【技术实现步骤摘要】
估计条件参数的方法、监测操作的装置和粒子传感器装置
本专利技术涉及用于估计具有关联的光电二极管的激光二极管的条件参数的方法,涉及用于监测这种激光二极管的操作的装置,并且涉及粒子传感器装置。虽然适用于用于估计具有关联的光电二极管的激光二极管的条件参数的任意方法,但是将考虑光学粒子传感器装置来描述本专利技术及所要解决的问题。
技术介绍
DE102015207289A1公开了一种光学粒子传感器装置,该光学粒子传感器装置具有带有集成的光电二极管的VCSEL激光二极管。VCSEL激光二极管(VCSEL=垂直腔面发射激光器)是光垂直于半导体芯片的平面进行发射的发光二极管。通过使用自混合干涉技术,已知的光学粒子传感器装置能够获得与粒子的存在及粒子的速率相关的信息。光学粒子传感器装置应该以定义的光输出功率操作,其中定义的光输出功率应该不仅为了传感器的高测量灵敏度而尽可能大,而且为了眼睛安全还必须被限制。然而,在激光二极管操作期间,光输出功率根据操作时间点处激光二极管的瞬时温度并且根据激光二极管依照寿命退化的老化条件而改变。因此例如在操作期间对激光二极管的设定操作电流进行调节和控制是必要的。原理上,这可以通过对光输出功率的直接测量来完成,但是在许多小型化应用中尤其在前述的光学粒子传感器装置中这是不可能的。具体地,希望接收与激光二极管温度和激光二极管的老化条件相关的信息。
技术实现思路
本专利技术提供了分别根据独立权利要求1、12和18所述的用于估计具有关联的光电二极管的激光二 ...
【技术保护点】
1.一种用于估计至少一个激光二极管(LD)的至少一个条件参数的方法,其中至少一个光电二极管(PD)与所述激光二极管(LD)关联,/n·所述至少一个光电二极管(PD)能够与所述激光二极管(LD)一起操作,/n·所述至少一个光电二极管(PD)检测所述激光二极管(LD)的光(LS)并将所述光(LS)转换成电流IPD,并且/n·所述至少一个光电二极管(PD)热耦合至所述激光二极管,/n其中在所述激光二极管(LD)的操作期间估计所述至少一个条件参数,所述估计基于所述激光二极管(LD)和/或所述光电二极管(PD)处的电流测量和/或电压测量。/n
【技术特征摘要】
20180730 DE 102018212689.51.一种用于估计至少一个激光二极管(LD)的至少一个条件参数的方法,其中至少一个光电二极管(PD)与所述激光二极管(LD)关联,
·所述至少一个光电二极管(PD)能够与所述激光二极管(LD)一起操作,
·所述至少一个光电二极管(PD)检测所述激光二极管(LD)的光(LS)并将所述光(LS)转换成电流IPD,并且
·所述至少一个光电二极管(PD)热耦合至所述激光二极管,
其中在所述激光二极管(LD)的操作期间估计所述至少一个条件参数,所述估计基于所述激光二极管(LD)和/或所述光电二极管(PD)处的电流测量和/或电压测量。
2.根据权利要求1所述的方法,其中具有关联的光电二极管(PD)的所述激光二极管(LD)是具有集成的光电二极管(PD)的激光二极管(LD),尤其是具有集成的光电二极管的VCSEL(垂直腔面发射激光器)。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中激光二极管温度TLD通过如下步骤被估计作为所述激光二极管(LD)的所述条件参数:
·使用所述光电二极管电流IPD的测量,针对所述激光二极管电流ILD的至少两个不同值,在待被确定的所述激光二极管温度TLD下确定光电二极管特性(B)的斜率PDSlope,并且
·以所述光电二极管特性(B)的斜率PDSlope与所述激光二极管温度TLD之间的先前确定的关系作为所述激光二极管温度TLD的估计的基础。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述激光二极管温度TLD通过如下步骤被估计作为所述激光二极管(LD)的所述条件参数:
·在待被估计的所述激光二极管温度TLD下针对至少一个指定的激光二极管电流ILDV捕获激光二极管电压ULD,并且
·以预定激光二极管电流ILDV、所述激光二极管电压ULD与所述激光二极管温度TLD之间的先前确定的关系作为所述激光二极管温度TLD的估计的基础。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述激光二极管温度TLD被估计为
TLD=a+(b-ULD(ILDV))*d
其中a、b和d是先前确定的常量。
6.根据权利要求4所述的方法,其中所述激光二极管(LD)的总操作时间t已知,所述激光二极管温度TLD被估计为
TLD=a+(b-ULD(ILDV))*(1–c*exp(-t/t0))*d
其中a、b、c和d是先前确定的常量,t0是先前确定的表征所述激光二极管(LD)老化特性的操作时长。
7.根据权利要求1和2中任一项所述的方法,其中总操作时间t通过如下步骤被估计作为所述激光二极管(LD)的所述条件参数:
·在已知的激光二极管温度TLD下针对至少一个指定的激光二极管电流ILDV捕获激光二极管电压ULD;并且
·以所述激光二极管电流ILD、所述激光二极管电压ULD、所述激光二极管温度TLD与所述激光二极管(LD)的所述总操作时间之间的先前确定的关系作为所述激光二极管(LD)的所述总操作时间t的估计的基础。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述激光二极管(LD)的退化基于所估计的总操作时间t进行评估。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其中总操作时间t通过如下步骤被估计作为所述激光二极管(LD)的所述条件参数:
·通过对依赖于激光二极管电流ILD的光电二极管电流IPD的测量来确定对应的瞬时光电二极管特性(B);
·根据所述对应的瞬时光电二极管特性(B)确定所述激光二极管(LD)的瞬时阈值电流Ith;并且
·基于对应的瞬时阈值电流Ith估计所述激光二极管的所述总操作时间t。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述瞬时阈值电流Ith通过如下步骤被确定:
·针对所述激光二极管(LD)尚未处于激光器操作所在的至少两个激光二极管电流值ILD1、ILD2捕获第一光电二极管电流值IPD1、IPD2;
·针对所述激光二极管(L...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗伯特·沃尔夫,泽伦·索夫克,菲利普·格拉赫,苏珊·魏登费尔德,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,皇家飞利浦有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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