一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法，包括：衬底(001)；氧化镓吸光层(002)，为3D S形循环结构；3D叉指电极(003)，设于氧化镓吸光层(002)的3D S形循环结构的两侧壁，形成一对相互交叉的叉指结构的电极；3D叉指电极(003)的高度不低于氧化镓吸光层(002)的高度。本发明专利技术提供的方法能够使电场分布更加均匀，电极收集光生载流子的能力更强，同时减少了表面缺陷对载流子传输的影响，有利于提高器件的响应度、响应速度等性能参数。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法
本专利技术涉及光电探测器
，具体涉及一种氧化镓日盲光电探测器及其制备方法。
技术介绍
光电探测器是一类能将光信号转化为电信号的光电子器件。日盲波段指波长范围在200-280nm的紫外光，日盲光电探测器具有背景干扰小的突出优点，在导弹预警、火灾遥感、高压电监测、非视距保密光通信等领域具有广阔的应用前景。日盲光电探测器主要包括外光电效应探测器和内光电效应探测器。外光电效应探测器基于材料中电子在吸收一定波长光后可以获得足够能量，从材料内部发射出来的原理制成，主要包括光电倍增管、光电管等。需要高真空和高电压、体积大、易碎等缺点限制了外光电效应探测器在现代电子系统中的应用。半导体中电子吸收一定波长光子后可以发生从价带到导带的跃迁，产生光生电子和光生空穴(统称为光生载流子)，这被称为内光电效应。内光电效应日盲探测器不需要真空，可以微型化，是目前的研究热点。内光电效应光电探测器的探测机理主要有两种，若器件内部不存在内建电场，光生载流子使得半导体的电导率上升，通过器件的电流增大，这称为光电导效应。若器件内部存在内建电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，包括：/n衬底(001)；/n氧化镓吸光层(002)，为3D S形循环结构；/n3D叉指电极(003)，设于所述氧化镓吸光层(002)的3D S形循环结构的两侧壁，形成一对相互交叉的叉指结构的电极；/n所述3D叉指电极(003)的高度不低于所述氧化镓吸光层(002)的高度。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，包括：
衬底(001)；
氧化镓吸光层(002)，为3DS形循环结构；
3D叉指电极(003)，设于所述氧化镓吸光层(002)的3DS形循环结构的两侧壁，形成一对相互交叉的叉指结构的电极；
所述3D叉指电极(003)的高度不低于所述氧化镓吸光层(002)的高度。


2.根据权利要求1所述的氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，所述氧化镓吸光层(002)的3DS形循环结构的高度大于2nm。


3.根据权利要求1所述的氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，所述3DS形循环结构线条宽度为0.01-500μm，线条空隙宽度为0.01-500μm。


4.根据权利要求1所述的氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，所述衬底(001)的材料为氧化镓、蓝宝石、硅、氧化硅、玻璃以及PEN中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，所述3D叉指电极(003)的材料为Ti、Cr、Ni、Pt、Au、Ag、W、In、Al、Ru、Pd、TiN、Ta、TaN和ITO的一种或多种。


6.根据权利要求5所述的氧化镓日盲光电探测器，其特征在于，所述3D...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵晓龙，谭鹏举，侯小虎，徐光伟，龙世兵，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34