TOF测距装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种TOF测距装置，包括：基板，设置有第一阶梯、第二阶梯以及第三阶梯；发射模块，设置在所述基板的第一阶梯上，用于向目标物发射光信号；接收模块，设置在所述基板的第二阶梯上，用于接收由所述目标物反射回的所述光信号；以及控制模块，设置在所述基板的第三阶梯上，用于控制发射模块向目标物发射光信号，并控制接收模块接收由所述目标物反射回的所述光信号，以及计算所述发射模块发射的所述光信号与所述接收模块接收到的所述光信号的时间差，并基于所述时间差获取所述目标物的距离。本发明专利技术还提供上述TOF测距装置的制作方法。

【技术实现步骤摘要】
TOF测距装置及其制作方法
本专利技术涉及一种测距装置，尤其涉及一种TOF测距装置及其制作方法。
技术介绍
TOF的全称是Time-Of-Flight，即飞行时间，这是一种通过测量光的飞行时间来实现精确的距离测定的技术。随着三维成像信息技术的迅速发展，特别是建筑测量、室内定位和导航、立体影像和辅助生活环境应用对飞行时间成像提出了迫切需求。所谓飞行时间法3D成像，是通过光源诸如脉冲激光器朝向目标连续发送光脉冲，然后用探测传感器接收从物体返回的光信号，通过探测光脉冲的往返飞行时间来得到待测目标物的距离信息。探测传感器比如图像传感器的每个像素都参与测距，深度图中每个像素的深度值是得自输出脉冲的发射时间与从场景中对应点反射的辐射的到达时间之间的差值，被称为光学脉冲的“飞行时间”，以计算高精度的深度图像。一些基于ToF的深度映射系统使用基于单光子雪崩二极管(SPAD)阵列的检测器。SPAD也称为盖革模式雪崩光电二极管(GAPD)，是能够以数十皮秒量级的非常高的到达时间分辨率捕获各个光子的检测器。它们可在专用半导体工艺中或者在标准CMOS技术中制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TOF测距装置，其特征在于，包括：/n基板，设置有第一阶梯、第二阶梯以及第三阶梯；/n发射模块，设置在所述基板的第一阶梯上，用于向目标物发射光信号；/n接收模块，设置在所述基板的第二阶梯上，用于接收由所述目标物反射回的所述光信号；以及/n控制模块，设置在所述基板的第三阶梯上，用于控制发射模块向目标物发射光信号，并控制接收模块接收由所述目标物反射回的所述光信号，以及计算所述发射模块发射的所述光信号与所述接收模块接收到的所述光信号的时间差，并基于所述时间差获取所述目标物的距离。/n

【技术特征摘要】
1.一种TOF测距装置，其特征在于，包括：
基板，设置有第一阶梯、第二阶梯以及第三阶梯；
发射模块，设置在所述基板的第一阶梯上，用于向目标物发射光信号；
接收模块，设置在所述基板的第二阶梯上，用于接收由所述目标物反射回的所述光信号；以及
控制模块，设置在所述基板的第三阶梯上，用于控制发射模块向目标物发射光信号，并控制接收模块接收由所述目标物反射回的所述光信号，以及计算所述发射模块发射的所述光信号与所述接收模块接收到的所述光信号的时间差，并基于所述时间差获取所述目标物的距离。


2.如权利要求1所述的TOF测距装置，其特征在于，所述基板的第一阶梯、第二阶梯以及第三阶梯为一体成型，且所述第一阶梯和第二阶梯被所述第三阶梯隔开。


3.如权利要求2所述的TOF测距装置，其特征在于，所述第一阶梯和第二阶梯具有第一高度，第三阶梯具有第二高度，所述第一高度比第二高度高。


4.如权利要求2所述的TOF测距装置，其特征在于，所述第一阶梯具有第一高度，所述第二阶梯具有第二高度，所述第三阶梯具有第三高度，所述第三高度比第一高度和第二高度低。


5.如权利要求1所述的TOF测距装置，其特征在于，所述基板为玻璃陶瓷基板。


6.如权利要求1所述的TOF测距装置，其特征在于，所述基板中设置有金属线路，所述发射模块、接收模块通过所述金属线路与所述控制模块连接。


7.如权利要求1所述的TOF测距装置，其特征在于，所述发射模块上方还设置有扩散膜，用于控制发射角度。


8.如权利要求1所述的TOF测距装置，其特征在于，所述接收模块上方还设置有透镜，用于将光线聚集到所述接收模块上。


9.如权利要求8所述的TOF测距装置，其特征在于，所述透镜上设置有纳米材料镀膜，用于增强光线入射。

【专利技术属性】
技术研发人员：张义荣，
申请(专利权)人：传周半导体科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31