低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，包括第一电平信号输入端，第一驱动模块，第一开关模块，第二电平信号输入端，第二驱动模块，第二开关模块，高电压阻断模块，第一输出端，及第二输出端。本实用新型专利技术使得输出至MCU的电压信号随着逆变输出信号的增大而增大，根据MOS管与输出电流的关系，MCU通过输出至MCU的电压信号，可计算出此时的输出电流，同时可控制PWM输出高低电平，保护MOS管因过电流损坏，省掉了电压型电流传感器或采用分流器，节约了设计空间，还降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路
本技术涉及计算功率的MOS管输出电流电路
，更具体地说是指低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路。
技术介绍
当前在48-72V电压电驱中，不管是采用电压型电流传感器，还是采用分流器采样，在市场中都占有不小的成本比例，但是，上述方案均存在设计空间大，成本高的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺陷，提供低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路。为实现上述目的，本技术采用以下技术方案：低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，包括第一电平信号输入端，第一驱动模块，第一开关模块，第二电平信号输入端，第二驱动模块，第二开关模块，高电压阻断模块，第一输出端，及第二输出端；所述第一电平信号输入端与第一驱动模块，及高电压阻断模块连接，所述第一开关模块与第一驱动模块连接，所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接，所述第二开关模块与第二驱动模块连接，所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块，及第二开关模块连接，所述第二输出端与高电压阻断模块连接。其进一步技术方案为：所述第一驱动模块包括电压输入端，电容C1，电容C2，二极管D1，电容C3，电容C4，电容C5，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，及三极管Q4；所述电容C1的1脚，电容C2的1脚，及二极管D1的阳极均与电压输入端连接，电容C1的2脚和电容C2的2脚接地，二极管D1的阴极与电容C3的1脚，电阻R3的2脚，电阻R4的1脚，三极管Q1的集电极，及三极管Q3的发射极连接，电容C3的2脚和电阻R3的1脚接地；电阻R4的2脚和三极管Q3的基极均与所述第一电平信号输入端连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极，电阻R8的2脚，及三极管Q4的基极连接，电阻R8的1脚和三极管Q4的集电极接地；三极管Q1的发射极与电阻R1是2脚连接，电阻R1的1脚与电阻R5的2脚，三极管Q2的发射极，电容C4的2脚，电阻R6的2脚，及电阻R2的1脚连接，三极管Q4的发射极与电阻R5的1脚，及三极管Q2的基极连接；三极管Q2的集电极，电容C4的1脚，及电阻R6的1脚均接地；电阻R2的2脚与电阻R7的1脚，及第一开关模块连接，电阻R7的2脚与电容C5的1脚连接，电容C5的2脚接地。其进一步技术方案为：所述二极管D1的型号为BAV21W。其进一步技术方案为：所述第一开关模块为绝缘栅双极型晶体管M1，所述绝缘栅双极型晶体管M1的栅极与电阻R2的2脚，及电阻R7的1脚连接，绝缘栅双极型晶体管M1的发射极与电池的正极连接，绝缘栅双极型晶体管M1的集电极与所述第二开关模块，高电压阻断模块，及第一输出端连接。其进一步技术方案为：所述第二驱动模块包括电压输入端，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，三极管Q5，三极管Q7，三极管Q8，及三极管Q9；所述电容C6的1脚，电容C7的2脚，电阻R11的1脚，三极管Q5的集电极，及三极管Q7的发射极均与电压输入端连接，电容C6的2脚和电容C7的1脚接地，所述第二电平信号输入端与电阻R11的2脚，及三极管Q7的基极连接，三极管Q7的集电极与三极管Q5的基极，电阻R15的2脚，及三极管Q9的基极连接，电阻R15的1脚接地；三极管Q9的集电极接地，三极管Q9的发射极与电阻R12的2脚，及三极管Q8的基极连接，三极管Q8的集电极接地，三极管Q5的发射极与电阻R9的1脚连接，电阻R9的2脚与电阻R12的1脚，三极管Q8的发射极，电容C8的1脚，电阻R14的1脚，及电阻R10的1脚连接，电容C8的2脚和电阻R14的2脚接地，电阻R10的2脚与电阻R13的1脚，及第二开关模块连接，电阻R13的2脚与电容C9的1脚连接，电容C9的2脚接地。其进一步技术方案为：所述三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，三极管Q4，三极管Q5，三极管Q7，三极管Q8，及三极管Q9的型号相同，均为SS8550。其进一步技术方案为：所述第二开关模块为绝缘栅双极型晶体管M2，所述绝缘栅双极型晶体管M2的栅极与电阻R10的2脚，及电阻R13的1脚连接，绝缘栅双极型晶体管M2的集电极与电池的负极连接，绝缘栅双极型晶体管M1的发射极与绝缘栅双极型晶体管M1的集电极，高电压阻断模块，及第一输出端连接。其进一步技术方案为：所述绝缘栅双极型晶体管M1和绝缘栅双极型晶体管M2的型号相同，均为CRST045N10N。其进一步技术方案为：所述高电压阻断模块包括MOS管Q6，MOS管Q10，电阻R16，及电容C10；所述MOS管Q6的漏极与绝缘栅双极型晶体管M1的集电极，及绝缘栅双极型晶体管M2的发射极连接，MOS管Q6的源极与MOS管Q10的源极连接，第一电平信号输入端与MOS管Q6的栅极，及MOS管Q10的栅极连接，MOS管Q10的漏极与电阻R16的1脚，电容C10的1脚，及第二输出端连接，电阻R16的2脚和电容C10的2脚接地。其进一步技术方案为：所述第一电平信号输入端为PWM_U+信号；第二电平信号输入端为PWM_U-信号；第一输出端为逆变输出信号，用于接电机马达；第二输出端为输出至MCU的电压信号；当PWM_U+信号和PWM_U-信号为高电平时，三极管Q3和三极管Q1截止，三极管Q4和三极管Q2导通，绝缘栅双极型晶体管M1的栅极为低电平，故绝缘栅双极型晶体管M1处于截止，三极管Q7和三极管Q5截止，三极管Q9和三极管Q8导通，绝缘栅双极型晶体管M2的栅极为低电平，故绝缘栅双极型晶体管M2处于截止，此时MOS管Q6导通，MOS管Q10倒置导通，输出至MCU的电压信号为0电压；当PWM_U+信号为低电平，PWM_U-信号为高电平时，三极管Q3和三极管Q1导通，三极管Q4和三极管Q2截止，绝缘栅双极型晶体管M1的栅极为低高电平，故绝缘栅双极型晶体管M1处于导通，三极管Q7和三极管Q5截止，三极管Q9和三极管Q8导通，绝缘栅双极型晶体管M2的栅极为低电平，故绝缘栅双极型晶体管M2处于截止，此时MOS管Q6截止，MOS管Q10截止，输出至MCU的电压信号为0电压；当PWM_U+信号为高电平，PWM_U-信号为低电平时，三极管Q3和三极管Q1截止，三极管Q4和三极管Q2导通，绝缘栅双极型晶体管M1的栅极为低电平，故绝缘栅双极型晶体管M1处于截止，三极管Q7和三极管Q5导通，三极管Q9和三极管Q8截止，绝缘栅双极型晶体管M2的栅极为低高电平，故绝缘栅双极型晶体管M1处于导通，随着绝缘栅双极型晶体管M2的输出电流增加,逆变输出信号增大，此时MOS管Q6导通，MOS管Q10倒置导通，输出至MCU的电压信号随着逆变输出信号的增大而增大，根据MOS管与输出电流的关系，MCU通过输出至MCU的电压信号，可计算出此时的输出电流。本技术与现有技术相比的有益效果是：使得输出至MCU的电压信号随着逆变输出信号的增大而增大，根据MOS管与输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，包括第一电平信号输入端，第一驱动模块，第一开关模块，第二电平信号输入端，第二驱动模块，第二开关模块，高电压阻断模块，第一输出端，及第二输出端；所述第一电平信号输入端与第一驱动模块，及高电压阻断模块连接，所述第一开关模块与第一驱动模块连接，所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接，所述第二开关模块与第二驱动模块连接，所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块，及第二开关模块连接，所述第二输出端与高电压阻断模块连接。/n

【技术特征摘要】
1.低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，包括第一电平信号输入端，第一驱动模块，第一开关模块，第二电平信号输入端，第二驱动模块，第二开关模块，高电压阻断模块，第一输出端，及第二输出端；所述第一电平信号输入端与第一驱动模块，及高电压阻断模块连接，所述第一开关模块与第一驱动模块连接，所述第二电平信号输入端与第二驱动模块连接，所述第二开关模块与第二驱动模块连接，所述第一输出端和高电压阻断模块均与第一开关模块，及第二开关模块连接，所述第二输出端与高电压阻断模块连接。


2.根据权利要求1所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，所述第一驱动模块包括电压输入端，电容C1，电容C2，二极管D1，电容C3，电容C4，电容C5，电阻R1，电阻R2，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，三极管Q1，三极管Q2，三极管Q3，及三极管Q4；所述电容C1的1脚，电容C2的1脚，及二极管D1的阳极均与电压输入端连接，电容C1的2脚和电容C2的2脚接地，二极管D1的阴极与电容C3的1脚，电阻R3的2脚，电阻R4的1脚，三极管Q1的集电极，及三极管Q3的发射极连接，电容C3的2脚和电阻R3的1脚接地；电阻R4的2脚和三极管Q3的基极均与所述第一电平信号输入端连接，三极管Q3的集电极与三极管Q1的基极，电阻R8的2脚，及三极管Q4的基极连接，电阻R8的1脚和三极管Q4的集电极接地；三极管Q1的发射极与电阻R1是2脚连接，电阻R1的1脚与电阻R5的2脚，三极管Q2的发射极，电容C4的2脚，电阻R6的2脚，及电阻R2的1脚连接，三极管Q4的发射极与电阻R5的1脚，及三极管Q2的基极连接；三极管Q2的集电极，电容C4的1脚，及电阻R6的1脚均接地；电阻R2的2脚与电阻R7的1脚，及第一开关模块连接，电阻R7的2脚与电容C5的1脚连接，电容C5的2脚接地。


3.根据权利要求2所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，所述二极管D1的型号为BAV21W。


4.根据权利要求2所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，所述第一开关模块为绝缘栅双极型晶体管M1，所述绝缘栅双极型晶体管M1的栅极与电阻R2的2脚，及电阻R7的1脚连接，绝缘栅双极型晶体管M1的发射极与电池的正极连接，绝缘栅双极型晶体管M1的集电极与所述第二开关模块，高电压阻断模块，及第一输出端连接。


5.根据权利要求4所述的低压电驱计算功率的MOS管输出电流电路，其特征在于，所述第二驱动模块包括电压输入端，电容C6，电容C7，电容C8，电容C9，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R15，三极管Q5，三极管Q7，三极管Q8，及三极管Q9；所述电容C6的1脚，电容C7的2脚，电阻R11的1脚，三极管Q5的集电极，及三极管Q7的发射极均与电压输入端连接，电容C6的2脚和电容C7的1脚接地，所述第二电平信号输入端与电阻R11的2脚，及三极管Q7的基极连接，三极管Q7的集电极与三极管Q5的基极，电阻R15的2脚，及三极管Q9的基极连接，电阻R15的1脚接地；三极管Q9的集电极接地，三极管Q9的发射极与电阻R12的2脚，及三极管Q8的基极连接，三极管Q8的集电极接地，三极管Q5的发射极与电阻R9的1脚连接，电阻R9的2脚与电阻R12的1脚，三极管Q8的发射极，电容C8的1脚，电阻R14的1脚，及电阻R10的1脚连接，电容C8的2脚和电阻R1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏程，李勇，
申请(专利权)人：深圳市安邦信电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44