一种含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置制造方法及图纸

本申请涉及一种含氮化合物，所述含氮化合物的结构式如下式所示：其中，环A和环B各自独立地选自苯环或者成环碳原子数为10～14的稠合芳环，且环A和环B中至少一个选自所述成环碳原子数为10～14的稠合芳环；L选自单键、取代或者未取代的碳原子数为6～30的亚芳基、取代或者未取代的碳原子数为3～30的亚杂芳基；Het为取代或未取代的碳原子数为3‑60的含氮杂芳基。本申请的含氮化合物可以提高有机致电发光器件的发光效率，以及提高应用该含氮化合物的光电转化器件的转化效率。

【技术实现步骤摘要】
一种含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置
本申请属于有机材料
，具体提供一种含氮化合物以及使用其的电子元件和电子装置。
技术介绍
作为有机电子原件的代表例，有机发光元件。一般而言，有机发光现象是指，利用有机物质使电能转变为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光元件通常具有包含阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。其中，为了提高有机发光元件的效率和稳定性，往往由各自不同的物质构成多层结构形成有机物层，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光元件的结构而言，如果在两级之间事加电压，则空穴从阳极注入至有机物层，电子从阴极注入至有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时，形成激子，该激子再次跃迁至基态时，就会发出光。一般来说，电子传输材料是具有缺电子的含氮杂环基团的化合物，它们大多具有较高的电子亲和势，因而具有较强的接受电子的能力，但是相对于空穴传输材料，常见的电子传输材料的电子迁移率例如八羟基喹啉铝要远低于空穴传输材料的空穴迁移率，因而在OLED器件中一方面会导致载流子的注入和传输本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构式如式1所示：/n

【技术特征摘要】
20200508 CN 202010383441X1.一种含氮化合物，其特征在于，所述含氮化合物的结构式如式1所示：



其中，环A和环B相同或不同，各自独立地选自苯环或者成环碳原子数为10～14的稠合芳环，且环A和环B中至少一个为所述成环碳原子数为10～14的稠合芳环；
L选自单键、取代或者未取代的碳原子数为6～30的亚芳基、取代或者未取代的碳原子数为3～30的亚杂芳基；
各Q1和各Q2相同或不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为3～15的环烷基、碳原子数为1～4的烷氧基、碳原子数为1～4的烷硫基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为18～24的三芳基硅基、碳原子数为6～12的芳基、碳原子数为7～13的芳烷基、碳原子数为4～12的杂芳基、碳原子数为5～13的杂芳烷基；
n表示Q1的个数，选自0或1；m表示Q2的个数，选自0或1；
Het为取代或未取代的碳原子数为3～30的含氮杂芳基；
Ar1和Ar2相同或不同，且各自独立地选自：氢、取代或未取代的碳原子数为1～20的烷基、取代或未取代的碳原子数为3～20的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6～30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3～30的杂芳基；
所述L、Het、Ar1和Ar2上的取代基相同或者不同，且各自独立地选自：氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～25的芳基、碳原子数为3～25的杂芳基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为18～24的三芳基硅基。


2.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述环A和环B相同或不同，各自独立地选自苯环、萘环、菲环和蒽环，且环A和环B不同时为苯环。


3.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述式1所示的含氮化合物选自如下化合物组成的组：








4.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述式1所示的含氮化合物选自如下化合物组成的组：





5.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，式1中，选自以下基团：



其中，表示化学键。


6.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，选自如下所示的结构所组成的组：



其中，表示上述结构用于与连接的化学键，表示上述结构用于与连接的化学键。


7.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，中，n＝1且选自如下所示的结构所组成的组：



其中，表示上述结构中用于与连接的化学键，表示上述结构中用于与连接的化学键。


8.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，选自如下所示的结构所组成的组：



其中，表示上述结构中用于与连接的化学键，表示上述结构中用于与连接的化学键。


9.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，中，m＝1且选自如下所示的结构所组成的组：






其中，表示上述结构中用于与连接的化学键，表示上述结构中用于与连接的化学键。


10.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2相同或不同，且分别独立地选自氢、取代或未取代的碳原子数为1-10的烷基、取代或未取代的碳原子数为3-10的环烷基、取代或未取代的碳原子数为6～24的芳基、取代或未取代的碳原子数为5～24的杂芳基。


11.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、卤素基团、氰基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为3～20的杂芳基、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～4的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～4的烷氧基、碳原子数为1～4的烷硫基、碳原子数为3～7的三烷基硅基、碳原子数为18～24的三芳基硅基；
优选地，所述Ar1和Ar2的取代基相同或不同，且分别独立地选自氘、氟、氰基、甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、三联苯基、二甲基芴基、N-苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、喹啉基、吡啶基、嘧啶基、吩噻嗪基、吩噁嗪基。


12.根据权利要求1所述的含氮化合物，其特征在于，所述Ar1和Ar2相同或者不同，且分别独立地选自氢或如下化学式i-1至化学式i-15所示的基团：






其中，M1选自单键或者
G1～G5和G1’～G4’各自独立地选自N、C或者C(J1)，且G1～G5中至少一个选自N；当G1～G5中的两个以上选自C(J1)时，任意两个J1相同或者不相同；
G6～G13各自独立地选自N、C或者C(J2)，且G6～G13中至少一个选自N；当G6～G13中的两个以上选自C(J2)时，任意两个J2相同或者不相同；
G14～G23各自独立地选自N、C或者C(J3)，且G14～G23中至少一个选自N；当G14～G23中的两个以上选自C(J3)时，任意两个J3相同或者不相同；
G24～G33各自独立地选自N、C或者C(J4)，且G24～G33中至少一个选自N；当G24～G33中的两个以上选自C(J4)时，任意两个J4相同或者不相同；
Z1选自氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为18-24的三芳基硅基；
Z2～Z9、Z21各自独立地选自：氢、氘、卤素基团、氰基、碳原子数为3～12的三烷基硅基、碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为1～10的卤代烷基、碳原子数为3～10的环烷基、碳原子数为1～10的烷氧基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为1～10的烷硫基、碳原子数为3～18的杂芳基、碳原子数为18-24的三芳基硅基；
Z10～Z20、J1～J4各自独立地选自：氢，氘，卤素基团，氰基，碳原子数为3～12的三烷基硅基，碳原子数为1～10的烷基，碳原子数为1～10的卤代烷基，碳原子数为3～10的环烷基，碳原子数为1～10的烷氧基，碳原子数为1～10的烷硫基，任选地被一个或多个氘、氟、氯、氰基取代的碳原子数为6～18的芳基，碳原子数为3～18的杂芳基，碳原子数为18-24的三芳基硅基；
h1～h21以hk表示，Z1～Z21以Zk表示，k为变量，表示1～21的任意整数，hk表示取代基Zk的个数；其中，当k选自5或者17时，hk选自1、2或者3；当k选自2、7、8、12、15、16、18或者21时，hk选自1、2、3或者4；当k选自1、3、4、6、9或者14时，hk选自1、2、3、4或者5；当k为13时，hk选自1、2、3、4、5或者6；当k选自10或者19时，hk选自1、2、3、4、5、6或者7；当k为20时，hk选自1、2、3、4、5、6、7或者8；当k为11时，hk选自1、2、3、4、5、...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨敏，南朋，
申请(专利权)人：陕西莱特光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61