移相器及天线制造技术

技术编号:26176568 阅读:61 留言:0更新日期:2020-10-31 14:16
本发明专利技术提供一种移相器和天线,属于通信技术领域,其可解决现有共面波导(CPW)传输线的弯折方式对液晶移相器性能产生影响的问题。本发明专利技术的移相器,其第一基板包括第一基底、基底电极和信号电极;信号电极包括主体结构和连接在所述主体结构长度方向上的多个分支结构;第二基板包括第二基底、设置在所述第二基底靠近介质层一侧的多个贴片电极;多个贴片电极与多个分支结构一一对应设置,形成多个可变电容;且每一贴片电极与基底电极在第一基底上的正投影至少部分重叠;多个可变电容呈线性排布,限定出可变电容区;可变电容区具有至少一个子拐角区,信号电极在子拐角区具有多个弯折角,且多个弯折角的角度之和为90°。

【技术实现步骤摘要】
移相器及天线
本专利技术属于通信
,具体涉及一种移相器及天线。
技术介绍
现今的液晶移相器结构,在对盒后的上玻璃基板引入周期性的可变电容加载,可变电容的调节是通过调节异面两金属板上加载的电压差驱动液晶分子偏转,得到不同的液晶材料特性,对应到电容的容值可变。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题包括,针对共面波导(CPW)传输线的弯折方式对液晶移相器性能产生影响的问题,提供一种传输损耗小的高性能移相器和天线。第一方面,解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种移相器,其包括:相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;所述第一基板包括:第一基底,设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的基底电极和信号电极;所述信号电极包括:主体结构和连接在所述主体结构长度方向上的多个分支结构;所述第二基板包括:第二基底,设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的多个贴片电极;所述多个贴片电极与所述多个分支结构一一对应设置,形成多个可变电容;且每一所述贴片电极与所述基底电极在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种移相器,其包括:相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;其特征在于,/n所述第一基板包括:第一基底,设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的基底电极和信号电极;所述信号电极包括:主体结构和连接在所述主体结构长度方向上的多个分支结构;/n所述第二基板包括:第二基底,设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的多个贴片电极;所述多个贴片电极与所述多个分支结构一一对应设置,形成多个可变电容;且每一所述贴片电极与所述基底电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠;/n多个所述可变电容呈线性排布,限定出可变电容区;所述可变电容区具有至少一个子拐角区,所述信号电极在所...

【技术特征摘要】
1.一种移相器,其包括:相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;其特征在于,
所述第一基板包括:第一基底,设置在所述第一基底靠近所述介质层一侧的基底电极和信号电极;所述信号电极包括:主体结构和连接在所述主体结构长度方向上的多个分支结构;
所述第二基板包括:第二基底,设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的多个贴片电极;所述多个贴片电极与所述多个分支结构一一对应设置,形成多个可变电容;且每一所述贴片电极与所述基底电极在所述第一基底上的正投影至少部分重叠;
多个所述可变电容呈线性排布,限定出可变电容区;所述可变电容区具有至少一个子拐角区,所述信号电极在所述子拐角区具有多个弯折角;且所述多个弯折角的角度之和为90°。


2.根据权利要求1所述的移相器,其特征在于,所述多个弯折角的角度均相等。


3.根据权利要求1或2所述的移相器,其特征在于,所述多个弯折角中的每个均为45°。


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【专利技术属性】
技术研发人员:方家于海郑洋曲峰
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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