抗蚀剂底层组合物和用该组合物形成图案的方法技术

抗蚀剂底层组合物，其包含聚亚芳基醚、不同于所述聚亚芳基醚的添加剂聚合物和溶剂，其中所述添加剂聚合物包括具有选自羟基、巯基和/或氨基的至少一个受保护或游离官能团的芳族或杂芳族基团。

【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂底层组合物和用该组合物形成图案的方法
本公开涉及在半导体工业中用作光刻的蚀刻掩模的旋涂碳组合物。具体地，本公开涉及具有增强的衬底粘附性的抗蚀剂底层组合物。
技术介绍
旋涂碳(SOC)组合物在半导体工业中用作集成电路制造的先进技术节点中的光刻的蚀刻掩模。这些组合物通常用于三层和四层光致抗蚀剂集成方案中，其中将有机或含硅的抗反射涂层和可图案化光致抗蚀剂膜层设置在具有高碳含量SOC材料的底层上。理想的SOC材料应具有某些具体特性：它应该能够通过旋涂工艺浇铸到衬底上，应该在加热时热固化，具有低脱气和升华，应该可溶于普通溶剂中以具有良好的旋转筒相容性(spinbowlcompatibility)，应该具有合适的n/k以与抗反射涂层一起工作以赋予光致抗蚀剂成像所需的低反射率，并且应该具有高的热稳定性以避免在随后的处理步骤期间被损坏。除了这些要求之外，理想的SOC材料必须在衬底上旋涂和热固化时提供平坦的膜，其具有形貌和对位于SOC膜上方和下方的含硅层的足够的干法蚀刻选择性，以便以精确的方式将光图案转移到最终的衬底中。有机聚亚芳基已用于提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀剂底层组合物，其包含：/n聚亚芳基醚，/n与所述聚亚芳基醚不同的添加剂聚合物，以及/n溶剂，/n其中所述添加剂聚合物包含芳族或杂芳族基团，/n其中所述芳族基团包含至少一个选自羟基、巯基和氨基的受保护或游离官能团。/n

【技术特征摘要】
20190430 US 16/398753;20190802 US 16/5302731.一种抗蚀剂底层组合物，其包含：
聚亚芳基醚，
与所述聚亚芳基醚不同的添加剂聚合物，以及
溶剂，
其中所述添加剂聚合物包含芳族或杂芳族基团，
其中所述芳族基团包含至少一个选自羟基、巯基和氨基的受保护或游离官能团。


2.如权利要求1所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述至少一个受保护或游离官能团是羟基。


3.如权利要求1或2所述的抗蚀剂底层组合物，其中所述至少一个官能团被任选包含-O-、-NR-(其中R是氢或C1-10烷基)、-C(＝O)-或其组合的保护基保护。


4.如权利要求3所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述保护基包括甲酰基、取代或未取代的直链或支链C1-10烷基、取代或未取代的C3-10环烷基、取代或未取代的C2-10烯基、取代或未取代的C2-10炔基或其组合，其中所述保护基任选地包含-O-、-NR-(其中R是氢或C1-10烷基)、-C(＝O)-或其组合。


5.如权利要求1至4中任一项所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述添加剂聚合物包含由式(I)表示的结构单元：



其中，在式(I)中，
Ar是C6-40芳族有机基团或C3-40杂芳族有机基团；
X和R1至R3各自独立地是氢、取代或未取代的C1-10烷基、取代或未取代的C2-10烯基、取代或未取代的C2-10炔基、取代或未取代的C3-10环烷基、或取代或未取代的C6-20芳基；
Y是OR4、SR5、NR6R7或CR8R9OR4，其中R4至R9各自独立地是氢、甲酰基、取代或未取代的C1-5烷基、取代或未取代的C2-5烯基、取代或未取代的C2-5炔基、或取代或未取代的C3-8环烷基，其各自任选地包含-O-、-NR-(其中R是氢或C1-10烷基)、-C(＝O)-或其组合，其中R6和R7任选地连接以形成环，并且其中R8和R9任选地连接以形成环；
L是单键或二价连接基团；和
m和n各自独立地是1至20的整数，前提是m和n的总和不超过可被X和Y取代的Ar的原子总数。


6.如权利要求1至4中任一项所述的抗蚀剂底层组合物，其中，所述添加剂聚合物包含由式(II)表示的结构单元：



其中，在式(II)中，
Ar是C6-40芳族有机基团或C3-40杂芳族有机基团；
X、R1和R2各自独立地是氢、取代或未取代的C1-10烷基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·凯茨，K·杨，张可人，J·F·卡梅伦，崔莉，E·阿卡德，山田晋太郎，P·J·拉博姆，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US