成膜装置以及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置以及成膜方法，其可低成本且高效率地形成氢化硅膜。所述成膜装置包括：搬送部(30)，具有循环搬送工件(10)的旋转台(31)；成膜处理部(40)，具有包含硅材料的靶(42)、及对被导入靶(42)与旋转台(31)之间的溅射气体(G1)进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅射而在工件(10)形成硅膜；以及氢化处理部(50)，具有导入含有氢气的工艺气体(G2)的工艺气体导入部(58)、及对工艺气体(G2)进行等离子体化的等离子体产生器，对已形成在工件(10)的硅膜进行氢化，搬送部(30)以使工件(10)交替地穿过成膜处理部(40)与氢化处理部(50)的方式进行搬送。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置以及成膜方法
本专利技术涉及一种成膜装置以及成膜方法。
技术介绍
用于光学膜等的硅(Si)膜若在膜中的硅原子中存在悬键(danglingbond)，则电性变得不稳定，光学性质变得不稳定，因此必须通过使氢(H)原子与悬键进行键结来变成稳定的状态，由此变成经氢封端的Si-H膜(以下，称为氢化硅膜)。作为形成硅膜的成膜装置，有通过溅射来使硅的粒子堆积在基板上的装置。通过溅射来堆积的硅为非晶质(非晶)，与结晶质的硅相比存在许多悬键，但可通过进行氢封端来使其稳定化。在此种成膜装置中，在作为密闭容器的腔室内，将基板支撑固定在与硅材料的靶相向的位置。而且，将添加有氢气的溅射气体导入腔室内，对靶施加高频电力，由此使溅射气体等离子体化。通过由等离子体产生的活性种，而将硅粒子从靶中打出并堆积在基板上。此时，硅原子的悬键与溅射气体中所含有的氢原子进行键结，由此进行氢封端。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开平07-90570号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]在如以上那本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，其特征在于，包括：/n搬送部，具有循环搬送工件的旋转台；/n成膜处理部，具有包含硅材料的靶、及对被导入所述靶与所述旋转台之间的溅射气体进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅射而在所述工件形成硅膜；以及/n氢化处理部，具有导入含有氢气的工艺气体的工艺气体导入部、及对所述工艺气体进行等离子体化的等离子体产生器，对已形成在所述工件的所述硅膜进行氢化，/n所述搬送部以使所述工件交替地穿过所述成膜处理部与所述氢化处理部的方式进行搬送。/n

【技术特征摘要】
20190425 JP 2019-084707;20200331 JP 2020-0621781.一种成膜装置，其特征在于，包括：
搬送部，具有循环搬送工件的旋转台；
成膜处理部，具有包含硅材料的靶、及对被导入所述靶与所述旋转台之间的溅射气体进行等离子体化的等离子体产生器，通过溅射而在所述工件形成硅膜；以及
氢化处理部，具有导入含有氢气的工艺气体的工艺气体导入部、及对所述工艺气体进行等离子体化的等离子体产生器，对已形成在所述工件的所述硅膜进行氢化，
所述搬送部以使所述工件交替地穿过所述成膜处理部与所述氢化处理部的方式进行搬送。


2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜处理部具有导入含有氢气的溅射气体的溅射气体导入部。


3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，
所述溅射气体导入部导入与所述工艺气体相同的溅射气体。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野大祐，伊藤昭彦，
申请(专利权)人：芝浦机械电子装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP