一种基板式碳纳米管制备设备制造技术

本发明专利技术公开了一种基板式碳纳米管制备设备，本发明专利技术所述基板式碳纳米管制备设备在腔体中，利用石英匀气管堵制造一个恒温热场，将倾斜式沉积基板置于加热炉温区中间，加热炉升温的同时通入大量惰性气体，利用进气预热炉将惰性气体加热与三温区加热炉同步，防止大量惰性气体洗气时低温容易破坏试验热场，加热炉温度达到实验温度时，利用通气导管通入碳源气体，石英匀气管堵底部均匀输出碳源气体，通过高温度下使含碳化合物裂解为碳原子，碳原子在过渡金属‑催化剂的作用下，均匀高效地附着在催化剂微粒表面上形成碳纳米管，且通过滑动设置三温区加热炉，能够使高纯度石英管中的反应区域快速的进入或者脱离加热区域，提升沉积质量。

【技术实现步骤摘要】
一种基板式碳纳米管制备设备
本专利技术属于碳纳米管材料制备
，具体的，涉及一种基板式碳纳米管制备设备。
技术介绍
碳纳米管目前采用的制备方法主要有石墨电弧法、化学气相沉积法和激光法等，其中CVD法由于工艺简单，参数易于控制，产物纯净可控，可以实现碳纳米管的高产率生产，所以应用广泛。化学气相沉积法是在较高温度下使含碳原化合物裂解为碳原子，碳原子在过渡金属催化剂的作用下，附着在催化剂微粒表面上形成为碳纳米管；其中，常见一般选用Fe、Co、Ni及其合金作为催化剂，黏土、二氧化硅、硅藻土、氧化铝及氧化镁等作载体，乙炔、丙烯及甲烷等作碳源，氢气、氮气、氦气、氩气或氨气作稀释气，在530℃～1130℃范围内，碳氢化合物裂解产生的自由碳离子在催化剂的作用下可生成单壁或多壁碳纳米管，但多数制得的碳纳米管管径不整齐，形状不规则，在同一基板上生长不均匀，并容易在碳纳米管表面附着许多无定性碳和石墨状碎片，这对所形成的碳纳米管的力学性能及物理性能会有不良的影响，为了解决上述问题，本专利技术提供了以下技术方案。专利技术内容本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板式碳纳米管制备设备，其特征在于，包括安装机架(17)，安装机架(17)的底部固定安装有进气预热炉(15)，进气预热炉(15)的进气端通过管道连接有气体供应装置，所述进气预热炉(15)的出气端通过管道连接有进气口(4)的一端，进气口(4)的另一端与石英导气管(5)的一端连接，石英导气管(5)的另一端通过管道与石英匀气管堵(6)的管堵进气端(62)连接，石英导气管(5)上设置有气压计(3)，所述石英匀气管堵(6)固定安装在高纯度石英管(8)的一端；/n所述石英匀气管堵(6)的管堵出气端(61)上设置有若干网孔；/n所述高纯度石英管(8)固定设置在安装机架(1)上，高纯度石英管(8)的另...

【技术特征摘要】
1.一种基板式碳纳米管制备设备，其特征在于，包括安装机架(17)，安装机架(17)的底部固定安装有进气预热炉(15)，进气预热炉(15)的进气端通过管道连接有气体供应装置，所述进气预热炉(15)的出气端通过管道连接有进气口(4)的一端，进气口(4)的另一端与石英导气管(5)的一端连接，石英导气管(5)的另一端通过管道与石英匀气管堵(6)的管堵进气端(62)连接，石英导气管(5)上设置有气压计(3)，所述石英匀气管堵(6)固定安装在高纯度石英管(8)的一端；
所述石英匀气管堵(6)的管堵出气端(61)上设置有若干网孔；
所述高纯度石英管(8)固定设置在安装机架(1)上，高纯度石英管(8)的另一端连接有抽气口(12)，抽气口(12)上设置有真空计(11)，所述抽气口(12)通过管道与抽真空装置连接；
所述安装机架(17)上固定设置有直线导轨(9)，所述直线导轨(9)与高纯度石英管(8)平行设置，安装机架(17)通过直线导轨(9)滑动安装有三温区加热炉(7)；
所述高纯度石英管(8)内设置有沉积基板(16)，所述沉积基板(16)在沉积面均匀涂有催化剂。


2.根据权利要求1所述的一种基板式碳纳米管制备设备，其特征在于，所述气体供应装置与进气预热炉(15)之间的管道上安装有电磁阀。


3.根据权利要求1所述的一种基板式碳纳米管制备设备，其特征在于，所述三温区加热炉(7)通过气缸驱动在直线导轨(9)上往复滑动。


4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔令杰，李晓丽，
申请(专利权)人：合肥百思新材料研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34