一种芳胺化合物及包含其的有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供一种芳胺化合物及包含其的有机电致发光器件，涉及有机电致发光技术领域。本发明专利技术提供的芳胺化合物，通过在结构中引入特定的苯基芴类中间体，首先，可以使化合物具有合适的HOMO能级，作为空穴传输层材料，不仅能够从阳极接收更多的空穴，并且可以减少空穴传输层与发光层之间的注入势垒，有利于空穴的注入和传输，提高空穴迁移率。其次，由于苯基芴类中间体在结构上具有一定的扭曲，能够有效提高化合物的成膜性能，减少结晶作用。再次，本发明专利技术所述芳胺化合物通过引入具有刚性和大的π共轭体系的取代基，使得化合物具有良好的热稳定性和较高的载流子迁移率。本发明专利技术还提供一种机电致发光器件，具有高的发光效率和优异的寿命表现。

An aromatic amine compound and an organic electroluminescent device containing the aromatic amine compound

【技术实现步骤摘要】
一种芳胺化合物及包含其的有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光
，具体涉及一种芳胺化合物及包含其的有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)是一种全固态的发光器件，具有高亮度、高对比度、高清晰度、宽视角、宽色域、超薄、超轻、低功耗、宽温度、自发光、发光效率高、反应时间短、透明、柔性等优点，已经在手机、电视、微型显示等领域得到商用，被业内人士称为“梦幻般的显示器”，将成为未来最具发展潜力的新型显示技术。在有机电致发光器件中，材料的选择对器件的性能具有重要的影响。根据功能的不同可将OLED材料分为发光材料、空穴传输材料、电子传输材料等。其中空穴传输材料是一类重要的有机光电功能材料，它能够提高空穴在器件中的传输效率，并将电子阻挡在发光层内。虽然目前对于空穴传输材料的研究已取得较大进展，并且已有商业化的空穴传输材料，例如TPD、NPD等，但是其热稳定性较差，会影响器件的使用寿命。所以，开发能够用于工业大规模生产且性能稳定的空穴传输材料，在保持较高空穴传输性能的同时进一步提高材料的稳定性，以改善有机电致发光器件在效率、寿命和工作电压等方面的性能仍然是该领域研究的热点。
技术实现思路
针对现有技术存在的上述问题，本专利技术提供一种芳胺化合物及包含其的有机电致发光器件。本专利技术提供了一种芳胺化合物，具有如下式(I)所示结构：其中，L1、L2独立的选自单键或C6～C30的亚芳基；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自C6～C30的芳基或C3～C30的杂芳基，或者所述Ar1与Ar2、所述Ar3与Ar4独立的键合形成环状结构；上述芳基、亚芳基、杂芳基分别由选自氘原子、C1～C4的烷基、C6～C30的芳基、C3～C20的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，多个取代基之间相同或者不同。本专利技术还提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阴极、有机物层、阳极和基板，所述有机物层含有所述的芳胺化合物。本专利技术的有益效果：本专利技术提供一种芳胺化合物，通过在结构中引入特定的苯基芴类中间体，首先，可以使化合物具有合适的HOMO能级，作为空穴传输层材料，不仅能够从阳极接收更多的空穴，并且可以减少空穴传输层与发光层之间的注入势垒，有利于空穴的注入和传输，提高空穴迁移率。其次，由于苯基芴类中间体在结构上具有一定的扭曲，能够有效提高化合物的成膜性能，减少结晶作用。再次，本专利技术所述芳胺化合物通过引入具有刚性和大的π共轭体系的取代基，使得化合物具有良好的热稳定性和较高的载流子迁移率。本专利技术还提供一种机电致发光器件，具有高的发光效率和优异的寿命表现。附图说明图1为本专利技术实施例1制备得到化合物的1HNMR图。图2为本专利技术实施例2制备得到化合物的1HNMR图。图3为本专利技术实施例4制备得到化合物的1HNMR图。图4为本专利技术实施例5制备得到化合物的1HNMR图。图5为本专利技术实施例6制备得到化合物的1HNMR图。图6为本专利技术实施例8制备得到化合物的1HNMR图。图7为本专利技术实施例9制备得到化合物的1HNMR图。具体实施方式下面将结合本专利技术具体实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术首先提供一种化合物，具有如下式(I)所示结构：其中，L1、L2独立的选自单键或C6～C30的亚芳基；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自C6～C30的芳基或C3～C30的杂芳基，或者所述Ar1与Ar2、所述Ar3与Ar4独立的键合形成环状结构；上述芳基、亚芳基、杂芳基分别由选自氘原子、C1～C4的烷基、C6～C30的芳基、C3～C20的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，多个取代基之间相同或者不同。作为举例，所述取代基可包括氘原子、甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、芴基、9,9-二甲基芴基、9,9-二苯基芴基、二苯胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、吡啶基、吡嗪基、三嗪基、嘧啶基等，但不限于此，只要可以达到本专利技术的技术效果，则所述取代基可以为除了上述列举之外的取代基。所述取代基可以为一个或者多个，当所述取代基为多个时，多个取代基之间相同或者不同。本专利技术所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基或环烷基，优选具有1至15个碳原子，更优选1至10个碳原子，特别优选1至4个碳原子。实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。本专利技术所述芳基是指芳香族化合物分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，芳基碳原子数优选C6-C30，进一步优选C6-C20，更优选C6-C12，其可以为单环芳基、多环芳基或者稠环芳基。所述单环芳基是指分子中只有一个芳香环的芳基，例如，苯基等，但不限于此；所述多环芳基是指分子中含有两个或者两个以上独立芳香环的芳基，例如，联苯基、三联苯基等，但不限于此；所述稠环芳基是指分子中含有两个或者多个芳香环且彼此间通过共用两个相邻碳原子稠合而成的芳基，例如，萘基、蒽基、菲基、芴基、苯并芴基、芘基、三亚苯基、荧蒽基、螺二芴基等，但不限于此。本专利技术所述的亚芳基是指取代或未取代的芳香族化合物分子的芳核碳上去掉两个氢原子后，剩下二价基团的总称，亚芳基碳原子数优选C6-C30，进一步优选C6-C20，更优选C6-C12，其可以为单环亚芳基、多环亚芳基或者稠环亚芳基。所述单环亚芳基包括亚苯基等，但不限于此；所述多环亚芳基包括亚联苯基、亚三联苯基等，但不限于此；所述稠环亚芳基包括亚萘基、亚蒽基、亚菲基、亚芴基、亚芘基、亚三亚苯基、亚荧蒽基、亚苯基芴基等，但不限于此。本专利技术所述杂芳基是指芳基中的一个或多个芳核碳原子被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫、氮或者磷原子，所述杂芳基的连接位点可以位于成环碳原子上，也可以位于成环杂原子上，其中碳原子数优选C3-C30，进一步优选C3-C20，更优选C3-C12，所述杂芳基可以为单环杂芳基、多环杂芳基或者稠环杂芳基。所述单环杂芳基包括吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基等，但不限于此；所述多环杂芳基包括联吡啶基、联嘧啶基、苯基吡啶基等，但不限于此；所述稠环杂芳基包括喹啉基、异喹啉基、吲哚基、邻菲罗啉基、二苯并呋喃基、苯并二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并二苯并噻吩基、咔唑基、苯并咔唑基、吖啶基、9,1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芳胺化合物，其特征在于，具有如下式(I)所示结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种芳胺化合物，其特征在于，具有如下式(I)所示结构：



其中，L1、L2独立的选自单键或C6～C30的亚芳基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自C6～C30的芳基或C3～C30的杂芳基，或者所述Ar1与Ar2、所述Ar3与Ar4独立的键合形成环状结构；
上述芳基、亚芳基、杂芳基分别由选自氘原子、C1～C4的烷基、C6～C30的芳基、C3～C20的杂芳基组成的组中的一种或一种以上的取代基取代或未取代，在被多个取代基取代的情况下，多个取代基之间相同或者不同。


2.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，L1、L2独立的选自单键或如下基团中的任意一种：





3.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，L1选自如下基团中的任一种：





4.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，L2选自单键或如下基团中的任一种：


5.根据权利要求1所述的一种芳胺化合物，其特征在于，所述Ar1与Ar2、所述Ar3与Ar4独立的键合形成环状结构，或者Ar1、Ar2、Ar3、Ar4独立的选自如下...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜明珠，孙月，苗玉鹤，邵钰杰，赵倩，朱鸫达，
申请(专利权)人：长春海谱润斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22