一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法技术

一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法，属于难熔金属材料技术领域。本发明专利技术的目的在于通过提供一种细晶、高致密的电极材料，提升稀土钨电极的性能，拓展其应用领域。本发明专利技术的特征在于：在金属钨中加入稀土氧化物(La

【技术实现步骤摘要】
一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料及制备方法
本专利技术涉及一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料，目的在于得到环境友好的、电子发射性能更加优良的稀土钨电极材料，属于难熔金属材料
技术背景为了促进现代的焊接、热喷涂、等离子体应用技术以及气体放电光源的发展，各国的材料研究者都努力的开发性能更加优异的电极材料。金属钨由于熔点高，热电子发射能力强，很早被应用于电极材料。但是钨在高温下会形成等轴晶使变脆发生断裂，发射效率也会降低，使用寿命短。后来人们在钨中加入2％的ThO2后，获得了高而稳定的电子发射性能。由于钍是放射性元素，会对人体以及环境造成伤害，需要替代，而稀土氧化物具有优异的电子发射能力，对环境和人体无放射性伤害，因此稀土钨电极替代钍钨电极已经成为钨电极行业的发展趋势。钨电极中的氧含量的含量一直是人们关注的热点，电极中含有适量的氧，能与掺杂的稀土耦合降低电极工作表面的逸出功，提升稀土钨电极的电子发射性能，而氧含量过多则在电极工作时，易于和钨结合，生成低熔点的氧化钨，造成电极的烧损。以此如何调控稀土钨电极中的氧含量十分重要。此外稀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料，其特征在于，在金属钨中加入稀土氧化物La

【技术特征摘要】
1.一种氢化物掺杂的稀土钨电极材料，其特征在于，在金属钨中加入稀土氧化物La2O3与Y2O3、氢化物ZrH2；氧化镧(La2O3)的质量百分含量为1％～3％，氧化钇(Y2O3)的质量百分含量为0.05％～0.1％，氢化锆ZrH2的质量百分含量为0.05％～0.1％。


2.制备权利要求1所述的氢化物掺杂的稀土钨电极材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)选择粉末粒度为0.5-1.5μm的钨粉、200nm-1μm的氧化镧与氧化钇粉、10μm-100μm的氢化锆粉为原料，在氮气保护气氛下装入球磨机中进行球磨混料，混料...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建参，郑艾龙，张莹超，黄志民，
申请(专利权)人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司，北京工业大学，
类型：发明
国别省市：福建;35