PWM驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种PWM驱动电路。它包括PWM信号发生器，所述PWM信号发生器的输出端桥式驱动电路，所述桥式驱动电路包括NMOS管，NMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，NMOS的漏极连接第一放大电路的高边输出电路；还包括PMOS管，PMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，PMOS管的的源极连接第二放大电路的低边输出电路。本实用新型专利技术PWM信号发生器的输出信号通过桥式驱动电路的两端分别输出，实现输出完整PWM信号波形，及在同一个驱动波形内既可以输出高电平(12V或24V)波形，也可以输出低有效(0V)波形。

【技术实现步骤摘要】
PWM驱动电路
本技术属于汽车电器驱动电路，具体涉及一种用于汽车风扇，水泵驱动的PWM驱动电路。
技术介绍
汽车散热系统中的风扇和水泵控制已经广泛采用PWM信号控制驱动。目前PWM信号输出是用过高边驱动芯片或低边驱动芯片进行输出，该方式存在输出的PWM信号波形不完整的问题，如高边驱动芯片输出的PWM信号仅有高电平(12V或24V)部分，无法输出低电平部分(0V)，而低边驱动芯片输出的PWM仅有低电平(0V)部分，无法输出高电平(12V或24V)部分。除此之外，使用高边驱动芯片或低边驱动芯片还会使控制器成本上升，导致产品失去市场竞争力。如CN104454603A公开的《电子装置及其风扇驱动电路》采用MCU产生的PWM低电平信号作为驱动。CN102748316B公开的《用于汽车发动机的双风机冷却风扇PWM控制器》采用桥式MOS管驱动，同时使用MOS管作为防反保护。该电路使用过多的MOS管成本高。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种能够实现输出完成的PWM芯片波形的PWM驱动电路。本技术的的技术方案为：PWM驱动电路，它包括PWM信号发生器，所述PWM信号发生器的输出端桥式驱动电路，所述桥式驱动电路包括NMOS管，NMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，NMOS的漏极连接第一放大电路的高边输出电路；还包括PMOS管，PMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，PMOS管的的源极连接第二放大电路的低边输出电路。优选的技术方案包括：所述第一放大电路为第一三极管放电路，第二放大电路为第二三极管放大电路。优选的技术方案包括：所述第一三极管的基极与发射极之间连接第一短路保护电路，第二三极管的基极与发射极之间连接第二短路保护电路。优选的技术方案包括：所述第一短路保护电路包括第一三极管的基极与发射极之间连接第三三极管；第二三极管的基极与发射极之间连接第四三极管。本技术PWM信号发生器的输出信号通过桥式驱动电路的两端分别输出，实现输出完整PWM信号波形，及在同一个驱动波形内既可以输出高电平(12V或24V)波形，也可以输出低有效(0V)波形。同时采用三极管的放大及保护电路，电路仅适用两个MOS管，元器件成本低，电路结构简单。附图说明图1本技术的电路结构图。具体实施方式下列具体实施方式用于对本专利技术权利要求技术方案的解释，以便本领域的技术人员理解本权利要求书。本专利技术的保护范围不限于下列具体的实施结构。本领域的技术人员做出的包含有本专利技术权利要求书技术方案而不同于下列具体实施方式的也是本专利技术的保护范围。如图1所示，PWM信号发生器为微型控制单元芯片(MCU),它产生基础PWM信号，该信号幅值为3.3V或5V，输出电流小于1mA，在同一个驱动波形内包含高电平(3.3V或5V)和低电平(0V)。微型控制单元芯片的信号输出端连接NMOS管Q1的栅极的高边输出电路，微型控制单元芯片的信号输出端连接PMOS管Q2的栅极的低边输出电路。高边输出电路和低边输出电路构成桥式驱动电路。高边输出电路包括NMOS管Q1漏极连接的限流保护电阻，本实施例的限流电阻为串联的电源端的电阻R1,R2；R2的输出端连接放大电路，本实施例的放大电路为三极管，三极管Q4的基极与电阻R2的输出连接，三极管Q4的集电极为高边信号输出端，三极管Q4的发射极与电源端连接输出限制电阻R3；三极管Q4的的基极与发射极之间连接短路保护电路为三极管Q3，三极管Q3的集电极与基极连接分别与三极管Q4的基极与发射极连接，发射极通过电阻R3连接电源端。NMOS管Q1的源极接地。低边输出电路包括PMOS管Q2源极连接的限流保护电阻，本实施例的限流电阻为串联的接地端的电阻R4,R5；R4的输出端连接放大电路，本实施例的放大电路为三极管，三极管Q6的基极与电阻R4的输出连接，三极管Q6的集电极为低边信号输出端，三极管Q6的发射极与接地端连接输出限制电阻R6；三极管Q6的的基极与发射极之间连接短路保护电路为三极管Q5，三极管Q5的集电极与基极连接分别与三极管Q6的基极与发射极连接，发射极通过电阻R6连接接地端。PMOS管Q2的漏极接电源端。本实施的工作原理为：当微型控制单元芯片(MCU)输出高电平时，NMOS管Q1的栅极电压为3.3V或5V，NMOS管Q1导通，由于电阻R1和R2的阻值很大，可以保护Q1不会因为过流烧坏。NMOS管Q1导通后，三极管Q4的基级会被拉低到0V，三极管Q4导通，此时PWM信号输出端口的电压为高电平(VDD，12V或24V)。当微型控制单元芯片(MCU)输出低电平时，PMOS管Q2的栅极电压为0V，PMOS管Q2导通，由于电阻R4和R5的阻值很大，可以保护PMOS管Q2不会因为过流烧坏。PMOS管Q2导通后，三极管Q6的基级会被拉高到大约3.3V或5V(VCC)，三级管Q6导通，此时PWM输出端口电压为低电平(0V)。电阻R3和R6为输出限制电阻，该电阻阻值非常小，功率很大，可以保护三极管Q4和三极管Q6不会被瞬态大电流烧坏。三级管Q3为三极管Q4的短路保护管，当PWM输出端口短路到地时，由于三极管Q4导通使得三极管Q3的基极被拉低到0V，三极管Q3导通；三极管Q3导通后，三极管Q4的基极被拉高到电源端VDD(12V或24V)，此时三极管Q4被关断，达到对地短路保护的功能。三级管Q5为三极管Q6的短路保护管，当PWM输出端口短路到电源时，由于三极管Q6导通使得三极管Q5的基级被拉高到电源端VDD(12V或24V)，三极管Q5导通；三极管Q5导通后，三极管Q6的基级被拉低到低电平(0V)，此时三极管Q6关断，达到对电源短路保护的功能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PWM驱动电路，它包括PWM信号发生器，其特征在于所述PWM信号发生器的输出端桥式驱动电路，所述桥式驱动电路包括NMOS管，NMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，NMOS的漏极连接第一放大电路的高边输出电路；还包括PMOS管，PMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，PMOS管的源极连接第二放大电路的低边输出电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种PWM驱动电路，它包括PWM信号发生器，其特征在于所述PWM信号发生器的输出端桥式驱动电路，所述桥式驱动电路包括NMOS管，NMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，NMOS的漏极连接第一放大电路的高边输出电路；还包括PMOS管，PMOS管的栅极与PWM信号发生器的输出端连接，PMOS管的源极连接第二放大电路的低边输出电路。


2.如权利要求1所述PWM驱动电路，其特征在于所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：欧致中，郑春阳，刘秀锦，
申请(专利权)人：东风航盛武汉汽车控制系统有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42