半导体光致抗蚀剂组合物及使用组合物形成图案的方法技术

本发明专利技术公开一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用其形成图案的方法，所述半导体光致抗蚀剂组合物包含由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂。化学式1及化学式2的细节如在详细说明中所定义。

【技术实现步骤摘要】
半导体光致抗蚀剂组合物及使用组合物形成图案的方法相关申请的交叉参考本申请案主张2019年4月30日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2019-0050856号及2019年12月4日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2019-0160169号的优先权及权益，所述专利申请案的全部内容并入本文供参考。
本公开涉及一种半导体光致抗蚀剂组合物以及使用所述组合物形成图案的方法。
技术介绍
极紫外(extremeultraviolet，EUV)光刻作为制造下一代半导体装置的一项关键技术受到关注。EUV光刻是使用波长为约13.5nm的EUV射线作为曝光光源的图案形成技术。根据EUV光刻，众所周知，可在半导体装置的制造期间的曝光工艺中形成非常精细的图案(例如，小于或等于约20nm)。极紫外(EUV)光刻通过开发相容的光致抗蚀剂来实现，所述光致抗蚀剂可以小于或等于约16nm的空间分辨率来执行。目前，正在努力满足用于下一代装置的传统化学放大(chemicallyamplified，CA)光致抗蚀剂的不足规格，例如分辨率本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体光致抗蚀剂组合物，包含：/n由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20190430 KR 10-2019-0050856;20191204 KR 10-2019-011.一种半导体光致抗蚀剂组合物，包含：
由化学式1表示的有机金属化合物、由化学式2表示的有机金属化合物及溶剂：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
R是经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、包含至少一个双键或三键的经取代或未经取代的C2到C20脂族不饱和有机基、经取代或未经取代的C6到C30芳基、环氧乙烷基、环氧丙烷基或其组合，
X、Y及Z独立地为-OR1或-OC(＝O)R2，
R1是经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合，且
R2是氢、经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合；
[化学式2]



其中，在化学式2中，
X'为-OR3或-OC(＝O)R4，
R3是经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合，且
R4是氢、经取代或未经取代的C1到C20烷基、经取代或未经取代的C3到C20环烷基、经取代或未经取代的C2到C20烯基、经取代或未经取代的C2到C20炔基、经取代或未经取代的C6到C30芳基或其组合。


2.根据权利要求1所述的半导体光致抗蚀剂组合物，其中
R是经取代或未经取代的C1到C8烷基、经取代或未经取代的C3到C8环烷基、包含至少一个双键或三键的经取代或未经取代的C2到C8脂族不饱和有机基、经取代或未经取代的C6到C20芳基、环氧乙烷基、环氧丙烷基或其组合，
R1及R3独立地为经取代或未经取代的C1到C8烷基、经取代或未经取代的C3到C8环烷基、经取代或未经取代的C2到C8烯基、经取代或未经取代的C2到C8炔基、经取代或未经取代的C6到C20芳基或其组合，且
R2及R4独立地为氢、经取代或未经取代的C1到C8烷基、经取代或未经取代的C3到C8环烷基、经取代或未经取代的C2到C8烯基、经取代或未经取代的C2到C8炔基、经取代或未经取代的C6到C20芳基或其组合。


3.根据权利要求1所述的半导体光致抗蚀剂组合物，其中
R是甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基、2,2-二甲基丙基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、苯基、甲苯基、二甲苯基、苄基、环氧乙烷基、环氧丙烷基或其组合，
R1及R3独立地是甲基、乙基、丙基、丁基、异丙基、叔丁基、2,2-二甲基丙基、环丙基、环丁基、...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宰贤，文京守，蔡承龙，南宫烂，韩承，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR