使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法技术

本发明专利技术提供了一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法。采用CTAB作为抑制类添加剂，将纯铜板浸入电镀液中作为阳极，将含有微孔的硅片浸入电镀液中作为阴极，对硅片微孔进行电镀填充，相比传统的抑制类添加剂电镀体系，本发明专利技术所开发的使用CTAB作抑制剂的填充方法对微孔孔口及侧壁具有更强的抑制效果，输运能力更强，电镀填充效果更好、效率更高，有利于节约微孔电镀填充成本，在高深宽比微孔电镀填充中具有极大的优势。

【技术实现步骤摘要】
使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法
本专利技术涉及微孔填充
，特别涉及一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法。
技术介绍
随着集成电路尺寸越来越小，集成度越来越高，芯片上元件之间互连导线的数量与互连密度剧增。以硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)微通道互连为核心的3D集成封装技术成为的必然选择。典型TSV直径一般为数微米至数十微米，深宽比可达3：1～20：1，通常以铜作为填充料。由于TSV结构的限制，在制造过程中存在极大的挑战。TSV填充过程复杂，技术难度大，容易形成孔洞、缝隙等填充缺陷，制造成本居高不下。解决TSV填充缺陷的典型方案是在电镀液中加入有机物添加剂。常用抑制剂、整平剂及加速剂来改善TSV填充效果。三种添加剂之间存在竞争吸附行为，通常抑制剂作用于表面及孔口，整平剂作于孔内侧壁，加速剂作用于孔底(作用较小)。由于孔口及侧壁区域电镀速率被相对抑制，使得孔底电镀速率反而高于孔口，从而实现TSV无缺陷填充。该方法在低深宽比的TSV填充中具有很好的效果，但在高深宽比TSV填充中难以避免填充本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，制备电镀基础液：/n将硫酸铜、氯化钠及硫酸加入到去离子水中，搅拌均匀，得到电镀基础液；/n步骤2，制备电镀液：/n在步骤1得到的电镀基础液中加入CTAB，得到电镀液；/n步骤3，组装电极：/n将含有微孔的硅片清洗干净，然后浸入步骤2所得电镀液中静置，作为阴极，将纯铜片浸入步骤2所得电镀液中，作为阳极；/n步骤4，电镀：/n向步骤3中阳极与阴极通电进行电镀，完成对硅片微孔的填充。/n

【技术特征摘要】
1.一种使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，制备电镀基础液：
将硫酸铜、氯化钠及硫酸加入到去离子水中，搅拌均匀，得到电镀基础液；
步骤2，制备电镀液：
在步骤1得到的电镀基础液中加入CTAB，得到电镀液；
步骤3，组装电极：
将含有微孔的硅片清洗干净，然后浸入步骤2所得电镀液中静置，作为阴极，将纯铜片浸入步骤2所得电镀液中，作为阳极；
步骤4，电镀：
向步骤3中阳极与阴极通电进行电镀，完成对硅片微孔的填充。


2.根据权利要求1所述的使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法，其特征在于，所述电镀基础液中硫酸铜的浓度为100～300g/L，氯化钠的浓度为0.01～0.5g/L，硫酸的浓度为10～64mL/L。


3.根据权利要求1所述的使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法，其特征在于，所述电镀液中CTAB的浓度为0.03～1.0g/L。


4.根据权利要求1所述的使用CTAB作为抑制类添加剂进行微孔填充的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴厚亚，朱文辉，李祉怡，王彦，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：湖南;43