光频梳器件和光频梳器件的制作方法技术

本发明专利技术涉及一种光频梳器件和光频梳器件的制作方法，所述介质层设置于所述衬底层的表面。所述光频梳层设置于所述介质层远离所述衬底的表面。所述介质层与所述光频梳层接触的表面设置有应力释放单元。所述应力释放单元包括V形结构。所述V形结构较大程度上阻挡了应力产生的方向和路径，从所述氮化硅薄膜传递到所述介质层表面的应力会被所述V形结构阻挡，从而可以避免所述介质层和所述氮化硅薄膜开裂，进而可以提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
光频梳器件和光频梳器件的制作方法
本专利技术涉及芯片
，特别是涉及一种光频梳器件和光频梳器件的制作方法。
技术介绍
光电子芯片是国家核心竞争力和支柱产业。我国光子集成制造业能力不足，不仅仅是大型集成电路高端制造装备的落后，更有先进集成工艺、关键薄膜材料生长及微光刻成型技术的差异。这些技术壁垒使得我国光电子芯片整体性能受制于发达国家。片上克尔光频梳，简称为克尔光梳，是利用新型光学微环谐振腔中的非线性光学克尔效应，将某单一频率的泵浦光转变为包含大量频率等间隔的宽带光频梳，时域上输出超短孤子脉冲序列。在技术上，片上光频梳是基于生长出的先进光学薄膜，并采用先进的半导体工艺制程。所以克尔光梳能实现片上集成、脉冲重复频率高、相干性好、单梳齿功率高等突出优点，是一项颠覆性的技术。片上光频梳具有极高的时间频率精度，可以重新定义基本物理常数“秒”、可以构建单色激光、可以构筑最高精度的时钟与频率链、可以改进全球定位系统等。利用片上光频梳芯片，人们有望在单分子、单原子水平认识物质世界和超高灵敏化学检测，可以广泛应用于公共安全、生物医学检测识别细菌病毒等本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光频梳器件，其特征在于，包括：/n衬底(110)；/n介质层(120)，设置于所述衬底(110)层的表面；/n光频梳层(130)，设置于所述介质层(120)远离所述衬底(110)的表面，所述介质层(120)与所述光频梳层(130)接触的表面设置有应力释放单元(230)，所述应力释放单元(230)包括V形结构(232)。/n

【技术特征摘要】
1.一种光频梳器件，其特征在于，包括：
衬底(110)；
介质层(120)，设置于所述衬底(110)层的表面；
光频梳层(130)，设置于所述介质层(120)远离所述衬底(110)的表面，所述介质层(120)与所述光频梳层(130)接触的表面设置有应力释放单元(230)，所述应力释放单元(230)包括V形结构(232)。


2.如权利要求1所述的光频梳器件，其特征在于，所述V形结构(232)包括两个顶点(236)重合的第一直线区(234)，两个所述第一直线区(234)之间呈设定角度，所述应力释放单元(230)还包括第一十字结构(238)，所述第一十字结构(238)设置于两个所述第一直线区(234)之间。


3.如权利要求2所述的光频梳器件，其特征在于，包括两个所述第一十字结构(238)，所述应力释放单元(230)还包括第二直线区(240)，所述第二直线区(240)位于两个所述第一直线区(234)之间，两个所述第一十字结构(238)分别位于所述第二直线区(240)的两侧，并位于两个所述第一直线区(234)之间。


4.如权利要求3所述的光频梳器件，其特征在于，所述第二直线区(240)的延长方向与所述顶点(236)重合。


5.如权利要求3所述的光频梳器件，其特征在于，所述第一直线区(234)和所述第二直线区(240)的宽度相同，所述第二直线区(240)的长度为所述第一直线区(234)的长度的1.2倍到1.5倍。


6.如权利要求1-5任一项所述的光频梳器件，其特征在于，所述介质层(120)与所述光频梳层(130)接触的表面设置有应力消除区域(200)，所述应力消除区域(200)设置有多个所述应力释放单元(230)。


7.如权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙朝阳，朱振东，王雪深，刘唱，白本锋，屈继峰，
申请(专利权)人：中国计量科学研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11