一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺制造技术

本发明专利技术涉及陶瓷生产领域，尤其涉及一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺，其解决了现有陶瓷产品生产中存在的工作效率较低、成本较高的技术问题，包括以下步骤：第一步，将原料压送进入挤出装置内，挤出后切断形成料坯，落入至输送装置上的托盘；第二步，转移到顶压装置处，挤压杆与挤压气缸配合实现对料坯的预成型，形成粗胚；第三步，利用烘干室对粗胚进行初烘干，对粗胚进行粗雕刻，形成粗雕料坯；第四步，将粗雕料坯送入炉窑中进行一次烧制，得到粗陶瓷；第五步，利用精雕刻装置对粗陶瓷进行精雕，得到精雕陶瓷；第六步，将精雕陶瓷送入炉窑中进行二次烧制；第七步，将精雕陶瓷取出后，打磨抛光，得到成品。

【技术实现步骤摘要】
一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺
本专利技术涉及陶瓷生产领域，尤其涉及一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺。
技术介绍
目前，陶瓷产品的生产仍然较多的沿用传统的模式，即沿用人工进行成型、雕刻、烧制的流程，但是这样的流程对于工业化的应用是较为低效的，无法实现较高的生产效率，相对的，其价格也往往较高，如中国专利号：CN200610035988.0公开的一种陶瓷的雕刻制造工艺，其采用优质瓷土、特制的瓷釉色料、多款利器，在成型的瓷坯和模具上雕刻出花纹图案，经吹、挂上色瓷釉并修饰后烧制成立体感强、层次清楚的陶瓷制品。对于一些摆放用的工艺品，在没有追求艺术价值的基础上，如何实现成本的降低较为重要。
技术实现思路
因此，针对上述的问题，本专利技术提出一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺，其解决了现有陶瓷产品生产中存在的工作效率较低、成本较高的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用了以下技术方案：一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺，包括以下步骤：第一步，将原料压送进入挤出装置内，并利用挤出装置进行挤出，挤出后切断形成料坯，使得料坯落入至输送装置，所述输送装置上设有用于承托料坯的托盘，所述托盘的两侧上分别设有挤压气缸，两挤压气缸的活塞杆上分别设有半模具；第二步，输送装置带动托盘上的料坯转移到顶压装置处，所述顶压装置位于输送装置上方，所述顶压装置包括成型气缸及设于成型气缸活塞杆上的挤压杆，挤压杆伸出对料坯进行挤压，同时挤压气缸推动两个半模具相互贴合以实现对料坯的挤压，挤压杆与挤压气缸配合实现对料坯的预成型，形成粗胚；第三步，利用烘干室对粗胚进行初烘干，烘干温度为90－120℃，烘干时间小于20s，将粗胚转移至雕刻工位，粗雕工位上方设有定位装置，所述定位装置包括定位气缸及设于定位气缸活塞杆上的定位杆，所述定位杆可深入至粗胚内，而后利用粗雕刻装置对粗胚进行粗雕刻，形成粗雕料坯；第四步，将粗雕料坯送入炉窑中进行一次烧制，炉窑温度为1200－1250℃，烧制时间为8－10h，而后冷却，得到粗陶瓷；第五步，将粗陶瓷取出后，利用精雕刻装置对粗陶瓷进行精雕，得到精雕陶瓷；第六步，将精雕陶瓷送入炉窑中进行二次烧制，炉窑温度为1500－1600℃，烧制时间为12－14h，而后冷却；第七步，将精雕陶瓷取出后，打磨抛光，得到成品。进一步的，在粗雕刻或精雕刻时，进行喷雾处理，喷雾头设于被雕刻物品的上方，且被雕刻物品下方设有引风机。进一步的，所述挤出装置下方设有用于引导料坯定位于托盘的定位装置，所述定位装置包括升降气缸，设于升降气缸上的导向筒，所述导向筒包括上部的锥形端、与锥形端连接的引导端，当托盘随输送装置移动至挤出装置下方时，升降气缸带动导向筒下降至托盘上，挤压装置挤出料坯，料坯通过导向筒的导引落入托盘，而后升降气缸带动导向筒上升，而后输送装置带动托盘上的料坯转移。进一步的，原料通过一送料平台压送进入挤压装置，原料通过提升机构送入送料平台，所述提升机构包括主动辊、被动辊、包履主动辊与被动辊两端的链条、设于链条上的复数个载物架，各载物架包括载物板、限制板，所述载物板与限制板一体成型，所述载物板与限制板之间的夹角小于90度，当载物架处于水平抬升状态时，载物板与水平面的夹角大于15度，所述载物板的自由端向远离限制板的方向延伸设有载物折板，所述限制板的自由端向远离载物板的方向延伸设有限制折板，所述载物架的一侧上设有连通外部水源的进水管，所述进水管上对应各载物架设有复数个喷雾头。通过采用前述技术方案，本专利技术的有益效果是：1、本用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺可以在除烧制步骤外基本实现自动化，而且本生产工艺主要用于筒状类陶瓷的加工成型，特别是表面具备较为复杂浮雕的筒状类陶瓷的加工成型。由于烧制过程是一个比较严谨的过程，而且耗时较久，采用自动化的过程并不适宜，容易造成更多废品。在原料的挤出、预成型为粗胚、粗雕的过程可以采用自动化，从而有效实现人员的减少，以及技术需求的降低，其中预成型即可以实现产品表面的形状的成型，但是由于部分浮雕的穿孔、镂空是模具无法成型的，这个时候就需要利用雕刻机来实现，而利用初烘干对料坯的表面进行部分的烘干，目的是防止模具预成型状态下的构造部位不稳定，造成雕刻时的变形等因素。而后进行一次烧制，使得陶瓷产品已基本成型，再经过精雕刻、二次烧制，从而完全成型。这样的生产工艺，成本较低，技术需求较少，成品稳定性较好，可以实现较为复杂浮雕的筒状类陶瓷的加工生产。2、定位装置的设置，目的在于实现挤出后的料坯可以实现更好的定位，方便于后续的模具成型，其导向筒通过升降气缸的升降，可以有效防止干涉。3、设置了提升机构，可以有效实现原料的自动上料，有效提高自动化，而由于怕原料水分的挥发，还设置了喷雾头，对空气中的水分进行补充，该喷雾的主要目的彬过不是对原料进行水分补充，而是对原料周围环境的空气的水分进行补充。附图说明图1是本专利技术的结构示意图；图2是提升机构的正面结构示意图；图3是顶压装置与输送装置、托盘、挤压气缸配合的结构示意图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本专利技术进一步说明。参考图1至图3，本实施例提供一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺，包括以下步骤：第一步，将原料通过提升机构送入送料平台1，原料通过送料平台压1送进入挤压装置，所述提升机构包括提升支架21、主动辊22、被动辊23、包履主动辊22与被动辊23两端的链条24、设于链条24上的复数个载物架25，各载物架25包括载物板251、限制板252，所述载物板251与限制板252一体成型，所述载物板251与限制板252之间的夹角为80度，其也可以是小于90度且大于60度的其他角度，当载物架25处于水平抬升状态时，载物板251与水平面的夹角为20度，其也可以是大于15度且小于30度的其他角度。所述载物板251的自由端向远离限制板252的方向延伸设有载物折板2511，所述限制板252的自由端向远离载物板251的方向延伸设有限制折板2521。所述机架上位于载物架25的一侧设有连通外部水源的进水管26，所述进水管26上对应各载物架设有复数个喷雾头27。利用挤出装置3进行挤出，挤出后切断形成料坯，使得料坯落入至输送装置4，所述输送装置4上设有用于承托料坯的托盘41，所述挤出装置3下方设有用于引导料坯定位于托盘的定位装置，所述定位装置包括升降气缸51，设于升降气缸51上的导向筒52，所述导向筒52包括上部的锥形端521、与锥形端521连接的引导端522，当托盘41随输送装置4移动至挤出装置3下方时，升降气缸51带动导向筒52下降至托盘41上，挤压装置3挤出料坯，料坯通过导向筒的导引落入托盘41，而后升降气缸51带动导向筒52上升，而后输送装置4带动托盘41转移，所述托盘41的两侧上分别设有挤压气缸42，两挤压气缸42的活塞杆上分别设有半模具43，半模具可以根据实际的需要设置图案、形状，从而呈现出不同浮雕；第二步，输送装置4带动托盘41上的料坯9本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n第一步，将原料压送进入挤出装置内，并利用挤出装置进行挤出，挤出后切断形成料坯，使得料坯落入至输送装置，所述输送装置上设有用于承托料坯的托盘，所述托盘的两侧上分别设有挤压气缸，两挤压气缸的活塞杆上分别设有半模具；/n第二步，输送装置带动托盘上的料坯转移到顶压装置处，所述顶压装置位于输送装置上方，所述顶压装置包括成型气缸及设于成型气缸活塞杆上的挤压杆，挤压杆伸出对料坯进行挤压，同时挤压气缸推动两个半模具相互贴合以实现对料坯的挤压，挤压杆与挤压气缸配合实现对料坯的预成型，形成粗胚；/n第三步，利用烘干室对粗胚进行初烘干，烘干温度为90－120℃，烘干时间小于20s，将粗胚转移至雕刻工位，粗雕工位上方设有定位装置，所述定位装置包括定位气缸及设于定位气缸活塞杆上的定位杆，所述定位杆可深入至粗胚内，而后利用粗雕刻装置对粗胚进行粗雕刻，形成粗雕料坯；/n第四步，将粗雕料坯送入炉窑中进行一次烧制，炉窑温度为1200－1250℃，烧制时间为8－10h，而后冷却，得到粗陶瓷；/n第五步，将粗陶瓷取出后，利用精雕刻装置对粗陶瓷进行精雕，得到精雕陶瓷；/n第六步，将精雕陶瓷送入炉窑中进行二次烧制，炉窑温度为1500－1600℃，烧制时间为12－14h，而后冷却；/n第七步，将精雕陶瓷取出后，打磨抛光，得到成品。/n...

【技术特征摘要】
1.一种用于陶瓷雕刻的半自动化生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，将原料压送进入挤出装置内，并利用挤出装置进行挤出，挤出后切断形成料坯，使得料坯落入至输送装置，所述输送装置上设有用于承托料坯的托盘，所述托盘的两侧上分别设有挤压气缸，两挤压气缸的活塞杆上分别设有半模具；
第二步，输送装置带动托盘上的料坯转移到顶压装置处，所述顶压装置位于输送装置上方，所述顶压装置包括成型气缸及设于成型气缸活塞杆上的挤压杆，挤压杆伸出对料坯进行挤压，同时挤压气缸推动两个半模具相互贴合以实现对料坯的挤压，挤压杆与挤压气缸配合实现对料坯的预成型，形成粗胚；
第三步，利用烘干室对粗胚进行初烘干，烘干温度为90－120℃，烘干时间小于20s，将粗胚转移至雕刻工位，粗雕工位上方设有定位装置，所述定位装置包括定位气缸及设于定位气缸活塞杆上的定位杆，所述定位杆可深入至粗胚内，而后利用粗雕刻装置对粗胚进行粗雕刻，形成粗雕料坯；
第四步，将粗雕料坯送入炉窑中进行一次烧制，炉窑温度为1200－1250℃，烧制时间为8－10h，而后冷却，得到粗陶瓷；
第五步，将粗陶瓷取出后，利用精雕刻装置对粗陶瓷进行精雕，得到精雕陶瓷；
第六步，将精雕陶瓷送入炉窑中进行二次烧制，炉窑温度为1500－1600℃，烧制时间为12－14h，而后冷却；
第七步，将精雕陶瓷取出后，打磨抛光，得到成品。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱芳芳，
申请(专利权)人：福建省德化鲁闽怡家陶瓷文创有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35