一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，包括偏置电路、反馈电路和放大电路，所述偏置电路提供动态偏置电压，并与第一静态偏置电压Vg1为放大电路中的晶体管M2提供偏置电压；随着输入的射频信号功率增大，提供给晶体管M2的动态偏置电压越大，实现晶体管M2自适应线性补偿；所述反馈电路用于调节放大器的射频性能；其中，射频信号通过所述反馈电路传递到所述偏置电路，所述偏置电路将该射频信号转化为直流信号，该直流信号即偏置电路产生的动态偏置电压。本实用新型专利技术具有结构简单，尺寸小，具有自适应偏置功能，不需要人为改变放大器的偏置电压，在提高了功率放大器线性度的同时又兼顾了效率，也提高了单片集成度和实用性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路
本技术涉及微电子、半导体及通信
，具体地涉及一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路。
技术介绍
射频功率放大器是移动通信系统的重要组成部分，作为发射通道最后的放大单元，其作用是将小功率的射频信号进行放大后经过天线发射出去。射频功率放大器的设计指标通常包括输出功率，效率，增益，带宽以及线性度等。射频功率放大器的非线性容易产生多余的频率分量，这严重的影响了移动通信系统的性能。传统功率放大器可以采用互补式金属氧化物半导体(CMOS)、砷化镓异质结双极晶体管(GaAsHBT)、砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(GaAspHEMT)等作为功率放大元件。其中采用CMOS器件实现的射频功率放大器虽然兼容性好、成本低，但存在线性度低、耐压值低的缺点；采用GaAsHBT器件实现的射频功率放大器虽然功率容量大，但存在自热效应；采用GaAspHEMT器件实现的射频功率放大器，一般都是使用负载牵引找到最大输出功率点，来进行输出端匹配。然而，由于功率放大器经常工作在非最大输出功率状态，为了提高功率放大器的平均效率，就要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，包括偏置电路、反馈电路和放大电路，其特征在于，/n所述偏置电路提供动态偏置电压，并与第一静态偏置电压Vg1为放大电路中的晶体管M2提供偏置电压；随着输入的射频信号功率增大，提供给晶体管M2的动态偏置电压越大，实现晶体管M2自适应线性补偿；/n所述反馈电路用于调节放大器的射频性能；/n其中，射频信号通过所述反馈电路传递到所述偏置电路，所述偏置电路将该射频信号转化为直流信号，该直流信号即偏置电路产生的动态偏置电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，包括偏置电路、反馈电路和放大电路，其特征在于，
所述偏置电路提供动态偏置电压，并与第一静态偏置电压Vg1为放大电路中的晶体管M2提供偏置电压；随着输入的射频信号功率增大，提供给晶体管M2的动态偏置电压越大，实现晶体管M2自适应线性补偿；
所述反馈电路用于调节放大器的射频性能；
其中，射频信号通过所述反馈电路传递到所述偏置电路，所述偏置电路将该射频信号转化为直流信号，该直流信号即偏置电路产生的动态偏置电压。


2.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述偏置电路包括两个电阻R1和R2、晶体管M1、电容C1，所述电阻R1和电容C1并联，且第一端接地，第二端连接晶体管M1的栅极，所述晶体管M1的源极和漏极进行短接并与电阻R2第一端连接。


3.如权利要求1所述的一种用于功率放大器芯片的自适应偏置电路，其特征在于，所述反馈电路包括两个电阻R3和R4、电容C2，所述电阻R3和R4的第一端均与电阻R2的第二端连接，所述电阻R3的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜琳，
申请(专利权)人：西安博瑞集信电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61