一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法技术

技术编号:26156087 阅读:52 留言:0更新日期:2020-10-31 12:13
本发明专利技术公开了一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法。该方法为:利用喷砂工艺,先对硅片表面进行喷砂处理,再将其放入含有氢氟酸、硝酸和添加剂的混合溶液中进行制绒;所述喷砂工艺为湿法喷砂,所述湿法喷砂是指将水与磨料所混合的喷砂液利用泵加压经由喷嘴射出,均匀地对硅片表面进行冲击,使硅片表面产生凹凸不平的制绒表面。本发明专利技术喷砂方式成本低、工艺简单、不用使用化学品,亦不需要改变现有太阳能电池制绒工艺;通过本发明专利技术处理的硅片所生成的电池片,可达到良好的均匀绒面效果,并且消除硅片因金刚线切割所造成的线痕与色差。

A surface treatment method for diamond wire cut polysilicon wafer

【技术实现步骤摘要】
一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法
本专利技术涉及太阳能电池
,特别是一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法。
技术介绍
目前在光伏市场上,多晶硅硅片切割技术已由成本低、切片速度快以及污染较低的金刚线切割方式逐渐取代传统砂浆切割方式。但是,金刚线切割多晶硅片再切割过程中,由于金刚线磨损断线、金刚线切割设备意外停机、切割过程中大量的硅粉堆积于切割隙缝中等原因造成切割效率变化,皆会产生线痕或色差等外观不良的问题。目前市场上外观不良的金刚线切割多晶硅片约占整体金刚线切割多晶硅片产能的1~8%,这些多晶硅片将会因外观不良而被降级成B级片,影响其售出价格。若以目前常规的添加剂的酸制绒方式对外观不良的金刚线多晶硅片进行制绒,将难以同时达到低反射率和外观均匀的绒面效果,镀上抗反射层后其线痕与色差现象将更明显。目前,为了解决金刚线切割多晶硅片外观不良的难题,针对金刚线多晶硅片制绒的主要办法包括:直接添加剂法、反应离子蚀刻(Reactiveionetching,RIE)、金属催化化学蚀刻(MetalCatalyzedChemicalEtching,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法,其特征在于:利用喷砂工艺,先对硅片表面进行喷砂处理,再将其放入含有氢氟酸、硝酸和添加剂的混合溶液中进行制绒;/n所述喷砂工艺为湿法喷砂,所述湿法喷砂是指将水与磨料所混合的喷砂液利用泵加压经由喷嘴射出,均匀地对硅片表面进行冲击,使硅片表面产生凹凸不平的制绒表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种金刚线切割多晶硅片的表面处理方法,其特征在于:利用喷砂工艺,先对硅片表面进行喷砂处理,再将其放入含有氢氟酸、硝酸和添加剂的混合溶液中进行制绒;
所述喷砂工艺为湿法喷砂,所述湿法喷砂是指将水与磨料所混合的喷砂液利用泵加压经由喷嘴射出,均匀地对硅片表面进行冲击,使硅片表面产生凹凸不平的制绒表面。


2.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅片的表面处理方法,其特征在于:所述硅片为金刚线切割方式制造出的多晶硅片。


3.根据权利要求1所述的金刚线切割多晶硅片的表面处理方法,其特征在于:所述湿法喷砂工艺中磨料为150~1000目的碳化硅或氧化铝。


4.根据权利要求1、2或3所述的金刚线切割多晶硅片的表面处理方法,其特征在于:所述喷砂液为水与磨料组成,其中磨料重量占喷砂液重量的10%~40%。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:柯文杰顾夏斌杨世豪
申请(专利权)人:苏州澳京光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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