准晶材料和应用其的半导体器件制造技术

公开了准晶材料和应用其的半导体器件。准晶材料基于具有一个或多个对称轴(例如，2重对称轴、3重对称轴、5重对称轴、或更高重对称轴)的准晶单元。所述准晶材料能够在准晶相和具有比所述准晶相更规则的原子排列的近似结晶相之间发生相变。所述准晶材料可用作相变材料并且可被应用到半导体器件的相变层。

【技术实现步骤摘要】
准晶材料和应用其的半导体器件对相关申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2019年4月30日提交的韩国专利申请No.10-2019-0050723的权益，将其公开内容全部通过引用引入本文中。
本公开内容涉及准晶(准晶体)材料和所述准晶材料应用于其的半导体器件。
技术介绍
半导体器件的相变存储器件根据构成相变材料层的材料的化合物的相变通过利用非晶态和结晶态(晶态)之间的电阻的差异而储存数据。例如，对于切换到具有高电阻的非晶态所需的(和/或期望的)复位(重置，reset)电流和对于改变至具有低电阻状态的结晶态的设定(设置，set)电流通过形成在基板上的晶体管或二极管传输到相变材料层以引起相变材料层的相变。通过在非晶态下具有高电阻且在结晶态下具有低电阻的相变材料的相变而储存信息。代表性的相变材料包括硫属化物族的材料(例如，Ge2Sb2Te5(GST))。然而，使用硫属化物族的材料作为相变材料的相变存储器具有多种待改善的方面，例如复位能量的降低等。也就是说，过去的半个世纪以来，硫属化物族的材料已经作为相变材料被研究和使用，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.准晶材料，包括：/n多面体准晶单元，/n所述多面体准晶单元具有2重对称轴、3重对称轴、5重对称轴或更高重对称轴的一个或多个，所述更高重对称轴大于5重对称轴，其中所述多面体准晶单元具有五边形、八边形、十边形、十二边形、二十面体和三十面体多面体之一，/n所述准晶材料能够发生在准晶相和近似结晶相之间的相变，/n所述近似结晶相具有比所述准晶相的原子排列更规则的原子排列，以及/n所述准晶相的原子排列是准周期性地排列的。/n

【技术特征摘要】
20190430 KR 10-2019-00507231.准晶材料，包括：
多面体准晶单元，
所述多面体准晶单元具有2重对称轴、3重对称轴、5重对称轴或更高重对称轴的一个或多个，所述更高重对称轴大于5重对称轴，其中所述多面体准晶单元具有五边形、八边形、十边形、十二边形、二十面体和三十面体多面体之一，
所述准晶材料能够发生在准晶相和近似结晶相之间的相变，
所述近似结晶相具有比所述准晶相的原子排列更规则的原子排列，以及
所述准晶相的原子排列是准周期性地排列的。


2.如权利要求1所述的准晶材料，其中
所述准晶材料包括多面体簇，和
所述多面体簇包括不规则的排列结构。


3.如权利要求1所述的准晶材料，其中所述准晶相的电阻是所述近似结晶相的电阻的至少两倍。


4.如权利要求1所述的准晶材料，其中
所述准晶材料包括包含V、Cr或Mn的基于Al的合金，和
所述基于Al的合金包括二十面体准晶、十边形准晶或八边形准晶。


5.如权利要求4所述的准晶材料，其中所述准晶材料包括AlSiMn作为所述基于Al的合金。


6.如权利要求1所述的准晶材料，其中所述准晶材料包括选自如下的至少一种：V-Ni-Si、Cr-Ni-Si、Mn-Si、Mn-Si-Al、Mn-Fe-Si、其中TM’为Ir、Pd、Pt、Os、Ru、Rh、Mn、Fe、Co、Ni、或Cr的Al-TM’、Al-Fe-Mn、Al-Ni-Co、Al-Cu-Mn、Al-Cu-Fe、Al-Cu-Ni、Al-Cu-Co、Al-Cu-Co-Si、Al-Mn-Pd、Al-Li-(Cu或Mg)、Al-Re-Si、其中TM为Fe、Ru或Os的Al-Pd-TM、Al-Cu-Ru、Al-Mg-(Ag、Cu、或...

【专利技术属性】
技术研发人员：李殷成，金道乡，尹斗燮，俞贞恩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，延世大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：韩国;KR