一种ITO退火工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种ITO退火工艺。所述ITO退火工艺包括：S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；S13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；S14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。本发明专利技术实施例提供的技术方案，使得ITO薄膜整个待退火区域能够同时进行退火，减少了ITO薄膜的退火时长，提高了ITO薄膜的退火产率。

An ITO annealing process

【技术实现步骤摘要】
一种ITO退火工艺
本专利技术实施例涉及退火工艺领域，尤其涉及一种ITO退火工艺。
技术介绍
氧化铟锡(IndiumTinOxides，ITO)由氧化铟通过掺杂锡获得，是一种具有良好透明导电性能的n型金属化合物半导体，具有禁带宽、可见光透射率高、电阻率低、机械硬度高和化学稳定性高等优势，被广泛应用于平板显示、导电玻璃、太阳能电池、透明电极等领域。为改善ITO薄膜的结晶状态，减少晶格缺陷，以提高ITO器件的性能，ITO薄膜形成后，需要对其进行退火处理。现有技术中通常采用热退火或步进扫描式激光退火对ITO薄膜进行退火，其中，热退火工艺需要对待退火ITO薄膜进行加热处理，待退火工件全部暴露于加热环境中，使得非退火面易受损。步进扫描式激光退火工艺依次扫描完整个待退火表面，温度集中于表面，能够解决上述问题，但为了改善退火效果通常采用增加退火遍数的方式，相关文献也表明，增加激光驻留时间(1000shot)可以改善退火效果，这也意味着需要进一步增加扫描向重叠率以达到预期的退火效果。因此，退火时间比较长，产率将会受到很大的影响，综合成本相对较高，对于大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种ITO退火工艺，其特征在于，包括：/nS11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；/nS12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；/nS13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；/nS14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。/n

【技术特征摘要】
1.一种ITO退火工艺，其特征在于，包括：
S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；
S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，所述第一表面为所述ITO薄膜远离所述载台的表面；
S13、调节所述光斑的尺寸，使所述光斑的直径等于第一线段的长度，所述第一线段为穿过所述第一表面的几何中心且两端均位于所述第一表面边缘上的多条线段中长度最短的线段；
S14、对所述ITO薄膜上所述光斑所在位置处进行预设时长的曝光。


2.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述待退火工件还包括衬底，所述ITO薄膜形成于所述衬底上。


3.根据权利要求2所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。


4.根据权利要求1所述的ITO退火工艺，其特征在于，所述对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面的几何中心，包括：
通过调节所述载台的位置对准激光器发出的激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷全超，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31