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本发明公开了一种ITO退火工艺。所述ITO退火工艺包括：S11、将待退火工件固定于载台上，所述待退火工件包括ITO薄膜，所述ITO薄膜位于所述待退火工件远离所述载台的一侧；S12、对准激光束在所述ITO薄膜表面形成的光斑的几何中心和第一表面...
该专利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微电子装备(集团)股份有限公司授权不得商用。

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