【技术实现步骤摘要】
一种碳纳米管生长装置
本技术涉及碳纳米管制备
,尤其涉及一种碳纳米管生长装置。
技术介绍
目前,碳纳米管制备工艺主要有电弧放电法、镭射烧蚀法以及化学气相沉积法,其中,化学气相沉积法以其工艺简便、成本低、纳米管可控、长度大、收集率高等特点得到广泛应用,化学气相沉积法主要是运用纳米尺度的过渡金属或其氧化物作为催化剂,在相对低的温度下热解含碳的气源来制备纳米管,大规模连续式制备碳纳米管,要求能够对碳纳米管的生长位置、方向、尺度、甚至碳纳米管的螺旋度进行必要的控制,化学气相沉积法是通过在多孔硅表面制作催化剂图形来控制碳纳米管的生长位置,一般作为基底是不透气的,当反应气体通入时,与催化剂薄膜接触,可以在其表面生长碳纳米管,随着碳纳米管逐渐增厚,催化剂薄膜逐渐被完全淹没,被淹没的催化剂薄膜不能再与反应气体接触,起不到催化剂的作用,导致碳纳米管无法继续生长,且生长方向过于单一,难以满足目前对碳纳米管向多个方向生长的需求。
技术实现思路
本技术为解决上述问题,提供了一种便于控制碳纳米管生长长度及方向的生长装置。本技术所采取的技术方案:一种碳纳米管生长装置,包括反应室、加热套、超声雾化器和移动基底,反应室的上部和下部套设气体腔室,气体腔室与反应室连接的内壁面上均布有若干连通气体腔室和反应室的且朝向反应室的通气管,气体腔室的外壁外设有加热套,气体腔室的侧壁上开设有进气口,反应室的顶部设有进料管,进料管的外侧套接供气管,供气管的下端连接扩径口,进料管的下端连接超声雾化器,反应室的下部侧壁开设有出气 ...
【技术保护点】
1.一种碳纳米管生长装置,其特征在于,包括反应室(18)、加热套(2)、超声雾化器(7)和移动基底(11),反应室(18)的上部和下部套设气体腔室(3),气体腔室(3)与反应室(18)连接的内壁面上均布有若干连通气体腔室(3)和反应室(18)的且朝向反应室(18)的通气管(4),气体腔室(3)的外壁外设有加热套(2),气体腔室(3)的侧壁上开设有进气口(1),反应室(18)的顶部设有进料管(6),进料管(6)的外侧套接供气管(5),供气管(5)的下端连接扩径口(8),进料管(6)的下端连接超声雾化器(7),反应室(18)的下部侧壁开设有出气口(17),反应室(18)的上部中间通过支架(10)固定定电极(9),反应室(18)的下部由弹簧(16)支撑有动电极(15),动电极(15)的两端分别通过侧弹簧(14)连接在反应室(18)的前后侧壁上,动电极(15)的一端连接有连杆(13),连杆(13)的另一端头穿过反应室(18)侧壁伸至反应室(18)外侧,并与反应室(18)外侧的电缸(12)伸缩杆连接,移动基底(11)在反应室(18)内定电极(9)和动电极(15)之间的两侧侧壁间移动。/n
【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管生长装置,其特征在于,包括反应室(18)、加热套(2)、超声雾化器(7)和移动基底(11),反应室(18)的上部和下部套设气体腔室(3),气体腔室(3)与反应室(18)连接的内壁面上均布有若干连通气体腔室(3)和反应室(18)的且朝向反应室(18)的通气管(4),气体腔室(3)的外壁外设有加热套(2),气体腔室(3)的侧壁上开设有进气口(1),反应室(18)的顶部设有进料管(6),进料管(6)的外侧套接供气管(5),供气管(5)的下端连接扩径口(8),进料管(6)的下端连接超声雾化器(7),反应室(18)的下部侧壁开设有出气口(17),反应室(18)的上部中间通过支架(10)固定定电极(9),反应室(18)的下部由弹簧(16)支撑有动电极(15),动电极(15)的两端分别通过侧弹簧(14)连接...
【专利技术属性】
技术研发人员:司荣美,刘彩风,
申请(专利权)人:天津宝兴威科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。