红外热堆传感器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种红外热堆传感器及其制作方法，包括：提供第一基板，所述第一基板包括第一区和第二区，所述第一基板具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一区第一表面形成热电堆结构；在所述第二区第一表面形成热敏电阻结构；自所述第二表面刻蚀所述第一基板，在第一区形成热辐射隔离槽。本发明专利技术实施例所提供的红外热堆传感器的制作方法所得的红外热堆传感器热电堆结构和热敏电阻结构集成在第一基板上，集成度高，体积小，工艺简单。

【技术实现步骤摘要】
红外热堆传感器及其制作方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种红外热堆传感器的制作方法。
技术介绍
红外传感器(英文名称：transducer/sensor)是一种检测装置，通过将感应到的被测信息按一定规律变换成为对应的信号输出，以实现对信息的检测。典型的红外传感器如温度红外传感器、压力红外传感器、光学红外传感器等，不仅促进了传统产业的改造和更新换代，还不断开拓新型工业，成为人们关注的焦点。随着微电子机械系统(MEMS)技术的迅猛发展，基于MEMS微机械加工技术制作的微型化红外传感器以其尺寸小、价格低等优势被广泛应用于测温、气体传感、光学成像等领域。红外传感器的对温度的处理中，采用热电堆单元接收辐射信息检测被测物体温度，同时为了提高准确度，需要同时热敏电阻单元接收当前环境温度，以便提高计算准确度。然而，现有的红外热堆传感器中热电堆单元与热敏单元为分离设计后再重新组装，工艺复杂，体积较大，与微型化的趋势相违背。因此，亟需提供一种工艺简单且体积较小的红外热堆传感器。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：/n提供第一基板，所述第一基板包括第一区和第二区，所述第一基板具有相对的第一表面和第二表面；/n在所述第一区第一表面形成热电堆结构；/n在所述第二区第一表面形成热敏电阻结构；/n自所述第二表面刻蚀所述第一基板，在第一区形成热辐射隔离槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基板，所述第一基板包括第一区和第二区，所述第一基板具有相对的第一表面和第二表面；
在所述第一区第一表面形成热电堆结构；
在所述第二区第一表面形成热敏电阻结构；
自所述第二表面刻蚀所述第一基板，在第一区形成热辐射隔离槽。


2.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构包括：单层膜结构或者多层膜结构，所述热敏电阻结构为多层膜结构时，各膜层的材料不同或掺杂浓度不同。


3.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构包括：第一电极和第二电极；
所述热敏电阻结构为单层膜结构；形成第一电极时或形成第二电极时，形成所述热敏电阻结构。


4.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构的材料与所述第一电极、或第二电极的材料相同。


5.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构包括：第一电极和第二电极；
所述热敏电阻结构为两层结构；形成第一电极时和形成第二电极时，分别形成所述热敏电阻结构的相应膜层。


6.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻结构的材料包括锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等一种、两种或两种以上的金属或金属氧化物；或者含重金属掺杂的半导体层，所述重金属掺杂的离子为：铝、铜、金、铂、银、镍、铁、锰、钼、钨、钛、锌、汞、镉、铬及钒中的一个或多个。


7.如权利要求1所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热敏电阻的形状包括蛇形排布或者螺旋状排布的线状面电极。


8.如权利要求2所述的红外热堆传感器的制作方法，其特征在于，所述热电堆结构的形成方法包括：
在所述第一基底上形成第一电极材料层；图形化所述第一电极材料层，形成多个分立的所述第一电极，相邻所述第一电极之间具有第一沟槽；
在所述第一基底和所述第一电极上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述第一电极且填充满所述第一沟槽；图形化所述阻挡层，形成第二沟槽，所述第二沟槽暴露出部分第一电极表面；
在所述第二沟槽内和所述阻挡层上形成第二电极材料层；图形化所述第二电极材料层，形成多个分立的所述第二电极；
相邻的所述热电偶对的所述第一电极和所述第二电极相互电连接形成多组所述热电偶对，所述热电偶对间的电连接方式为串连。

【专利技术属性】
技术研发人员：韩凤芹，刘孟彬，狄云翔，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31