率放大器芯片相电连接的射频模块，所述射频模块包括封装模塑料，其特征在于：所述射频模块还包括上下位设置的上层焊盘和下层焊盘、与所述上层焊盘电连接且位于所述上层焊盘上方的上层管芯、与所述下层焊盘电连接且位于所述下层焊盘下方的下层管芯、设于所述上层管芯和所述下层管芯之间的金属层、通过金属层与所述上层焊盘相电连接的上层管脚、通过金属层与所述下层焊盘相电连接的下层管脚，所述金属层上形成有过孔，所述上层焊盘和所述下层焊盘通过金属层上的过孔相电连接。


2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：马永新，武锦，周磊，郭轩，
申请(专利权)人：中科芯苏州微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32