一种晶圆缺陷检测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆缺陷检测装置及方法，所述检测装置至少包含：光源；晶圆，所述晶圆包括多个第一晶粒和多个第二晶粒；分光镜，所述分光镜将所述光源发射的光线分成第一光束和第二光束；偏光镜，用于将第一光束和第二光束分别反射到第一晶粒和第二晶粒上；以及传动装置，所述传动装置使所述第一偏光镜和所述第二偏光镜分别与所述第一晶粒和所述第二晶粒同时产生沿所述第一方向的相对移动。上述检测装置使光源变为2束同样波长及性质的光源波，将检测装置检测方式改为2排同行或者2列同行的方式，并且在偏光镜上增加传动装置，通过X方向的平移来保证检测光线照射位置的准确性，从而极大地提高了光学检测速度并提高了检测吞吐量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆缺陷检测装置及方法
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种晶圆表面缺陷的检测装置和方法。
技术介绍
在半导体制造领域中，需要采用光刻的方法在晶圆的表面形成图形以获得设计所需的结构。在光刻过程中，由于光刻版、光刻胶以及其它各个方面因素的影响，有可能导致晶圆表面由光刻形成的图形存在缺陷，因此需要对晶圆表面的图形进行检测以判断晶圆及其上的晶粒是否符合要求。半导体晶圆表面的缺陷是所有晶圆代工工厂对于晶圆良率最为关注的部分，与此同时，如何检测晶圆表面缺陷的方法也同样重要。光学检测方法，由于具有不破坏晶圆表面的清洁度、可实时检测等的优点成为最常用的晶圆检测方法之一。所述光学检测方法使用光学散射强度测量技术来探测晶圆表面颗粒的有无，颗粒在晶圆表面的空间分布等。如今光学检测的光源移动方式都是从原始的第一个晶粒向右或者向下平移，直至该排或者该列的最后一个晶粒，然后回到第二排或者第二列后从该排该列的第一晶粒同样平移。如图1所示为现有技术中晶圆缺陷的光学检测装置的示意图，所述检测装置包括光源101、偏光镜102和晶圆103，从光源101发射的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆缺陷检测装置，其特征在于，所述检测装置至少包含：/n光源；/n晶圆，所述晶圆包括沿第一方向延伸排列的多个第一晶粒，所述晶圆还包括沿第一方向延伸排列的多个第二晶粒，所述多个第二晶粒沿第二方向与所述多个第一晶粒相邻或间隔排列；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；/n至少一个分光镜，所述至少一个分光镜包括第一分光镜，所述第一分光镜将所述光源发射的光线分成第一光束和第二光束；/n第一偏光镜，所述第一偏光镜用于反射所述第一光束，所述第一光束照射所述晶圆上的所述第一晶粒；/n第二偏光镜，所述第二偏光镜用于反射所述第二光束，所述第二光束照射所述晶圆上的所述第二晶粒；/n图像传感装置，所述图...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆缺陷检测装置，其特征在于，所述检测装置至少包含：
光源；
晶圆，所述晶圆包括沿第一方向延伸排列的多个第一晶粒，所述晶圆还包括沿第一方向延伸排列的多个第二晶粒，所述多个第二晶粒沿第二方向与所述多个第一晶粒相邻或间隔排列；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；
至少一个分光镜，所述至少一个分光镜包括第一分光镜，所述第一分光镜将所述光源发射的光线分成第一光束和第二光束；
第一偏光镜，所述第一偏光镜用于反射所述第一光束，所述第一光束照射所述晶圆上的所述第一晶粒；
第二偏光镜，所述第二偏光镜用于反射所述第二光束，所述第二光束照射所述晶圆上的所述第二晶粒；
图像传感装置，所述图像传感装置用于获取所述第一晶粒和所述第二晶粒的图像；以及
传动装置，所述传动装置使所述第一偏光镜和所述第二偏光镜分别与所述第一晶粒和所述第二晶粒同时产生沿所述第一方向的相对移动。


2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述晶圆还包括沿第一方向延伸排列的多个第三晶粒，所述多个第三晶粒沿第二方向与所述多个第一晶粒和所述多个第二晶粒相邻或间隔排列；所述至少一个分光镜还包括第二分光镜，所述第二分光镜将所述光源发射的光线的一部分反射或者折射成第三光束；所述图像传感装置还用于获取所述第三晶粒的图像；
所述检测装置还包括：第三偏光镜，所述第三偏光镜用于反射所述第三光束，所述第三光束照射所述晶圆上的所述第三晶粒；所述传动装置使所述第一偏光镜、所述第二偏光镜和所述第三偏光镜分别与所述第一晶粒、所述第二晶粒和所述第三晶粒同时产生沿所述第一方向的相对移动。


3.一种晶圆缺陷检测装置，其特征在于，所述检测装置至少包含：
光源；
至少一个晶圆，所述至少一个晶圆至少包括第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆包括沿第一方向延伸排列的多个第一晶粒，所述第一晶圆还包括沿第一方向延伸排列的多个第二晶粒，所述多个第二晶粒沿第二方向与所述多个第一晶粒相邻或间隔排列；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；
所述第二晶圆包括沿第一方向延伸排列的多个第三晶粒，所述第二晶圆还包括沿第一方向延伸排列的多个第四晶粒，所述多个第四晶粒沿第二方向与所述多个第三晶粒相邻或间隔排列；
至少一个分光镜，所述至少一个分光镜将所述光源发射的光线分成至少第一光束、第二光束、第三光束和第四光束；
至少一个偏光镜，所述至少一个偏光镜包括第一偏光镜、第二偏光镜、第三偏光镜和第四偏光镜，所述第一偏光镜、第二偏光镜、第三偏光镜和第四偏光镜用于分别反射所述第一光束、第二光束、第三光束和第四光束，所述第一光束、第二光束、第三光束和第四光束分别照射所述第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒；
图像传感装置，所述图像传感装置用于获取所述第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒的图像；以及
传动装置，所述传动装置使所述第一偏光镜、第二偏光镜、第三偏光镜和第四偏光镜分别与所述第一晶粒、第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒同时产生沿所述第一方向的相对移动。


4.根据权利要求1-3任一项所述的检测装置，其特征在于，所述光源包括同轴光源或者采用暗场照明方式。


5.根据权利要求1-3任一项所述的检测装置，其特征在于，所述光源包括氙灯、卤素灯、LED或者激光光源。


6.根据权利要求1-3任一项所述的检测装置，其特征在于，所述图像传感装置包括图像传感器，用于捕捉所述晶粒的图像。


7.根据权利要求6所述的检测装置，其特征在于，所述图像传感装置还包括镜头，用于将所述晶粒放大并聚焦到所述图像传感器。


8.根据权利要求1-3任一项所述的检测装置，其特征在于，所述分光镜包括平面型分光镜。


9.根据权利要求1-3任一项所述的检测装置，其特征在于，所述分光镜包括非偏振型分光镜。


10.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述第一晶粒和所述第二晶粒均包含多个像素单元，所述第一晶粒和所述第二晶粒分别通过多个像素单元构成的像素矩阵表示，所述第一光束和所述第二光束分别照射所述第一晶粒和所述第二晶粒的相同位置的像素单元。


11.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述第一晶粒、第二晶粒和第三晶粒均包含多个像素单元，所述第一晶粒、第二晶粒和第三晶粒分别通过多个像素单元构成的像素矩阵表示，所述第一光束、所述第二光束和第三光束分别照射所述第一晶粒、第二晶粒和第三晶粒的相同位置的像素单元。


12.根据权利要求3所述的检测装置，其特征在于，所述第一晶粒、所述第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒均包含多个像素单元，所述第一晶粒、所述第二晶粒、第三晶粒和第四晶粒分别通过多个像素单元构成的像素矩阵表示，所述第一光束和所述第二光束分别照射所述第一晶粒和所述第二晶粒的相同位置的像素单元，所述第三光束和第四光束分别照射所述第三晶粒和所述第四晶粒的相同位置的像素单元。


13.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：
提供一光源；
提供一晶圆，所述晶圆包括沿第一方向延伸排列的多个第一晶粒，所述晶圆还包括沿第一方向延伸排列的多个第二晶粒，所述多个第二晶粒沿第二方向与所述多个第一晶粒相邻或间隔排列；其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；
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【专利技术属性】
技术研发人员：王通，王潇斐，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37